Микросхемы
Микросхема по своей сути является микроэлектронным устройством, изготовленным на полупроводниковой пластине или плёнке. Для упрощения их установки и защиты от возможных повреждений они помещаются в особые корпусы. Микросхемы значительно облегчают жизнь практически каждого человека в современном мире, поскольку именно благодаря им гигантское количество транзисторов можно закрепить на одном кристалле площадью в несколько квадратных сантиметров.
Компания «Радио-Гуру» предлагает вам широкий выбор самых разнообразных микросхем. В нашем ассортименте представлены микросхемы памяти, питания, отечественные версии и т.д. Все наши товары сертифицированы заводами-производителями и являются высококачественными комплектующими для большого количества устройств. Мы также обеспечиваем доставку в кратчайшие сроки, а если вы проживаете в пределах Москвы, вы лично можете забрать необходимую вам микросхему в нашем магазине.
Чтобы корректно направить нам заявку на приобретение электронных компонентов и других товаров, необходимо:
1) Указать ТИП ИЗДЕЛИЯ, НАИМЕНОВАНИЕ, БРЕНД, ГОД ВЫПУСКА ИЗДЕЛИЯ, ПРИЕМКА, КОЛИЧЕСТВОИ направить нам заявку на электронный почтовый адрес — Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
Рассмотрение заявок занимает как правило, 1-3 рабочих дня.
Вес: 0,2 г
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Выходной ток: на канал - 15 (min) мА
Мощность: рассеиваемая (Pd) - 200 м Вт
Тип: Прецизионный операционный усилитель серии AD822 В
Характеристика: (en) - интенсивность шума входного напряжения - 25 nV/ sqrt Hz
Напряжение питания: однополярное +5…30; двуполярное ± 2,5…15 В
Входное напряжение: смещения нуля (Vos) - 100 мк В
Диапазон рабочих температур: -40 …+85 °С
Коэффициент: подавления: - синфазного сигнала (CMRR)/ помех по питанию (PSRR) - 80 дБ
Усиление: по напряжению - 120 дБ
Скорость: нарастания выходного напряжения (SR) - 2 В/ мкс
Потребляемый ток: 1,8 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL7
Количество: каналов - 2; тип выхода - Rail-to-Rail
Входной ток: смещения (Ib) - 12 пА (max)
Ширина: импульса - 100 нс мА
Корпус: SOIC-16 (SMD)
Время: нарастания/ спада импульса (тип.) - 3 нс
Тип: развязки - Magnetic Coupling (индуктивный)
Напряжение питания: 2,7…5,5 (max); Uном.= 5 В
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
Потребляемый ток: 11 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL
Количество: каналов - 4
Скорость передачи данных: 10 Мб/ c
Напряжение изоляции: 2,5 кВ (rms)
Ширина: импульса - 100 нс
Корпус: SOIC-16 (SMD)
Время: нарастания/ спада импульса (тип.) - 3 нс
Тип: развязки - Magnetic Coupling (индуктивный)
Напряжение питания: 2,7…5,5 (max) В
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
Потребляемый ток: 11 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL
Количество: каналов - 4
Скорость передачи данных: 10 Мб/ c
Напряжение изоляции: 2,5 кВ (rms)
Корпус: SOIC-16 (SMD)
Время: нарастания/ спада импульса (тип.) - 300 нс
Тип: развязки - Magnetic Coupling (индуктивный)
Напряжение питания: 3,1…5,5 (max); Uном.= 3,3; 5 В
Диапазон рабочих температур: -40…+105 °С
Потребляемый ток: 6 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL
Количество: прямых и обратных каналов - 2 + 2
Скорость передачи данных: 12 Мб/ c
Поддержка: USB 2.0
Напряжение изоляции: 5 кВ (rms)
Ширина: импульса - 1000 нс мА
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Время: нарастания/ спада импульса (тип.) - 10 нс
Тип: развязки - Magnetic Coupling (индуктивный)
Напряжение питания: 2,7…5,5 (max) В
