Микросхемы
Микросхема по своей сути является микроэлектронным устройством, изготовленным на полупроводниковой пластине или плёнке. Для упрощения их установки и защиты от возможных повреждений они помещаются в особые корпусы. Микросхемы значительно облегчают жизнь практически каждого человека в современном мире, поскольку именно благодаря им гигантское количество транзисторов можно закрепить на одном кристалле площадью в несколько квадратных сантиметров.
Компания «Радио-Гуру» предлагает вам широкий выбор самых разнообразных микросхем. В нашем ассортименте представлены микросхемы памяти, питания, отечественные версии и т.д. Все наши товары сертифицированы заводами-производителями и являются высококачественными комплектующими для большого количества устройств. Мы также обеспечиваем доставку в кратчайшие сроки, а если вы проживаете в пределах Москвы, вы лично можете забрать необходимую вам микросхему в нашем магазине.
Чтобы корректно направить нам заявку на приобретение электронных компонентов и других товаров, необходимо:
1) Указать ТИП ИЗДЕЛИЯ, НАИМЕНОВАНИЕ, БРЕНД, ГОД ВЫПУСКА ИЗДЕЛИЯ, ПРИЕМКА, КОЛИЧЕСТВОИ направить нам заявку на электронный почтовый адрес — Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
Рассмотрение заявок занимает как правило, 1-3 рабочих дня.
Вес: 0,15 г
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: soic-8(0.154 inch)
Выходной ток: на канал: 160 мА
Ток: собственного потребления: 0,21 мА
Тип: усилителя: общего применения
Напряжение: входного смещения: 1700 мк В
Напряжение питания: однополярное(+)/двуполярное (±): +2.7…5.5, ±1.35…2.75 В
Частота: единичного усиления: 1 М Гц
Скорость: нарастания выходного напряжения: 1 В/мкс
Тип выхода: Rail-to-Rail
Количество: каналов: 2
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: SOT236
Выходной ток: макс.: 600 мА
Ток: собственного потребления: 28 мк А
Примечание: Switching Regulator, Current-mode, 0.6A, 2100kHz Switching Freq-Max, PDSO6
Входное напряжение: 4…60 В
Выходное напряжение: 0,8…55 В
Частота: преобразования: 0,7…2,1 М Гц
Количество выходов: 1
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: 8-SOIC
Входное напряжение: 2,2…5,5 В
Тип монтажа: Поверхностный
Количество выходов: 1
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: SC-70-5
Выходной ток: на канал: 160 мА
Ток: входного смещения: 15 н А
Тип: усилителя: General Purpose
Напряжение: входного смещения: 1700 мк В
Выходное напряжение: Single/Dual (±): 2.7 V ~ 5.5 V, ±1.35 V ~ 2.75 V
Скорость: нарастания выходного напряжения: 1 В/мкс
Тип выхода: Rail-to-Rail
Количество: каналов: 1
Тип монтажа: Поверхностный
Полоса пропускания: 1 М Гц
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: SC-70-5
Выходной ток: на канал: 160 мА
Ток: входного смещения: 15 н А
Напряжение: входного смещения: 1700 мк В
Выходное напряжение: Single/Dual (±): 2.7 V ~ 5.5 V, ±1.35 V ~ 2.75 V
Скорость: нарастания выходного напряжения: 1 В/мкс
Тип выхода: Rail-to-Rail
Количество: каналов: 1
Тип монтажа: Поверхностный
Полоса пропускания: 1 М Гц
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: SOIC8
Ток: собственного потребления: 20 мк А
Напряжение питания: 3…15,5 В
Частота: единичного усиления: 50 Гц
Скорость: нарастания выходного сигнала: 0,015 В/мкс
Количество: каналов: 2
Рабочая температура: -40…+150 °С
Корпус: HTSSOP-20
Выходной ток: макс.: 20 А
Ток: собственного потребления: 4,6 мА
Примечание: Switching Controller, Current-mode, 20A, 1000kHz Switching Freq-Max, PDSO20
Входное напряжение: 6…100 В
Выходное напряжение: 1,22…80 В
Частота: преобразования: 0,05…1 М Гц
Количество выходов: 1
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: HTSSOP-28
Выходной ток: макс.: 20 А
Ток: собственного потребления: 1,65 мА
Примечание: Switching Regulator, Current-mode, 20A, 600kHz Switching Freq-Max, PDSO28
Входное напряжение: 3,5…42 В
Выходное напряжение: 0,8…55 В
Частота: преобразования: 100…600 Гц
Количество выходов: 1
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: MSOP10
Выходной ток: макс.: 10 А
