Cypress Semiconductor
Продажа радиодеталей и электронных компонентов и комплектующих бренда Cypress Semiconductor. Компания «РадиоРугу» осуществляет комплексные поставки радиодеталей предприятия Cypress Semiconductor. Большой выбор товаров из каталога. Доставка по России и постоянные скидки!
Под заказ
Корпус: TSOP-44 (SMD)
Время: доступа - 55 нс
Тип: М/с памяти серии FM22L16-55-TG
Напряжение питания: 2,7…3,6; Uраб. - 3,3 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 4-Mbit (256K × 16) F-RAM Memory
Интерфейс: Parallel
Упаковка: TRAY
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FRAM 4 Мбит (256 Кбит х 16)
3507 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: Поштучно 130 шт.
Корпус: TSOP-44 (SMD)
Время: доступа - 55 нс
Тип: М/с памяти серии FM22L16-55-TG
Напряжение питания: 2,7…3,6; Uраб. - 3,3 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 4-Mbit (256K × 16) F-RAM Memory
Интерфейс: Parallel
Упаковка: TRAY
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FRAM 4 Мбит (256 Кбит х 16)
Под заказ
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/с памяти серии FM25V20A-G
Напряжение питания: 2…3,6 В
Частота: 40 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 2-Mbit (256 K × 8) Serial (SPI) F-RAM
Потребляемый ток: 300 (при F - 1 МГц) мк А
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FRAM 2 Мбит (256 Кбит х 8)
3469 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: Поштучно 23 шт.
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/с памяти серии FM25V20A-G
Напряжение питания: 2…3,6 В
Частота: 40 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 2-Mbit (256 K × 8) Serial (SPI) F-RAM
Потребляемый ток: 300 (при F - 1 МГц) мк А
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FRAM 2 Мбит (256 Кбит х 8)
Под заказ
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/с последовательной памяти ферроэлектрическая серии FM25V
Напряжение питания: 2…3,6 В
Частота: 40 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 512Kит (64KX8) 2.0-3.6V F-RAM Serial (SPI) F-RAM
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: SPI
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: 512Kит (64KX8) 2.0-3.6V F-RAM
1007 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 80 УП. по 2 шт.;
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/с последовательной памяти ферроэлектрическая серии FM25V
Напряжение питания: 2…3,6 В
Частота: 40 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 512Kит (64KX8) 2.0-3.6V F-RAM Serial (SPI) F-RAM
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: SPI
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: 512Kит (64KX8) 2.0-3.6V F-RAM
Под заказ
Тип: М/с памяти серии FM24V10-G
Напряжение питания: 2…3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 1-Mbit (128 K × 8) Serial (I2C) F-RAM
Интерфейс: I2C
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FRAM 1Mбит (128Kбит x 8)
667 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 100 УП. по 5 шт.;
Тип: М/с памяти серии FM24V10-G
Напряжение питания: 2…3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 1-Mbit (128 K × 8) Serial (I2C) F-RAM
Интерфейс: I2C
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FRAM 1Mбит (128Kбит x 8)
Под заказ
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/с памяти ферроэлектрическая серии FM24V02
Напряжение питания: 2…3,6 (max); Uраб.=3,3 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: F-RAM NVRAM FRAM Memory Serial
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: 256-Kbit (32K × 8) F-RAM
489 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 253 УП. по 5 шт.;
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/с памяти ферроэлектрическая серии FM24V02
Напряжение питания: 2…3,6 (max); Uраб.=3,3 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: F-RAM NVRAM FRAM Memory Serial
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: 256-Kbit (32K × 8) F-RAM
Под заказ
Корпус: SOIC-28 (SMD)
Время: доступа - 70 нс
Тип: М/с памяти серии FM25V20A-G
Напряжение питания: 2…3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 256-Kbit (32K × 8) F-RAM Memory
Потребляемый ток: 5 мА
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FRAM 2 Мбит (256 Кбит х 8)
489 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: Поштучно 132 шт.
Корпус: SOIC-28 (SMD)
Время: доступа - 70 нс
Тип: М/с памяти серии FM25V20A-G
Напряжение питания: 2…3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 256-Kbit (32K × 8) F-RAM Memory
Потребляемый ток: 5 мА
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FRAM 2 Мбит (256 Кбит х 8)
Под заказ
Ширина: шины данных - 8 бит
Корпус: TSOP-48 (SMD)
Тип: синхронизации - asynchronous
Характеристика: быстродействие - 25 нс
Напряжение питания: 2,7…3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Потребляемый ток: 30 (max) мА
Интерфейс: Parallel
Упаковка: TRAY
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FLASH-NAND 2 Гбит (256 Мбит х 8)
Архитектура: Multiplane
411 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: Поштучно 192 шт.