Диапазон рабочих температур: -40 …+85 °С
Потребляемый ток: 7,7 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL7
Количество: каналов - 2
Скорость передачи данных: 1 Мб/ c
Напряжение изоляции: 2,5 кВ (rms)
Корпус: SOIC-16 (SMD)
Время: нарастания/ спада импульса (тип.) - 300 нс
Тип: развязки - Magnetic Coupling (индуктивный)
Напряжение питания: 3,1…5,5 (max); Uном.= 3,3; 5 В
Диапазон рабочих температур: -40…+105 °С
Потребляемый ток: 6 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL
Количество: прямых и обратных каналов - 2 + 2
Скорость передачи данных: 12 Мб/ c
Поддержка: USB 2.0
Напряжение изоляции: 2,5 кВ (rms)
Корпус: SOIC-16 (SMD)
Выходной ток: 100 мА
Время: задержки распространения - 60 нс
Мощность: рассеиваемая (Pd) - 0,5 Вт
Тип: развязки - Magnetic Coupling (индуктивный)
Напряжение питания: 3…5,5 (max) В
Диапазон рабочих температур: -40…+105 °С
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL
Количество: каналов - 4
Скорость передачи данных: 1 Мбит/ c
Напряжение изоляции: 2,5 кВ (rms)
Корпус: SOIC-20 (SMD)
Тип: CAN-трансивер изолированный со встроенным DC-DC преобразователе м
Напряжение питания: 4.5…5,5 (max) В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Потребляемый ток: 232 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL
Количество: каналов - 1; трансиверов - 1
Скорость передачи данных: 1 Мбит/ c
Корпус: SOIC-16 (SMD)
Время: нарастания/ спада импульса (max) - 1,1 мкс
Мощность: рассеиваемая (Pd) - 0,5 Вт
Тип: развязки - Magnetic Coupling (индуктивный)
Напряжение питания: 3…5,5 (max) В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Потребляемый ток: 2 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL7
Количество: каналов - 1
Скорость передачи данных: 500 кбит/ c
Поддержка: RS-485; RS-422
Напряжение изоляции: 5 кВ (rms)
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Выходной ток: на канал - 15 мА
Тип: Двухканальный прецизионный операционный усилитель серии AD822A
Характеристика: (en) - интенсивность шума входного напряжения - 25 nV/ sqrt(H)
Напряжение питания: однополюсное - 5…30 (max); двухполюсное - ± 2,5…15 В
Входное напряжение: смещения нуля (Vos) - 100 мк В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Коэффициент: подавления: синфазного сигнала (CMRR)/ помех по питанию (PSRR) - 80 дБ %
Усиление: по напряжению - 120 дБ
Скорость: нарастания выходного напряжения (SR) - 3 В/ мкс
Потребляемый ток: 1,3 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL, 750 шт.
Количество: каналов - 2; тип выхода - Rail-to-Rail
Входной ток: смещения (Ib) - 25 пА (max)
Корпус: SOIC-14 (SMD)
Выходной ток: на канал - 30 мА
Мощность: рассеиваемая - 0,9 Вт
Тип: входа/ выхода - Rail-to-Rail
Характеристика: (en) - интенсивность шума входного напряжения - 42 nV/ sqrt(H)
Напряжение питания: 2,7…5,5 (max) В
Входное напряжение: смещения нуля (Vos) - 1 м В
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Коэффициент: подавления: - синфазного сигнала (CMRR)/ помех по питанию (PSRR) - 45/ 76 дБ
Усиление: по напряжению - 120 дБ
Скорость: нарастания выходного напряжения (SR) - 0,92 В/ мкс
Потребляемый ток: 260 мк А
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL, 1000 шт.
Входной ток: смещения (Ib) - 60 п А
Корпус: SOIC-16 (SMD)
Тип: входа/ выхода - однотактный (Single-Ended )
Напряжение питания: 3…5,5 (max) В
Диапазон рабочих температур: -40 …+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Потребляемый ток: 3 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Интерфейс: RS-232
Упаковка: REEL, 1000 шт.