Ток: собственного потребления: 3,5 мА
Примечание: Switching Controller, Current-mode, 0.1A, 2200kHz Switching Freq-Max, PDSO10
Входное напряжение: 6…60 В
Выходное напряжение: 1,3…300 В
Частота: преобразования: 0,17…2,2 М Гц
Количество выходов: 1
Вес: 0,25 г
Рабочая температура: 0…+70 °С
Корпус: soic-14(0.154 inch)
Выходной ток: на канал: 40 мА
Ток: собственного потребления: 1,4 мА
Тип: усилителя: общего применения
Напряжение: смещения на входе: 3000 мк В
Характеристика: Токовое смещение на входе: 20 н А
Напряжение питания: однополярное(+)/двуполярное (±): +3…32, ±1.5…16 В
Частота: единичного усиления: 1,2 М Гц
Скорость: нарастания выходного сигнала: 0,5 В/мкс
Количество: каналов: 4
Вес: 1,9 г
Рабочая температура: 0…+70 °С
Корпус: dip-14(0.300 inch)
Выходной ток: на канал: 40 мА
Ток: собственного потребления: 1,4 мА
Тип: усилителя: общего применения
Напряжение: смещения на входе: 3000 мк В
Характеристика: Токовое смещение на входе: 20 н А
Напряжение питания: однополярное(+)/двуполярное (±): +3…32, ±1.5…16 В
Частота: единичного усиления: 1,2 М Гц
Скорость: нарастания выходного сигнала: 0,5 В/мкс
Количество: каналов: 4
Вес: 0,08 г
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: SOT-23
Выходной ток: 2,25 А
Входное напряжение: 2,7…5,5 В
Выходное напряжение: 3…24 В
Частота: переключений: 1600 Гц
Тип выхода: Регулируемый
Тип монтажа: Surface Mount
Количество выходов: 1
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: SOIC8
Выходной ток: 10 А
Ток: собственного потребления: 2,7 мА
Примечание: Switching Controller, Current-mode, 1A, 1000kHz Switching Freq-Max, PDSO8
Входное напряжение: 2,97…40 В
Выходное напряжение: 1,5…500 В
Частота: преобразования: 0,1…1 М Гц
Количество выходов: 1
Вес: 0,08 г
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: sot23-5
Выходной ток: макс.: 1,8 А
Тип: преобразователя: step-up
Рабочая частота: 1600 Гц
Входное напряжение: 2,7…14 В
Выходное напряжение: 5…22 В
Вес: 0,15 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Выходной ток: 200 мА
Ток: источника питания: 4 мА
Входное напряжение: 1,5…5,5 В
Выходное напряжение: 1,5…5,5 В
Частота: переключений: 150 Гц
Тип монтажа: SMD/SMT
Вес: 0,08 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: VSSOP8
Выходной ток: 1 А
Входное напряжение: 1,2…14 В
Выходное напряжение: 1,24…14 В
Частота: генерации: 300…2000 Гц
Количество выходов: 1
Рабочая температура: -40…+125 °С
Выходной ток: 3 А
Ток: источника питания: 5 мА
Входное напряжение: 4,5…40 В
Выходное напряжение: 3,3 В
Частота: переключений: 173 Гц
Тип монтажа: SMD/SMT
Количество выходов: 1
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: HTSSOP-20
Выходной ток: макс.: 10 А
Ток: собственного потребления: 4,5 мА
Примечание: Switching Controller, Current-mode, 10A, 500kHz Switching Freq-Max, PDSO20
Входное напряжение: 3…42 В
Выходное напряжение: 1,23…38 В
Частота: преобразования: 50…500 Гц
Количество выходов: 1
Вес: 0,1 г
Корпус: sot23-6
Выходной ток: макс.: 0,04 А
Тип: преобразователя: switched capacitor, inverting
Рабочая частота: 80 Гц
Входное напряжение: 1,8…5,5 В
Выходное напряжение: -1,8…-5,5 В
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: TO2636
Выходной ток: макс.: 1 А
Ток: собственного потребления: 10 мА
Примечание: Switching Regulator, Voltage-mode, 1A, 63kHz Switching Freq-Max, PSSO5
Входное напряжение: 4…40 В
Выходное напряжение: 3,3…37 В
Частота: преобразования: 42…63 Гц
Количество выходов: 1
Вес: 1,9 г
Рабочая температура: -25…+85 °С
Корпус: dip-14(0.300 inch)
Выходной ток: на канал: 40 мА
Ток: собственного потребления: 1,4 мА
Тип: усилителя: общего применения
Напряжение: смещения на входе: 3000 мк В
Характеристика: Токовое смещение на входе: 20 н А
Напряжение питания: однополярное(+)/двуполярное (±): +3…32, ±1.5…16 В
Частота: единичного усиления: 1,2 М Гц
Скорость: нарастания выходного сигнала: 0,5 В/мкс
Количество: каналов: 4
Рабочая температура: -55…+125 °С
Корпус: SOIC14
Ток: собственного потребления: 175 мк А
Напряжение питания: 16…32 В
Частота: единичного усиления: 1,2 М Гц
