Infineon Technologies

Infineon Technologies
по
IRGP50B60PD1PBF
Infineon Technologies
Транзисторы разные

IRGP50B60PD1PBF

796 руб
В наличии: 32 шт. Корпус: TO-247-3
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Заряд: затвора (Qg) - 205 нКл
Способ монтажа: Through Hole
Упаковка: TUBE, 400 шт.
BTS724GXUMA1
Infineon Technologies
Микросхемы питания

BTS724GXUMA1

365 руб
В наличии: 392 шт. Корпус: SOIC-20 (SMD)
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Упаковка: REEL, 1000 шт.
IRFP260NPBF
Infineon Technologies
Транзисторы разные

IRFP260NPBF

310 руб
В наличии: 26 шт. Максимальный ток: Id - максимальный продолжительный, непрерывный ток стока - 50 A
Корпус: TO-247-3
Время: задержки включения/ выключения - 17/ 55 нс
Мощность: рассеиваемая (Pd) - 300 Вт
Тип: МОП - Транзистор, кремниевый , 1 N-канал
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В
Сопротивление: сток-исток открытого транзистора (Rds) - 40 м Ом
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Описание: 200V, 50A N-Channel MOSFET
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Заряд: затвора (Qg) - 234 нКл
Способ монтажа: Through Hole
Упаковка: TUBE, 25 шт.
Максимально допустимое напряжение: сток-исток (Vds max) - 200 В; затвор-исток (Vgs) ± 20 В
SPP20N60C3XKSA1
Infineon Technologies
Транзисторы разные

SPP20N60C3XKSA1

220 руб
В наличии: 2 шт. Ток утечки: непрерывный - 20,7 А
Корпус: TO-220-3
Мощность: рассеиваемая - 208 Вт
Тип: MOP транзистор полевой N - канал серии 20N60C (CoolMOS C3)
Напряжение: затвор-исток (Vgs) - -20/+20 В; пороговое затвор-исток - 2,1 В
Чувствительность: к влажности MSL1
Сопротивление: сток - исток - 190 м Ом
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Описание: Cool MOS Power Transistor
Заряд: затвора - 87 нКл
Способ монтажа: Through Hole
Назначение: управление силовыми цепями
Упаковка: TUBE
IRF3808PBF
Infineon Technologies
Транзисторы разные

IRF3808PBF

218 руб
В наличии: 188 шт. Максимальный ток: Id - максимальный продолжительный, непрерывный ток стока - 140 A
Корпус: TO-220-3
Мощность: рассеиваемая (Pd) - 330 Вт
Тип: МОП - Транзистор, кремниевый , 1 N-канал
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) - 2 В
Сопротивление: сток-исток открытого транзистора (Rds) - 7 м Ом
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Описание: 75V, 140A
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Заряд: затвора (Qg) - 150 нКл
Способ монтажа: Through Hole
Упаковка: TUBE, 50 шт.
Максимально допустимое напряжение: сток-исток (Vds max) - 75 В; затвор-исток (Vgs) ± 20 В
IR4427STRPBF
Infineon Technologies
Драйверы

IR4427STRPBF

202 руб
В наличии: 291 шт. Корпус: SOIC-8 (SMD)
Выходной ток: 1,5 А
Мощность: рассеиваемая (max) - 625 м Вт
Тип: Драйвер нижнего плеча для управления затвором MOSFET и IGBT
Напряжение: питания 6…20 В
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
Ток: источника питания(рабочий) - 100 uA
Описание: Low voltage high speed power IGBT, N-Channel MOSFET Gate Driver
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 2.00
Тип выхода: CMOS, LSTTL
Упаковка: REEL, 2500 шт.
Количество: каналов - 2
IKA10N60TXKSA1
Infineon Technologies
Транзисторы разные

IKA10N60TXKSA1

197 руб
В наличии: 9 шт. Ток утечки: затвор-эмиттер - 100 nA
Максимальный ток: коллектора (Iк max) - 11,7 А
Корпус: TO-220-3 Full Pack
Время: задержки включения/ выключения - 12/ 215 нс
Мощность: рассеиваемая (Pd) - 30 Вт
Тип: биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
Напряжение: насыщения коллектор-эмиттер - 1.5 V
Диапазон рабочих температур: -40…+175 °С
Описание: 600V, 11.7A, 30W IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor)
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Способ монтажа: Through Hole
Упаковка: TUBE, 50 шт.
Максимально допустимое напряжение: коллектор-эмиттер (VCEO) - 600 V; напряжение затвор-эмиттер - 20 V
IR2113STRPBF
Infineon Technologies
Драйверы