Количество: каналов - 2 (2 драйвера)
Скорость передачи данных: 460 кбит/ c
Защита: от электростатических разрядов (ESD до ±15 кВ)
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Время: задержки распространения - 10 нс
Мощность: рассеиваемая - 450 м Вт
Тип: выхода - 3 состояния (3-State)
Напряжение: вход/ выход - 5/ 2 В
Напряжение питания: 5 В
Диапазон рабочих температур: -40 …+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Потребляемый ток: 1 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Интерфейс: RS-485
Упаковка: REEL, 2500 шт.
Количество: каналов - 1 (1 драйвер)
Скорость передачи данных: 5 Мбит/ c
Защита: от электростатических разрядов (ESD до ±15 кВ)
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Выходной ток: на канал - 10 мА
Тип: Прецизионный операционный усилитель серии OP2177
Характеристика: (In) - плотность тока шума на входе - 2 нA
Напряжение питания: двуполярное ± 2,5…± 15 В
Входное напряжение: смещения нуля (Vos) - 25 мк В
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Коэффициент: подавления: - синфазного сигнала (CMRR) - 118/ помех по питанию (PSRR) - 120 дБ
Усиление: по напряжению - 122,02 дБ; Кус. V/V - 2000 В/ м В
Скорость: SR - скорость нарастания выходного напряжения: 0.7 В/ мкс
Потребляемый ток: 500 мк А
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL, 1000 шт.
Количество: каналов - 2
Входной ток: смещения (Ib) - 2 нА; разбаланса - 1 н А
Корпус: TSSOP-16 (SMD)
Тип: входа/ выхода - однотактный (Single-Ended )
Напряжение питания: 3…5,5 (max) В
Диапазон рабочих температур: -40 …+85 °С
Описание: Low Power, 3.3 V, RS-232 Line Drivers/Receivers
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Потребляемый ток: 3 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Интерфейс: RS-232
Упаковка: REEL, 1000 шт.
Количество: каналов - 2 (2 драйвера)
Скорость передачи данных: 460 кбит/ c
Защита: от электростатических разрядов (ESD до ±15 кВ)
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: выхода - 3 состояния (3-State)
Напряжение питания: 3,3 В
Диапазон рабочих температур: -40 …+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Потребляемый ток: 2,2 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Интерфейс: RS-422; RS-485
Упаковка: REEL, 1000 шт.
Количество: каналов - 1 (1 драйвер)
Скорость передачи данных: 12 Mбит/ c
Защита: от электростатических разрядов (ESD до ±15 кВ)
Корпус: SOIC-14 (SMD)
Выходной ток: на канал - 30 мА
Тип: Прецизионный операционный усилитель серии AD8604
Характеристика: (en) - интенсивность шума входного напряжения: 33 nV/sqrt Hz
Напряжение питания: 2,7…6 (max) В
Входное напряжение: смещения нуля (Vos) - 80 мк В
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Коэффициент: подавления: - синфазного сигнала (CMRR)/ помех по питанию (PSRR) - 83/ 72 дБ
Усиление: по напряжению - 98,06 дБ
Скорость: SR - скорость нарастания выходного напряжения: 6 В/ мкс
Потребляемый ток: 750 мк А
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL, 1000 шт.