Скорость: нарастания выходного сигнала: 0,5 В/мкс
Количество: каналов: 4
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: SOIC16
Потребляемый ток: 15 мА
Вес: 0,075 г
Рабочая температура: -40…+125 °С
Количество выводов: 6
Напряжение питания: 2,7…26 В
Входное напряжение: смещения: 5 мк В
Коэффициент: подавления синфазного сигнала: 120 дБ
Количество: усилителей: 1
Полоса пропускания: 80 Гц
Входной ток: смещения: 28 мк А
Ширина: полосы сигнала: 350 Гц
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: SOT235
Ток: собственного потребления: 300 мк А
Напряжение питания: 2,7…5,5 В
Коэффициент: ослабления синфазного сигнала минимальный: 84 дБ
Коэффициент усиления: по напряжению: 0…200 В/ В
Длина: 367 мм
Ширина: 367 мм
Глубина: 35 мм
Вес: 0,25 г
Максимальный ток: на входе: 303 мА
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: SOIC
Количество контактов: 8
Количество: каналов: 2
Тип монтажа: Поверхностный монтаж
Скорость передачи данных: 1 Мбит/с
Напряжение изоляции: 2500 В
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: SOIC8
Примечание: Interface Circuit, CMOS, PDSO8
Напряжение питания: 3,3…5 В
Количество: приёмников: 1
Скорость передачи данных: 5 Mbps
Напряжение изоляции: 2500 В
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: SOIC8
Примечание: Interface Circuit, CMOS, PDSO8
Напряжение питания: 3,3…5 В
Количество: приёмников: 0
Скорость передачи данных: 1 Mbps
Напряжение изоляции: 2500 В
Вес: 0,9 г
Рабочая температура: 0…+125 °С
Корпус: VQFN-20 EP(3.5x3.5)
Выходной ток: 4 А
Тип: Контроллер заряда аккумулятора
Напряжение питания: 4.5…24 В
Выходное напряжение: 1.024…19.2 В
Количество: ячеек: 1…4
Ширина: полосы сигнала: 350 Гц
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: SOT235
Ток: собственного потребления типовой: 300 мк А
Напряжение питания: 2,7…5,5 В
Коэффициент: ослабления синфазного сигнала минимальный: 84 дБ
Коэффициент усиления: по напряжению: 0…200 В
Вес: 1 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: dip-8(0.300 inch)
Тип: памяти: flash
Напряжение питания: 2,7…5,5 В
Частота: тактовая: 20 М Гц
Интерфейс: usi
Объем: RAM: 256x8
Количество: входов/выходов: 6
Ядро: avr
Шаг/дискретность: шины данных: 8-бит
Ширина: шины данных: 8-бит
Вес: 4 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: dip-28(0.300 inch)
Тип: памяти: flash
Напряжение питания: 4…5,5 В
Частота: тактовая: 20 М Гц
Интерфейс: i2c, spi, uart
Объем: RAM: 368x8
Количество: входов/выходов: 24
Ядро: pic
Вес: 1,7 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-28(0.295 inch)
Тип: памяти: flash
Напряжение питания: 4…5,5 В
Частота: тактовая: 20 М Гц
Интерфейс: i2c, spi, uart
Объем: RAM: 192x8
Количество: входов/выходов: 22
Ядро: pic
Шаг/дискретность: шины данных: 8-бит
Ширина: шины данных: 8-бит
Вес: 11 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: dip-40(0.600 inch)
Тип: памяти: flash
Напряжение питания: 4…5,5 В
Частота: тактовая: 20 М Гц
Интерфейс: i2c, spi, uart
Объем: RAM: 368x8
Количество: входов/выходов: 33
Ядро: pic
Вес: 2,5 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: dip-20(0.300 inch)
Тип: памяти: flash
Напряжение питания: 1,8…5,5 В
Частота: тактовая: 20 М Гц
Интерфейс: i2c, spi, uart
Объем: RAM: 128x8
Количество: входов/выходов: 18
Ядро: avr
Шаг/дискретность: шины данных: 8-бит
Вес: 1 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: dip-8(0.300 inch)
Тип: памяти: flash
Напряжение питания: 2…5,5 В
Частота: тактовая: 20 М Гц
Объем: RAM: 64x8
Количество: входов/выходов: 5
Ядро: pic
Шаг/дискретность: шины данных: 8-бит
Вес: 1,9 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: dip-14(0.300 inch)
Тип: памяти: flash
Напряжение питания: 2…5,5 В
Частота: тактовая: 20 М Гц
Объем: RAM: 64x8
Количество: входов/выходов: 12
Ядро: pic
Шаг/дискретность: шины данных: 8-бит
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: Микроконтроллер 8 бит серии PIC12F
Напряжение питания: 2,3…5,5 (max) В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Упаковка: TUBE, 100 шт.