IR2113STRPBF

137 руб
В наличии: 600 шт. Корпус: SOIC-16 (SMD)
Выходной ток: 2,5 А
Мощность: рассеиваемая (max) - 1.25 Вт
Тип: Совмещёный драйвер верхнего и нижнего плеча для управления затвором MOSFET и IGBT
Напряжение: питания 10…20 В
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
Ток: источника питания(рабочий) - 340 uA
Описание: High voltage high speed power MOSFET and IGBT high and low-side Driver
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Тип выхода: CMOS, TTL
Упаковка: REEL, 1000 шт.
Количество: каналов - 2
IRF9540NPBF
Infineon Technologies
Транзисторы разные

IRF9540NPBF

89 руб
В наличии: 220 шт. Максимальный ток: Id - максимальный продолжительный, непрерывный ток стока - 23 A
Корпус: TO-220-3
Мощность: рассеиваемая (Pd) - 140 Вт
Тип: МОП - Транзистор, кремниевый , 1 P-канал
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) - 4 В
Сопротивление: сток-исток открытого транзистора (Rds) - 117 м Ом
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Описание: 100V, 23A P-Channel MOSFET
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Заряд: затвора (Qg) - 97 нКл
Способ монтажа: Through Hole
Упаковка: TUBE, 50 шт.
Максимально допустимое напряжение: сток-исток (Vds max) - 100 В; затвор-исток (Vgs) ± 20 В
IRF5210PBF
Infineon Technologies
Транзисторы разные

IRF5210PBF

86 руб
В наличии: 8 шт. Максимальный ток: Id - максимальный продолжительный, непрерывный ток стока - 40 A
Корпус: TO-220-3
Мощность: рассеиваемая (Pd) - 200 Вт
Тип: МОП - Транзистор, кремниевый , 1 P-канал
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) - 2 В
Сопротивление: сток-исток открытого транзистора (Rds) - 60 м Ом
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Описание: 100V, 40A
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Заряд: затвора (Qg) - 180 нКл
Способ монтажа: Through Hole
Упаковка: TUBE, 50 шт.
Максимально допустимое напряжение: сток-исток (Vds max) - 100 В; затвор-исток (Vgs) ± 20 В
IRF7306TRPBF
Infineon Technologies
Транзисторы разные

IRF7306TRPBF

78 руб
В наличии: 286 шт. Максимальный ток: Id - максимальный продолжительный, непрерывный ток стока - 3.6 A
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Мощность: рассеиваемая (Pd) - 2 Вт
Тип: МОП - Транзистор, кремниевый , 2 P-канала
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) - 1 В
Сопротивление: сток-исток открытого транзистора (Rds) - 100 м Ом
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Описание: 30V, 3.6A
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Заряд: затвора (Qg) - 25 нКл
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL, 4000 шт.
Максимально допустимое напряжение: сток-исток (Vds max) - 30 В; затвор-исток (Vgs) ± 20 В
IRF7309TRPBF
Infineon Technologies
Транзисторы разные

IRF7309TRPBF

75 руб
В наличии: 267 шт. Максимальный ток: Id - максимальный продолжительный, непрерывный ток стока - 4 A(N-Channel), 3 A(P-Channel)
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Мощность: рассеиваемая (Pd) - 1.4 Вт
Тип: МОП - Транзистор, кремниевый , P-канал и N-канал
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) - 1 В
Сопротивление: сток-исток открытого транзистора (Rds) - 50 мОм (N-канал);сток-исток открытого транзистора (Rds) - 100 мОм (P-канал)
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Описание: 30V, 3A P-Channel and 4A N-Channel MOSFET
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Заряд: затвора (Qg) - 25 нКл
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL, 4000 шт.
Максимально допустимое напряжение: сток-исток (Vds max) - 30 В; затвор-исток (Vgs) ± 20 В
IRF3710PBF
Infineon Technologies
Транзисторы разные

IRF3710PBF

48 руб
В наличии: 1 шт. Максимальный ток: Id - максимальный продолжительный, непрерывный ток стока - 57 A
Корпус: TO-220-3
Мощность: рассеиваемая (Pd) - 200 Вт
Тип: МОП - Транзистор, кремниевый , 1 N-канал
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) - 4 В
Сопротивление: сток-исток открытого транзистора (Rds) - 23 м Ом
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Описание: 100V, 57A
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Заряд: затвора (Qg) - 86,7 нКл
Способ монтажа: Through Hole
Упаковка: TUBE, 50 шт.
Максимально допустимое напряжение: сток-исток (Vds max) - 100 В; затвор-исток (Vgs) ± 20 В
IRF3205PBF
Infineon Technologies
Транзисторы разные