Количество: каналов - 4; тип выхода - Rail-to-Rail
Входной ток: смещения (Ib) - 0,2 пА (max)
Рабочая температура: -40…+105 °С
Корпус: SOIC16
Примечание: IC DIG ISOLATOR W/DC-DC 16SOIC
Напряжение питания: 3,3…5 В
Скорость: передачи данных: 1 Mbps
Количество: приемников: 1
Напряжение изоляции: 2500 В
Корпус: SOIC-16 (SMD)
Тип: Усилитель с оптической развязкой серии HCPL-788J
Входное напряжение: смещения нуля (Vos) - 3 м В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: Isolation Amplifier with Short Circuit and Overload Detection
Потребляемый ток: 20 мк А
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL
Количество: каналов - 1
Ширина: 256-Kbit (32 K × 8) Static RAM
Корпус: SOIC-28 (SMD)
Время: доступа - 55 нс
Тип: М/с памяти серии CY62256NLL
Напряжение питания: 4,5…5,5 В
Частота: тактовая (max) - 75 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Потребляемый ток: 50 (max) мА
Интерфейс: Parallel - 1 порт
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: SRAM 256 Кбит (32 Кбит х 8)
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/с памяти серии FM25W256-G
Напряжение питания: 2,7…5,5 (max); Uраб. - 3…5 В
Частота: 20 (max) М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 256-Kbit (32K × 8) Serial (SPI) F-RAM
Потребляемый ток: 250 (при 1 МГц) мк А
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FRAM 256 Кбит
Корпус: TSOP-44 (SMD)
Время: доступа - 55 нс
Тип: М/с памяти серии FM22L16-55-TG
Напряжение питания: 2,7…3,6; Uраб. - 3,3 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 4-Mbit (256K × 16) F-RAM Memory
Интерфейс: Parallel
Упаковка: TRAY
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FRAM 4 Мбит (256 Кбит х 16)
Тип: М/с памяти серии FM24V10-G
Напряжение питания: 2…3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 1-Mbit (128 K × 8) Serial (I2C) F-RAM
Интерфейс: I2C
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FRAM 1Mбит (128Kбит x 8)
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/с памяти серии FM24W256-G
Напряжение питания: 2,7…5,5 В
Частота: 1 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 256-Kbit (32 K × 8) Serial (I2C) F-RAM
Потребляемый ток: 100 (при F - 100 кГц) мк А
Интерфейс: I2C
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FRAM 256 Кбит
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/с памяти серии FM25V20A-G
Напряжение питания: 2…3,6 В
Частота: 40 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 2-Mbit (256 K × 8) Serial (SPI) F-RAM
Потребляемый ток: 300 (при F - 1 МГц) мк А
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FRAM 2 Мбит (256 Кбит х 8)
Корпус: SOIC-28 (SMD)
Время: доступа - 70 нс
Тип: М/с памяти серии FM25V20A-G
Напряжение питания: 2…3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 256-Kbit (32K × 8) F-RAM Memory
Потребляемый ток: 5 мА
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FRAM 2 Мбит (256 Кбит х 8)
Ширина: шины данных - 8 бит
Корпус: TSOP-48 (SMD)
Тип: синхронизации - asynchronous
Характеристика: быстродействие - 25 нс
Напряжение питания: 2,7…3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Потребляемый ток: 30 (max) мА
Интерфейс: Parallel
Упаковка: TRAY
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FLASH-NAND 2 Гбит (256 Мбит х 8)
Архитектура: Multiplane
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/с памяти ферроэлектрическая серии FM25L16B-G
Напряжение питания: 2,7…3,6 (max); Uраб.=3,3 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: F-RAM 16Kb Serial SPI 3V
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: 16-Kbit (2K × 8) F-RAM
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/с памяти ферроэлектрическая серии FM24V02
Напряжение питания: 2…3,6 (max); Uраб.=3,3 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: F-RAM NVRAM FRAM Memory Serial
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: 256-Kbit (32K × 8) F-RAM
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/c энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память серии FM24CL16B
Напряжение питания: 2,7…3,65 (max); Uраб.=3 В
Частота: до 1 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 16-Kbit (2K × 8) Serial (I2C) F-RAM
Потребляемый ток: 100 мкА (в режиме ожидания - 3 мкА)
Интерфейс: 2-Wire I2C (двухпроводный)
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: F-RAM 16 кbit (2 к х 8)
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(0.154, 3.90мм)
Тип: памяти: FRAM
Напряжение питания: 4.5…5.5 В
Частота: тактовая макс.: 1 М Гц
Интерфейс: i2c, 2-wire serial
Объем: памяти: 4 kбит(512x8)
Вес: 0,15 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(3.9мм)
Тип: памяти: FRAM
Напряжение питания: 2.7…3.65 В
Частота: тактовая макс.: 1 М Гц
Интерфейс: i2c, 2-wire serial
Объем: памяти: 64 kбит(8k x 8)
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/с последовательной памяти ферроэлектрическая серии FM25V
Напряжение питания: 2…3,6 В
Частота: 40 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 512Kит (64KX8) 2.0-3.6V F-RAM Serial (SPI) F-RAM
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: SPI
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: 512Kит (64KX8) 2.0-3.6V F-RAM
Корпус: SOIC-8 Wide (SMD)
Тип: Флеш-память NOR
Напряжение питания: 2,5…3,6 В
Частота: 70 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: FLASH Memory IC 16Mb (528 Bytes x 4096 pages) SPI 85 MHz SOIC-8(Wide)
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL, 2000 шт.