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Вес: 0,15 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(0.154 inch)
Тип: памяти: flash
Напряжение питания: 1,8…5,5 В
Частота: тактовая: 32 М Гц
Интерфейс: I2C, LIN, SPI, UART
Объем: RAM: 128x8
Количество: входов/выходов: 6
Ядро: pic
Шаг/дискретность: шины данных: 8-бит
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(3.9мм)
Тип: памяти: eeprom
Напряжение питания: 1,7…5,6 В
Частота: тактовая (max): 1 М Гц
Интерфейс: i2c, 2-wire serial
Объем: памяти: 64 kбит(8k x 8)
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: SOIC
Количество выводов: 8
Тип: 4Kbit Serial Microwire EEPROMs
Размер: памяти: 4 Кбит
Напряжение питания: 1,7…5,5 В
Частота: тактовая (max): 2 М Гц
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: SO8150
Напряжение питания: 1,7…5,5 В
Интерфейс: I2C
Объем: памяти: 4 кбит
Вес: 1,2 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-18(0.295 inch)
Тип: памяти: flash
Напряжение питания: 1,8…5,5 В
Частота: тактовая: 32 М Гц
Интерфейс: i2c, spi, uart
Объем: RAM: 384x8
Количество: входов/выходов: 16
Ядро: pic
Шаг/дискретность: шины данных: 8-бит
Вес: 0,6 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(3.9мм)
Тип: памяти: eeprom
Напряжение питания: 1,7…5,5 В
Частота: тактовая (max): 1 М Гц
Интерфейс: i2c, 2-wire serial
Объем: памяти: 256 kбит(32k x 8)
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/с последовательной памяти ферроэлектрическая серии FM25V
Напряжение питания: 2…3,6 В
Частота: 40 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 512Kит (64KX8) 2.0-3.6V F-RAM Serial (SPI) F-RAM
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: SPI
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: 512Kит (64KX8) 2.0-3.6V F-RAM
Ширина: шины данных: 16 bit
Вес: 0,726 г
Рабочая температура: -40…+95 °С
Тип: DRAM
Размер: памяти: 2 Gbit
Напряжение питания: 1,7…1,9 В
Частота: тактовая (max): 400 М Гц
Тип монтажа: SMD/SMT
Категория: DRAM
Ширина: шины данных: 16 bit
Рабочая температура: 0…+85 °С
Тип: DRAM
Размер: памяти: 2 Gbit
Напряжение питания: 1,7…1,9 В
Частота: тактовая (max): 800 М Гц
Тип монтажа: SMD/SMT
Категория: DRAM
Рабочая температура: -40…+85 °С
Время: доступа: 5,4 нс
Размер: памяти: 256 Mbit
Напряжение питания: 3…3,6 В
Частота: тактовая (max): 167 М Гц
Тип монтажа: SMD/SMT
Категория: DRAM
Вес: 0,15 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(3.9мм)
Тип: памяти: FRAM
Напряжение питания: 2.7…3.65 В
Частота: тактовая макс.: 1 М Гц
Интерфейс: i2c, 2-wire serial
Объем: памяти: 64 kбит(8k x 8)
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(0.154, 3.90мм)
Тип: памяти: FRAM
Напряжение питания: 4.5…5.5 В
Частота: тактовая макс.: 1 М Гц
Интерфейс: i2c, 2-wire serial
Объем: памяти: 4 kбит(512x8)
Рабочая температура: -40…+105 °С
Корпус: SOP-8 (SMD)
Выходной ток: 70 мА
Время: задержки распространения - 74 нс
Мощность: рассеиваемая - 200 м Вт
Тип: развязки - Capacitive Coupling (емкостная)
Характеристика: (max) время нарастания/ спада импульса - 50 нс
Напряжение питания: 3,3…5 (max) В
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 4
Потребляемый ток: 52 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL, 350 шт.
Количество: каналов: прямой - 1; обратный - 1
Скорость передачи данных: 1 Мбит/с
Поддержка: протокол CAN
Напряжение изоляции: 2,5 кВ (rms)
Рабочая температура: -40…+105 °С
Корпус: SOIC16
Примечание: IC DIG ISOLATOR W/DC-DC 16SOIC
Напряжение питания: 3,3…5 В
Скорость: передачи данных: 1 Mbps
Количество: приемников: 1
Напряжение изоляции: 2500 В
Рабочая температура: -40…+105 °С
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Время: задержки распространения - 200 нс
Тип: Приемопередатчик полудуплекс с защитой от сбоев серии SN65HVD1785
Напряжение: вход/выход - 7…12/ 2,75 В
Напряжение питания: 4,5…5,5 В
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Потребляемый ток: 6 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Интерфейс: RS-485; RS-422
Упаковка: REEL, 2500 шт.
Количество: каналов - 1 (1 драйвер/ 1 приемник)
Скорость передачи данных: 0,115 Мбит/ c
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: Измерительный (инструментальный) усилитель серии AD8221
Отклонение: коэф. усиления от идеального значения 0,002 %
Характеристика: (GBP) - коэффициент усиления х ширина полосы пропускания (fT) - 800 Гц
Напряжение питания: двуполярное ± 15 В
Входное напряжение: смещения нуля (Vos) - 125 мк В
Входное сопротивление: (max) - 10 Г Ом
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Коэффициент: подавления синфазного сигнала (CMRR) - 107 дБ
Потребляемый ток: 350 мк А
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL, 2500 шт.
Количество: каналов - 1
Коэффициент усиления: 80 дБ
Входной ток: смещения (Ib) - 5 н А
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: TO-263-5
Конфигурация: Buck; кол-во выходов - 1
Тип: Стабилизатор понижающий импульсный DC-DC серии LM2596
Входное напряжение: 4,5…40 (max) В
Выходное напряжение: 5 В
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL, 500 шт.
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Время: задержки распространения - 200; 2000 нс
Мощность: рассеиваемая (Pd) - 905 м Вт
Тип: Приемопередатчик полудуплекс с защитой от сбоев серии SN65HVD1780
Напряжение: вход/выход - 7…12/ 2,75 В
Напряжение питания: 3,15…5,5 В
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Потребляемый ток: 6 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Интерфейс: RS-485
Упаковка: REEL, 2500 шт.
Количество: каналов - 1 (1 драйвер/ 1 приемник)
Скорость передачи данных: 0,115 Мбит/ c
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Время: задержки распространения - 200 нс
Мощность: рассеиваемая (Pd) - 905 м Вт
Тип: Приемопередатчик полудуплекс с защитой от сбоев серии SN65HVD1781
Напряжение: вход/выход - 7…12/ 2,75 В
Напряжение питания: 3,15…5,5 В
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Потребляемый ток: 6 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Интерфейс: RS-485
Упаковка: REEL, 2500 шт.