IRF3205PBF

46 руб
В наличии: 116 шт. Максимальный ток: Id - максимальный продолжительный, непрерывный ток стока - 110 A
Корпус: TO-220-3
Мощность: рассеиваемая (Pd) - 200 Вт
Тип: МОП - Транзистор, кремниевый , 1 N-канал
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) - 2 В
Сопротивление: сток-исток открытого транзистора (Rds) - 8 м Ом
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Описание: 55V, 110A
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Заряд: затвора (Qg) - 146 нКл
Способ монтажа: Through Hole
Упаковка: TUBE, 100 шт.
Максимально допустимое напряжение: сток-исток (Vds max) - 55 В; затвор-исток (Vgs) ± 20 В
IRFR120NTRPBF
Infineon Technologies
Транзисторы разные

IRFR120NTRPBF

37 руб
В наличии: 190 шт. Максимальный ток: Id - максимальный продолжительный, непрерывный ток стока - 9,4 A
Корпус: TO-252-3
Время: задержки включения/ выключения - 4.5/ 32 нс
Мощность: рассеиваемая (Pd) - 48 Вт
Тип: МОП - Транзистор, кремниевый , 1 N-канал
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 2 В
Сопротивление: сток-исток открытого транзистора (Rds) - 210 м Ом
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Описание: 100V, 9.4A N-Channel MOSFET
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Заряд: затвора (Qg) - 25 нКл
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL, 2000 шт.
Максимально допустимое напряжение: сток-исток (Vds max) - 100 В; затвор-исток (Vgs) ± 20 В
IRF530NPBF
Infineon Technologies
Транзисторы разные

IRF530NPBF

36 руб
В наличии: 76 шт. Максимальный ток: Id - максимальный продолжительный, непрерывный ток стока - 17 A
Корпус: TO-220-3
Мощность: рассеиваемая (Pd) - 70 Вт
Тип: МОП - Транзистор, кремниевый , 1 N-канал
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) - 4 В
Сопротивление: сток-исток открытого транзистора (Rds) - 90 м Ом
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Описание: 100V, 17A
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Заряд: затвора (Qg) - 37 нКл
Способ монтажа: Through Hole
Упаковка: TUBE, 100 шт.
Максимально допустимое напряжение: сток-исток (Vds max) - 100 В; затвор-исток (Vgs) ± 20 В
IRLR024NTRPBF
Infineon Technologies
Транзисторы разные

IRLR024NTRPBF

35 руб
В наличии: 24 шт. Максимальный ток: Id - максимальный продолжительный, непрерывный ток стока - 17 A
Корпус: TO-252-3
Время: задержки включения/ выключения - 7.1/ 20 нс
Мощность: рассеиваемая (Pd) - 45 Вт
Тип: МОП - Транзистор, кремниевый , 1 N-канал
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 1 В
Сопротивление: сток-исток открытого транзистора (Rds) - 65 м Ом
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Описание: 55V, 17A N-Channel MOSFET
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Заряд: затвора (Qg) - 15 нКл
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL, 2000 шт.
Максимально допустимое напряжение: сток-исток (Vds max) - 55 В; затвор-исток (Vgs) ± 16 В
IRFR9024NTRPBF
Infineon Technologies
Транзисторы разные

IRFR9024NTRPBF

25 руб
В наличии: 119 шт. Максимальный ток: Id - максимальный продолжительный, непрерывный ток стока - 11 A
Корпус: TO-252-3
Мощность: рассеиваемая (Pd) - 38 Вт
Тип: МОП - Транзистор, кремниевый , 1 P-канал
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 2 В
Сопротивление: сток-исток открытого транзистора (Rds) - 175 м Ом
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Описание: 55V, 11A P-Channel MOSFET
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Заряд: затвора (Qg) - 19 нКл
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL, 2000 шт.
Максимально допустимое напряжение: сток-исток (Vds max) - 55 В; затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Infineon Technologies
по
Заказать товары по телефону в Москве: +7 (495) 227-58-76, +7 (985) 938-92-13.
Наши менеджеры проконсультируют Вас и оперативно ответят на все вопросы.
Заказывайте товары на сайте RADIO-GURU.RU и получите индивидуальную скидку.

Купить электронные компоненты и радиодетали

Top