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: Flash 16Mb (528 Bytes x 4096 pages)
Корпус: LQFP-48
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F303 ARM® Cortex®-M4
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 120 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S, SDIO
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M4
Память: программная (Flash) - 256 кБ; ОЗУ (SRAM) - 48 кБ
Корпус: LQFP-48
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F103 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 128 кБ; ОЗУ (SRAM) - 20 кБ
Корпус: LQFP-64
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F103 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S, SDIO
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 512 кБ; ОЗУ (SRAM) - 64 кБ
Корпус: LQFP-100
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F103 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S, SDIO
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 256 кБ; ОЗУ (SRAM) - 48 кБ
Корпус: LQFP-100
Тип: GD32F105 Микроконтроллер 32 бит серии ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 256 кБ; ОЗУ (SRAM) - 96 кБ
Корпус: LQFP-64
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F105 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 256 кБ; ОЗУ (SRAM) - 96 кБ
Корпус: LQFP-64
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F103 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S, SDIO
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 256кБ; ОЗУ (SRAM) - 48 кБ
Корпус: LQFP-100
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F103 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S, SDIO
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 512 кБ; ОЗУ (SRAM) - 64 кБ
Корпус: LQFP-100
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F205 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 120 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S, SDIO
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 512 кБ; ОЗУ (SRAM) - 128 кБ
Корпус: LQFP-64
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F405 ARM® Cortex®-M4
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 168 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: I2C, SPI, USART, UART, CAN, USB, I2S, SDIO
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M4
Память: программная (Flash) - 1024 кБ; ОЗУ (SRAM) - 192 кБ
Корпус: LQFP-64
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F103 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S, SDIO
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 1024 кБ; ОЗУ (RAM) - 96 кБ
Корпус: LQFP-100
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F103 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 128 кБ; ОЗУ (SRAM) - 20 кБ
Корпус: LQFP-64
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F107 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 256 кБ; ОЗУ (SRAM) - 96 кБ
Корпус: LQFP-64
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F205 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 120 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S, SDIO
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 256 кБ; ОЗУ (SRAM) - 128 кБ
Корпус: LQFP-64
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F103 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 128 кБ; ОЗУ (SRAM) - 20 кБ
Корпус: LQFP-100
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F207 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 120 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S, SDIO
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 256 кБ; ОЗУ (SRAM) - 128 кБ
Корпус: LQFP-48
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F103 ARM® Cortex®-M3