Количество: каналов - 1 (1 драйвер/ 1 приемник)
Скорость передачи данных: 1 Мбит/ c
Корпус: SOIC-14 (SMD)
Выходной ток: на канал - 30 мА
Тип: Прецизионный операционный усилитель серии AD8604
Характеристика: (en) - интенсивность шума входного напряжения: 33 nV/sqrt Hz
Напряжение питания: 2,7…6 (max) В
Входное напряжение: смещения нуля (Vos) - 80 мк В
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Коэффициент: подавления: - синфазного сигнала (CMRR)/ помех по питанию (PSRR) - 83/ 72 дБ
Усиление: по напряжению - 98,06 дБ
Скорость: SR - скорость нарастания выходного напряжения: 6 В/ мкс
Потребляемый ток: 750 мк А
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL, 1000 шт.
Количество: каналов - 4; тип выхода - Rail-to-Rail
Входной ток: смещения (Ib) - 0,2 пА (max)
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: выхода - 3 состояния (3-State)
Напряжение питания: 3,3 В
Диапазон рабочих температур: -40 …+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Потребляемый ток: 2,2 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Интерфейс: RS-422; RS-485
Упаковка: REEL, 1000 шт.
Количество: каналов - 1 (1 драйвер)
Скорость передачи данных: 12 Mбит/ c
Защита: от электростатических разрядов (ESD до ±15 кВ)
Корпус: TSSOP-16 (SMD)
Тип: входа/ выхода - однотактный (Single-Ended )
Напряжение питания: 3…5,5 (max) В
Диапазон рабочих температур: -40 …+85 °С
Описание: Low Power, 3.3 V, RS-232 Line Drivers/Receivers
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Потребляемый ток: 3 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Интерфейс: RS-232
Упаковка: REEL, 1000 шт.
Количество: каналов - 2 (2 драйвера)
Скорость передачи данных: 460 кбит/ c
Защита: от электростатических разрядов (ESD до ±15 кВ)
Высота: 1,8 max мм
Ширина: ~6,5 мм
Максимальный ток: 800 мА
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: SOT-223-4
Тип: Стабилизатор напряжения серии LM1117
Отклонение: нестабильность выходного напряжения ± 1 м В
Характеристика: падение напряжения при Iнаг.: 100 мА - 1,3 В; 500 мА - 1.35 В; 800 мА - 1,4 В
Входное напряжение: 15 (max) В
Выходное напряжение: 3,3 , полярность - положительная В
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Потребляемый ток: 5 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Точность: регулирования напряжения - 1 %
Упаковка: REEL, 2000 шт.
Нестабильность: выходного напряжения или тока - 0,04; выходной нагрузки - 0,2 %
Входной ток: смещения (Ib) - 5 мА
Ток покоя, не более: 5 мА
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: TO-263-5 (SMD)
Выходной ток: (max) - 3 А
Конфигурация: Inverting, Step Down
Тип: Стабилизатор понижающий импульсный DC-DC серии LM2576
Входное напряжение: 4…40 (max) В
Выходное напряжение: 5 В
Частота: переключений - 52 Гц
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL, 500 шт.
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: Широкополосный операционный аудио усилитель серии OPA2134
Характеристика: суммарные нелинейные искажения + шум - 0,00015 %/ В
Напряжение питания: двуполярное ± 2,5…18 (Utyp= ± 3; 5; 9) В
Входное напряжение: смещения нуля (Vos) - 2,0 м В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Коэффициент: подавления: синфазного сигнала (CMRR) - 86…100; помех по питанию - 90 дБ
Скорость: SR - скорость нарастания выходного напряжения: 20 В/ мкс
Потребляемый ток: 4 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL, 2500 шт.
Коэффициент усиления: 120 дБ
Полоса пропускания: 8 М Гц
Входной ток: (Ib) - входной ток смещения - 100 п А
Вход: 2-х канальный FET типа
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Выходной ток: на канал - 10 мА
Тип: Прецизионный операционный усилитель серии OP2177
Характеристика: (In) - плотность тока шума на входе - 2 нA
Напряжение питания: двуполярное ± 2,5…± 15 В
Входное напряжение: смещения нуля (Vos) - 25 мк В
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Коэффициент: подавления: - синфазного сигнала (CMRR) - 118/ помех по питанию (PSRR) - 120 дБ
Усиление: по напряжению - 122,02 дБ; Кус. V/V - 2000 В/ м В
Скорость: SR - скорость нарастания выходного напряжения: 0.7 В/ мкс
Потребляемый ток: 500 мк А
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL, 1000 шт.
Количество: каналов - 2
Входной ток: смещения (Ib) - 2 нА; разбаланса - 1 н А
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Время: задержки распространения - 10 нс
Мощность: рассеиваемая - 450 м Вт
Тип: выхода - 3 состояния (3-State)
Напряжение: вход/ выход - 5/ 2 В
Напряжение питания: 5 В
Диапазон рабочих температур: -40 …+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Потребляемый ток: 1 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Интерфейс: RS-485
Упаковка: REEL, 2500 шт.
Количество: каналов - 1 (1 драйвер)
Скорость передачи данных: 5 Мбит/ c
Защита: от электростатических разрядов (ESD до ±15 кВ)
Корпус: SOIC-16 (SMD)
Тип: входа/ выхода - однотактный (Single-Ended )
Напряжение питания: 3…5,5 (max) В
Диапазон рабочих температур: -40 …+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Потребляемый ток: 3 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Интерфейс: RS-232
Упаковка: REEL, 1000 шт.