Ширина: шины данных - 8 бит
Корпус: TSOP-48 (SMD)
Тип: синхронизации - asynchronous
Характеристика: быстродействие - 25 нс
Напряжение питания: 2,7…3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Потребляемый ток: 30 (max) мА
Интерфейс: Parallel
Упаковка: TRAY
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FLASH-NAND 2 Гбит (256 Мбит х 8)
Архитектура: Multiplane
Под заказ
Ширина: 256-Kbit (32 K × 8) Static RAM
Корпус: SOIC-28 (SMD)
Время: доступа - 55 нс
Тип: М/с памяти серии CY62256NLL
Напряжение питания: 4,5…5,5 В
Частота: тактовая (max) - 75 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Потребляемый ток: 50 (max) мА
Интерфейс: Parallel - 1 порт
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: SRAM 256 Кбит (32 Кбит х 8)
349 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 298 УП. по 2 шт.;
Ширина: 256-Kbit (32 K × 8) Static RAM
Корпус: SOIC-28 (SMD)
Время: доступа - 55 нс
Тип: М/с памяти серии CY62256NLL
Напряжение питания: 4,5…5,5 В
Частота: тактовая (max) - 75 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Потребляемый ток: 50 (max) мА
Интерфейс: Parallel - 1 порт
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: SRAM 256 Кбит (32 Кбит х 8)
Под заказ
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/с памяти серии FM25W256-G
Напряжение питания: 2,7…5,5 (max); Uраб. - 3…5 В
Частота: 20 (max) М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 256-Kbit (32K × 8) Serial (SPI) F-RAM
Потребляемый ток: 250 (при 1 МГц) мк А
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FRAM 256 Кбит
323 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 464 УП. по 5 шт.;
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/с памяти серии FM25W256-G
Напряжение питания: 2,7…5,5 (max); Uраб. - 3…5 В
Частота: 20 (max) М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 256-Kbit (32K × 8) Serial (SPI) F-RAM
Потребляемый ток: 250 (при 1 МГц) мк А
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FRAM 256 Кбит
Под заказ
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/с памяти серии FM24W256-G
Напряжение питания: 2,7…5,5 В
Частота: 1 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 256-Kbit (32 K × 8) Serial (I2C) F-RAM
Потребляемый ток: 100 (при F - 100 кГц) мк А
Интерфейс: I2C
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FRAM 256 Кбит
286 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 200 УП. по 5 шт.;
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/с памяти серии FM24W256-G
Напряжение питания: 2,7…5,5 В
Частота: 1 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 256-Kbit (32 K × 8) Serial (I2C) F-RAM
Потребляемый ток: 100 (при F - 100 кГц) мк А
Интерфейс: I2C
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FRAM 256 Кбит
Под заказ
Вес: 0,15 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(3.9мм)
Тип: памяти: FRAM
Напряжение питания: 2.7…3.65 В
Частота: тактовая макс.: 1 М Гц
Интерфейс: i2c, 2-wire serial
Объем: памяти: 64 kбит(8k x 8)
255 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 18 УП. по 10 шт.; Поштучно 351 шт.
Вес: 0,15 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(3.9мм)
Тип: памяти: FRAM
Напряжение питания: 2.7…3.65 В
Частота: тактовая макс.: 1 М Гц
Интерфейс: i2c, 2-wire serial
Объем: памяти: 64 kбит(8k x 8)
Под заказ
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/с памяти ферроэлектрическая серии FM25L16B-G
Напряжение питания: 2,7…3,6 (max); Uраб.=3,3 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: F-RAM 16Kb Serial SPI 3V
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: 16-Kbit (2K × 8) F-RAM
247 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 171 УП. по 10 шт.; 1 УП. по 2 шт.;
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/с памяти ферроэлектрическая серии FM25L16B-G
Напряжение питания: 2,7…3,6 (max); Uраб.=3,3 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: F-RAM 16Kb Serial SPI 3V
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: 16-Kbit (2K × 8) F-RAM
Под заказ
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(0.154, 3.90мм)
Тип: памяти: FRAM
Напряжение питания: 4.5…5.5 В
Частота: тактовая макс.: 1 М Гц
Интерфейс: i2c, 2-wire serial
Объем: памяти: 4 kбит(512x8)
208 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 490 УП. по 10 шт.;
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(0.154, 3.90мм)
Тип: памяти: FRAM
Напряжение питания: 4.5…5.5 В
Частота: тактовая макс.: 1 М Гц
Интерфейс: i2c, 2-wire serial
Объем: памяти: 4 kбит(512x8)
Под заказ
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/c энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память серии FM24CL16B
Напряжение питания: 2,7…3,65 (max); Uраб.=3 В
Частота: до 1 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 16-Kbit (2K × 8) Serial (I2C) F-RAM
Потребляемый ток: 100 мкА (в режиме ожидания - 3 мкА)
Интерфейс: 2-Wire I2C (двухпроводный)
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: F-RAM 16 кbit (2 к х 8)
122 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 18 УП. по 10 шт.;
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/c энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память серии FM24CL16B
Напряжение питания: 2,7…3,65 (max); Uраб.=3 В
Частота: до 1 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 16-Kbit (2K × 8) Serial (I2C) F-RAM
Потребляемый ток: 100 мкА (в режиме ожидания - 3 мкА)
Интерфейс: 2-Wire I2C (двухпроводный)
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: F-RAM 16 кbit (2 к х 8)
Недавно просмотренные товары:
Мой аккаунт
ИНФОРМАЦИЯ
Интернет-магазин. Купить электронные компоненты и радиодетали
- Почта: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
- Более 1 000 000 товаров в наличии и под заказ!