Характеристика: MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 64 кБ; ОЗУ (SRAM) - 20 кБ
Корпус: QFN-36
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F103 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 128 кБ; ОЗУ (SRAM) - 20 кБ
Корпус: LQFP-64
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F105 ARM® Cortex®-M3
Характеристика: MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 128 кБ; ОЗУ (SRAM) - 64 кБ
Корпус: LQFP-100
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F107 ARM® Cortex®-M3
Характеристика: MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 256 кБ; ОЗУ (SRAM) - 96 кБ
Корпус: LQFP-100
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F107 ARM® Cortex®-M3
Характеристика: MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 120 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S, SDIO
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 1024 кБ; ОЗУ (SRAM) - 256 кБ
Корпус: LQFP-64
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F303 ARM® Cortex®-M4
Характеристика: MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 120 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S, SDIO
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M4
Память: программная (Flash) - 256 кБ; ОЗУ (SRAM) - 48 кБ
Корпус: LQFP-64
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F303 ARM® Cortex®-M4
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 120 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S, SDIO
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M4
Память: программная (Flash) - 512 кБ; ОЗУ (SRAM) - 64 кБ
Корпус: LQFP-100
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F303 ARM® Cortex®-M4
Характеристика: MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 120 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S, SDIO
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M4
Память: программная (Flash) - 256 кБ; ОЗУ (SRAM) - 48 кБ
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F205
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Диапазон рабочих температур, °C: -40…+85
Память: программная (Flash) - 1024 кБ; ОЗУ (SRAM) - 256 кБ
Частота М: 120 Гц
Корпус: SOIC-20 (SMD)
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Упаковка: REEL, 1000 шт.
Корпус: SOIC-14 (SMD)
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Упаковка: REEL, 2500 шт.
Корпус: SOT-23-5 (SMD)
Выходной ток: 30 мА
Мощность: рассеиваемая Pd (max) - 571 м Вт
Конфигурация: полярность - положительная; кол-во выходов - 1
Тип: Линейный регулятор напряжения
Входное напряжение: 4,0…28 (maх) В
Выходное напряжение: 3,3… 5,0 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed 1 Output 30mA
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL, 2500 шт.
Ток покоя, не более: 8 мк А
Корпус: SOT23-8 (SMD)
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Упаковка: REEL, 2500 шт.
Корпус: uMAX-8 (SMD)
Выходной ток: 420 мА
Конфигурация: полярность - положительная; кол-во выходов - 1
Тип: Импульсный регулятор напряжения
Входное напряжение: 0,7…5,5 (max) В
Выходное напряжение: 2.0(3.3, 5.0) … 5.5 В
Частота: 500 Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: Boost Switching Regulator IC Positive Adjustable (Programmable) 2V (3.3V, 5V) 1 Output 750mA (Switch)
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL, 2500 шт.
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Выходной ток: 2А
Конфигурация: полярность - положительная; кол-во выходов - 1
Тип: Импульсный регулятор напряжения
Входное напряжение: 2,6…5,5 (max) В
Выходное напряжение: 0,8 … 5,5 В
Частота: 800кГц ~ 1.1M Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: Buck Switching Regulator Positive Adjustable 0.8V 1 Output 2A
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL, 2500 шт.