Количество: каналов - 2 (2 драйвера)
Скорость передачи данных: 460 кбит/ c
Защита: от электростатических разрядов (ESD до ±15 кВ)
Корпус: SOIC-14 (SMD)
Выходной ток: на канал - 30 мА
Мощность: рассеиваемая - 0,9 Вт
Тип: входа/ выхода - Rail-to-Rail
Характеристика: (en) - интенсивность шума входного напряжения - 42 nV/ sqrt(H)
Напряжение питания: 2,7…5,5 (max) В
Входное напряжение: смещения нуля (Vos) - 1 м В
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Коэффициент: подавления: - синфазного сигнала (CMRR)/ помех по питанию (PSRR) - 45/ 76 дБ
Усиление: по напряжению - 120 дБ
Скорость: нарастания выходного напряжения (SR) - 0,92 В/ мкс
Потребляемый ток: 260 мк А
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL, 1000 шт.
Входной ток: смещения (Ib) - 60 п А
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: TO-263-5 (SMD)
Выходной ток: 3 А
Конфигурация: Buck; кол-во выходов - 1
Тип: Стабилизатор понижающий импульсный DC-DC серии LM2596
Входное напряжение: 4,5…40 (max) В
Выходное напряжение: регулируемое - 1,2…37 В
Частота: преобразователя - 127…173 Гц
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL, 500 шт.
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Выходной ток: на канал - 15 мА
Тип: Двухканальный прецизионный операционный усилитель серии AD822A
Характеристика: (en) - интенсивность шума входного напряжения - 25 nV/ sqrt(H)
Напряжение питания: однополюсное - 5…30 (max); двухполюсное - ± 2,5…15 В
Входное напряжение: смещения нуля (Vos) - 100 мк В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Коэффициент: подавления: синфазного сигнала (CMRR)/ помех по питанию (PSRR) - 80 дБ %
Усиление: по напряжению - 120 дБ
Скорость: нарастания выходного напряжения (SR) - 3 В/ мкс
Потребляемый ток: 1,3 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL, 750 шт.
Количество: каналов - 2; тип выхода - Rail-to-Rail
Входной ток: смещения (Ib) - 25 пА (max)
Максимальный ток: 3 А
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: TO-220-5
Конфигурация: Inverting, Step Down
Тип: Стабилизатор понижающий импульсный DC-DC серии LM2576
Входное напряжение: 4…60 (max) В
Выходное напряжение: 1,23…57 В
Частота: переключений - 52 Гц
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Способ монтажа: крепеж через отверстие на охладитель
Упаковка: TUBE, 45 шт.
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: TO-263-5 (SMD)
Выходной ток: (max) - 3 А
Конфигурация: Buck; кол-во выходов - 1
Тип: Стабилизатор понижающий импульсный DC-DC серии LM2576
Входное напряжение: 4…40 (max) В
Выходное напряжение: регулируемое - 1,23…37 В
Частота: переключений - 52 Гц
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL, 500 шт.
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: SOT-23-5
Выходной ток: 150 мА
Входное напряжение: 16 В
Выходное напряжение: 1,235…15,65 В
Описание: Linear Voltage Regulator IC Positive Adjustable 1 Output Adjustable 150mA SOT-23-5
Тип выхода: Adjustable
Количество: регуляторов: 1
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: SOT-23-5
Выходной ток: 150 мА
Входное напряжение: 16 В
Выходное напряжение: 5 В
Описание: Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed 1 Output 5V 150mA SOT-23-5
Тип выхода: Fixed
Количество: регуляторов: 1
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: sot-23
Выходной ток: 500 мА
Количество выводов: 5
Входное напряжение: 2,5…16 В
Тип выхода: фиксированный
Падение напряжения: 340 м В
Вес: 0,85 г
Максимальный ток: нагрузки: 0,8 А
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: SOT-223
Максимальное напряжение: входное: 20 В
Выходное напряжение: 3,3 В
Тип выхода: фиксированный
Полярность: положительная
Падение напряжения: при Iвых: 1,3 (0,8) В А
Количество выходов: 1
Рабочая температура: -55…+125 °С
Корпус: SOT-23-3
Выходной ток: 150 мА
Ток: катод: 1 мА
Выходное напряжение: 2,5…36 В
Коэффициент: температурный: 30ppm/°C
Количество: каналов: 1
Тип монтажа: Поверхностный
Вес: 0,15 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: ESOP-8
Выходной ток: (max): 1 А
Тип: USB контроллер заряда аккумулятора
Напряжение питания: 4…8 В
Выходное напряжение: 4,2 В
Количество: ячеек: 1
Корпус: TSSOP-16 (SMD)
Тип: Мультиплексор/ демультиплексор аналоговый
Напряжение питания: 3 … 20 В
Диапазон рабочих температур: -55 …+125 °С
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F205
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Диапазон рабочих температур, °C: -40…+85
Память: программная (Flash) - 1024 кБ; ОЗУ (SRAM) - 256 кБ
Частота М: 120 Гц
Вес: 4 г
Рабочая температура: -10…+70 °С
Корпус: 2140.20-1
Ток: потребления: не более 160 мА
Напряжение питания: 5 ±10% В
Корпус: LQFP-100
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F303 ARM® Cortex®-M4
Характеристика: MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 120 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S, SDIO
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M4
Память: программная (Flash) - 256 кБ; ОЗУ (SRAM) - 48 кБ
Корпус: LQFP-64
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F303 ARM® Cortex®-M4
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 120 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S, SDIO
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M4
Память: программная (Flash) - 512 кБ; ОЗУ (SRAM) - 64 кБ
Корпус: LQFP-64
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F303 ARM® Cortex®-M4
Характеристика: MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 120 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S, SDIO
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M4
Память: программная (Flash) - 256 кБ; ОЗУ (SRAM) - 48 кБ
Корпус: LQFP-100
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F107 ARM® Cortex®-M3
Характеристика: MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 120 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S, SDIO
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 1024 кБ; ОЗУ (SRAM) - 256 кБ
Корпус: LQFP-100
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F107 ARM® Cortex®-M3
Характеристика: MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 256 кБ; ОЗУ (SRAM) - 96 кБ
Корпус: LQFP-64
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F105 ARM® Cortex®-M3
Характеристика: MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 128 кБ; ОЗУ (SRAM) - 64 кБ
Корпус: QFN-36
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F103 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 128 кБ; ОЗУ (SRAM) - 20 кБ
Корпус: LQFP-48
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F103 ARM® Cortex®-M3
Характеристика: MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 64 кБ; ОЗУ (SRAM) - 20 кБ
Корпус: LQFP-100
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F207 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 120 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S, SDIO
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 256 кБ; ОЗУ (SRAM) - 128 кБ
Корпус: LQFP-64
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F103 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 128 кБ; ОЗУ (SRAM) - 20 кБ
Корпус: LQFP-64
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F205 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 120 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S, SDIO
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 256 кБ; ОЗУ (SRAM) - 128 кБ
Корпус: LQFP-64
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F107 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 256 кБ; ОЗУ (SRAM) - 96 кБ
Корпус: LQFP-100
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F103 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 128 кБ; ОЗУ (SRAM) - 20 кБ
Корпус: LQFP-64
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F103 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S, SDIO
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 1024 кБ; ОЗУ (RAM) - 96 кБ
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: Микроконтроллер 8 бит серии ATtiny13A
Характеристика: MSL(Уровень чувствительности к влажности): 2
Напряжение питания: 1,8…5,5 (max) В
Частота: тактовая (max) - 20 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 8-bit Microcontroller with 1K Bytes In-System Programmable Flash
Разрешение: АЦП - 10 бит
Интерфейс: SPI
Количество: вх./ вых. - 6 IO; каналов АЦП - 4; таймеров - 1
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: AVR, серия процессора - tinyAVR
Память: программная (Flash) - 1 кБ; ПЗУ (EPPROM) - 64 Б; ОЗУ (SRAM) - 64 Б
Корпус: LQFP-64
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F405 ARM® Cortex®-M4
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 168 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: I2C, SPI, USART, UART, CAN, USB, I2S, SDIO
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M4
Память: программная (Flash) - 1024 кБ; ОЗУ (SRAM) - 192 кБ
Корпус: LQFP-100
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F205 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 120 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S, SDIO
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 512 кБ; ОЗУ (SRAM) - 128 кБ
Корпус: LQFP-100
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F103 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S, SDIO
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 512 кБ; ОЗУ (SRAM) - 64 кБ
Корпус: LQFP-64
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F103 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S, SDIO
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 256кБ; ОЗУ (SRAM) - 48 кБ
Корпус: LQFP-64
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F105 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 256 кБ; ОЗУ (SRAM) - 96 кБ
Корпус: LQFP-100
Тип: GD32F105 Микроконтроллер 32 бит серии ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 256 кБ; ОЗУ (SRAM) - 96 кБ
Корпус: LQFP-100
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F103 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S, SDIO
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 256 кБ; ОЗУ (SRAM) - 48 кБ
Корпус: LQFP-64
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F103 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S, SDIO
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 512 кБ; ОЗУ (SRAM) - 64 кБ
Корпус: LQFP-48
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F103 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 128 кБ; ОЗУ (SRAM) - 20 кБ
Корпус: LQFP-48
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F303 ARM® Cortex®-M4
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 120 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S, SDIO
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M4
Память: программная (Flash) - 256 кБ; ОЗУ (SRAM) - 48 кБ
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: Трансивер дифференциальный (полудуплекс)
Напряжение питания: 4,75…5,25 max (Uпит.=5) В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Потребляемый ток: 250 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Интерфейс: RS-422/ RS-485
Количество: драйвер - 1; ресивер - 1
Скорость передачи данных: 10 Мбит/ c
Максимальный ток: 100 мА
Корпус: SOT-89-3(SMD)
Тип: Линейный регулятор напряжения
Характеристика: подавление пульсаций питания - 49 (typ) дБ
Входное напряжение: 7…30 (max) В
Выходное напряжение: 5,0 (полярность - положительная) В
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: TUBE, 100 шт.