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: Трансивер дифференциальный (полудуплекс)
Напряжение питания: 4,75…5,25 max (Uпит.=5) В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Потребляемый ток: 250 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Интерфейс: RS-422/ RS-485
Количество: драйвер - 1; ресивер - 1
Скорость передачи данных: 10 Мбит/ c
Рабочая температура: -55…+125 °С
Корпус: SOT-23-3
Выходной ток: 150 мА
Ток: катод: 1 мА
Выходное напряжение: 2,5…36 В
Коэффициент: температурный: 30ppm/°C
Количество: каналов: 1
Тип монтажа: Поверхностный
Вес: 0,85 г
Максимальный ток: нагрузки: 0,8 А
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: SOT-223
Максимальное напряжение: входное: 20 В
Выходное напряжение: 3,3 В
Тип выхода: фиксированный
Полярность: положительная
Падение напряжения: при Iвых: 1,3 (0,8) В А
Количество выходов: 1
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: sot-23
Выходной ток: 500 мА
Количество выводов: 5
Входное напряжение: 2,5…16 В
Тип выхода: фиксированный
Падение напряжения: 340 м В
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: SOT-23-5
Выходной ток: 150 мА
Входное напряжение: 16 В
Выходное напряжение: 5 В
Описание: Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed 1 Output 5V 150mA SOT-23-5
Тип выхода: Fixed
Количество: регуляторов: 1
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: SOT-23-5
Выходной ток: 150 мА
Входное напряжение: 16 В
Выходное напряжение: 1,235…15,65 В
Описание: Linear Voltage Regulator IC Positive Adjustable 1 Output Adjustable 150mA SOT-23-5
Тип выхода: Adjustable
Количество: регуляторов: 1
Корпус: TSSOP-20 (SMD)
Тип: CAN - контроллер серии MCP2515
Напряжение питания: 3,3; 5 (2,7 min; 5,5 max) В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: Stand-Alone CAN Controller with SPI Interface
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: TUBE
Количество: трансиверов - 1
Скорость передачи данных: 1 Мбит/с
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Выходной ток: на канал - 22 мА
Тип: Двухканальный операционный усилитель серии MCP6022
Характеристика: (en) - интенсивность шума входного напряжения - 8.7 нВ/ sqrt Гц
Напряжение питания: 2,5…5,5 (max) В
Входное напряжение: смещения нуля (Vos) - 500 мк В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Стандарт: AEC-Q100
Описание: General Purpose Amplifier 2 Circuit
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Коэффициент: подавления - синфазного сигнала (CMRR) - 70; - помех по питанию (PSSR) - 74 дБ
Усиление: по напряжению - 110 дБ
Скорость: нарастания выходного напряжения (SR) - 7 мВ/ мкс
Потребляемый ток: 1 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Технология: CMOS
Входной ток: смещения (Ib) - 150 пA
Плотность: тока шума на входе - 0.003 пA/sqrt Гц м Вт
Корпус: SOIC-14 (SMD)
Тип: Микроконтроллер 8 бит серии ATtiny24
Напряжение питания: 1,8…5,5 (max) В
Частота: тактовая (max) - 20 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Разрешение: АЦП - 10 бит
Интерфейс: SPI, USI
Упаковка: TUBE
Количество: входов/ выходов - 12 I/O; каналов АЦП - 20; таймеров - 2
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: AVR, серия процессора - tinyAVR
Память: ПЗУ (EEPROM) - 128 кБ; программная (Flash) - 2 кБ; ОЗУ (SRAM) - 128 кБ
Корпус: SOIC-14 (SMD)
Тип: Микроконтроллер 8 бит серии ATtiny44
Напряжение питания: 1,8…5,5 (max) В
Частота: тактовая (max) - 20 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Разрешение: АЦП - 10 бит
Интерфейс: SPI, USI
Упаковка: TUBE
Количество: входов/ выходов - 12 I/O; каналов АЦП - 20; таймеров - 2
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: AVR, серия процессора - tinyAVR
Память: ПЗУ (EEPROM) - 256 кБ; программная (Flash) - 4 кБ; ОЗУ (SRAM) - 256 кБ
Корпус: SOIC-28 Wide (SMD)
Тип: Ethernet контроллер серии ENC28J60
Напряжение питания: 3,3 (max) В
Режим работы: Full Duplex, Half Duplex
Диапазон рабочих температур: 0…+70 °С
Стандарт: 10BASE-T
Описание: Stand-Alone Ethernet Controller with SPI Interface