Корпус: LQFP-32 (SMD)
Тип: Микроконтроллер 8 бит серии C8051F41x
Характеристика: MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Напряжение питания: 2…5.25 (max) В
Частота: тактовая (max) - 50 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 8-bit Microcontrollers - MCU 8051 50 MHz 32 kB 8-bit MCU
Интерфейс: SMBus (2-Wire/I2C), SPI, UART/USART
Количество: АЦП 24x12b/ЦАП 2x12b
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: 8051
Память: программная (Flash) 32кБ, Объём оперативной памяти(RAM) 2.3 кБ
Вес: не более 1,5 г
Корпус: 2103.16-6
Ток: потребления: 34…56 мА
Напряжение питания: 12±1,2 В
Вес: не более 2,5 г
Рабочая температура: -45…+70 °С
Корпус: КТ-28-2
Выходной ток: 1,5 А
Входное напряжение: 35 В
Выходное напряжение: 9 ±0,27 В
Нестабильность: по напряжению: 0,05 %/ В
Корпус: SOIC-8 Wide (SMD)
Тип: Флеш-память NOR
Напряжение питания: 1,7 … 3,6 В
Частота: 85 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: FLASH Memory IC 64Mb (264 Bytes x 32K pages) SPI 85 MHz SOIC-8 (Wide)
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL, 2000 шт.
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: Flash 64Mb (264 Bytes x 32K pages)
Корпус: SOIC-8 Wide (SMD)
Тип: Флеш-память NOR
Напряжение питания: 2,5…3,6 В
Частота: 70 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: FLASH Memory IC 16Mb (528 Bytes x 4096 pages) SPI 85 MHz SOIC-8(Wide)
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL, 2000 шт.
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: Flash 16Mb (528 Bytes x 4096 pages)
Корпус: SOIC-8 Narrow (SMD)
Тип: Флеш-память NOR
Напряжение питания: 1,65 … 3,6 В
Частота: 70 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: FLASH Memory 4Mb (264 Bytes x 2048 pages) SPI 85 MHz SOIC-8(Narrow)
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL, 4000 шт.
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: Flash 4Mb (264 Bytes x 2048 pages)
Корпус: SOIC-8 Wide (SMD)
Тип: Флеш-память NOR
Напряжение питания: 1,65 … 3,6 В
Частота: 70 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: FLASH Memory 4Mb (264 Bytes x 2048 pages) SPI 85 MHz SOIC-8(Wide)
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL, 2000 шт.
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: Flash 4Mb (264 Bytes x 2048 pages)
Корпус: LQFP-32 (SMD)
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии ARM® Cortex®-M0
Напряжение питания: 2.4…3,6 (max) В
Частота: тактовая (max) - 48 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 32-Pin Flash-Based 32-Bit ARM Microcontrollers
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Разрешение: АЦП - 12 бит
Интерфейс: I2C, SPI, UART/USART
Упаковка: TRAY, 250 шт.
Количество: входов/ выходов - 26 I/O; каналов АЦП - 12; таймеров - 4
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M0
Память: программная (Flash) - 32 кБ; ОЗУ (RAM) - 4 кБ
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: CAN контроллер
Напряжение питания: 4,5…5,5 max (Uраб.=5) В
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
Описание: Является преемником контроллера PCA82C200 CAN (BasicCAN) от Philips Semiconductors. В нём реализован новый режим работы (PeliCAN), поддерживающий протокол CAN 2.0B с несколькими новыми функциями.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Потребляемый ток: 15 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Интерфейс: CAN интерфейс IC
Упаковка: REEL, 1000 шт.
Количество: трансиверов - 1
Скорость передачи данных: 1 Мбит/ c
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/c энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память серии FM24CL16B
Напряжение питания: 2,7…3,65 (max); Uраб.=3 В
Частота: до 1 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 16-Kbit (2K × 8) Serial (I2C) F-RAM
Потребляемый ток: 100 мкА (в режиме ожидания - 3 мкА)
Интерфейс: 2-Wire I2C (двухпроводный)
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: F-RAM 16 кbit (2 к х 8)
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/c интерфейса CAN приемопередатчика (полудуплекс) серии PCA82C250
Напряжение питания: 4,5…5,5 max (Uраб.=5) В
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
Описание: CAN controller interface
Потребляемый ток: 1 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Интерфейс: CAN интерфейс IC
Упаковка: REEL
Количество: трансиверов - 1
Скорость передачи данных: 1 Мбит/ c
Корпус: SO-14 (SMD)
Выходной ток: высокого/ низкого уровня - 3,6 мА
Время: задержки распространения - 80 нс
Тип: Четыре логических элемента 2И-НЕ с триггерами Шмитта серии HE4000B
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: Quad 2-input NAND Schmitt trigger
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL
Количество: вентилей - 2; входов - 8; выходов - 4
Диапазон рабочего напряжения: 4,5…15,5 В
Корпус: SO-16 (SMD)
Время: включения (max) - 59 нс; отключения (max) - 49 нс; задержки распространения - 4 нс
Мощность: рассеиваемая (Pd) - 500 м Вт
Конфигурация: 1 x 8:1
Тип: Мультиплексор/ демультиплексор аналоговый серии 74HC4051D
Напряжение питания: однополярное - 2…10 В, Uраб.=5 В; двухполярное - ± 5 (max) В
Сопротивление: во включенном состоянии (max) - 180 Ом
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
Описание: 8-channel analog multiplexer/demultiplexer
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL
Количество: каналов - 8
Полоса пропускания: 180 М Гц
Ток покоя, не более: 16 мк А
Недавно просмотренные товары:
Мой аккаунт
ИНФОРМАЦИЯ
Интернет-магазин. Купить электронные компоненты и радиодетали
- Почта: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
- Более 1 000 000 товаров в наличии и под заказ!