Интерфейс: MII, MIIM
Упаковка: TUBE
Количество: трансиверов - 1
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Скорость передачи данных: 10 Мбит/ с
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Выходной ток: на канал - 22 мА
Тип: Двухканальный операционный усилитель серии MCP6002
Характеристика: (en) - интенсивность шума входного напряжения - 29 нВ/ sqrt Гц В
Напряжение питания: 2,7…5,5 (max) В
Входное напряжение: смещения нуля (Vos) - 700 мк В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Стандарт: AEC-Q100
Коэффициент: подавления - синфазного сигнала (CMRR) - 75; - помех по питанию (PSSR) - 88 дБ
Усиление: по напряжению - 115 дБ
Скорость: нарастания выходного напряжения (SR) - 2,3 В/ мкс
Потребляемый ток: 23 мк А
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL
Технология: CMOS
Входной ток: смещения (Ib) - 60 пA
Плотность: тока шума на входе - 0.0006 пA/sqrt Гц м Вт
Корпус: SOT-23 (SMD)
Выходной ток: 500 (max) мА
Тип: Контроллер заряда Li-on/Li-Pol батареи серии MCP73812
Входное напряжение: 3,75…6 (max) В
Выходное напряжение: 4,2 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: Simple, Miniature Single-Cell, Fully Integrated Li-Ion/ Li-Polymer Charge Management Controllers
Потребляемый ток: 1 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL
Корпус: SOT-23 (SMD)
Выходной ток: 15…500 мА (max) программируемый
Тип: Контроллер заряда Li-on/Li-Pol батареи серии MCP73831/2
Входное напряжение: 3,75…6 (max) В
Выходное напряжение: 4,2 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: Miniature Single-Cell, Fully Integrated Li-Ion, Li-Polymer Charge Management Controllers
Потребляемый ток: 510 мк А
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL
Корпус: TQFP-44 (SMD)
Тип: Микроконтроллер 8 бит PIC серии
Напряжение питания: 2…5,5 (max) В
Частота: тактовая (max) - 20 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: PIC series 8-Bit Microcontroller
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Разрешение: АЦП - 10 бит
Интерфейс: IІC, SPI, UART/USART
Количество: входов/ выходов - 35 I/O; каналов АЦП - 14; таймеров - 3
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: PIC16, процессор PIC16
Память: программная (Flash) - 14(8K x 14) кБ; ПЗУ (Flash) - 256 Б; ОЗУ - 368 Б
Корпус: TQFP-44 (SMD)
Тип: Микроконтроллер 8 бит серии PIC18(L)Fxx20
Напряжение питания: 2 (4,2)…5,5 (max) В
Частота: тактовая (max) - 40 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 44-Pin Enhanced Flash Microcontrollers with 10-Bit A/D and nanoWatt Technology
Разрешение: АЦП - 10 бит
Интерфейс: I2C, MSSP, PSP, SPI, USART
Упаковка: TRAY
Количество: входов/ выходов - 36 I/O; каналов АЦП - 13; таймеров - 1
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: PIC18, процессор PIC18
Память: программная (Flash) - 32 кБ; ПЗУ (Flash) - 256 Б; ОЗУ (RAM) - 1,5 кБ
Корпус: TQFP-44 (SMD)
Тип: Микроконтроллер 8 бит серии PIC18F4xK22
Напряжение питания: 2,3…5,5 (max) В
Частота: тактовая (max) - 64 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 44-Pin, Low-Power, High-Performance Microcontrollers with XLP Technology
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: CCP, ECCP, I2C, MSSP, SPI, USART
Упаковка: TRAY, 160 шт.
Количество: входов/ выходов - 36 I/O; каналов АЦП - 28; таймеров - 7
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: PIC18, процессор PIC18
Корпус: TQFP-44 (SMD)
Тип: Микроконтроллер 8 бит серии PIC18F2xK22
Напряжение питания: 1,8…5,5 (max) В
Частота: тактовая (max) - 64 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 44-Pin, Low-Power, High-Performance Microcontrollers with XLP Technology
Разрешение: АЦП - 10 бит
Интерфейс: CCP, ECCP, I2C, MSSP, SPI, USART
Упаковка: TRAY
Количество: входов/ выходов - 25 I/O; каналов АЦП - 19; таймеров - 7
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: PIC18, процессор PIC18
Память: программная (Flash) - 64 кБ; ОЗУ (SRAM) - 3,8 кБ
Корпус: TQFP-64 (SMD)
Тип: Микроконтроллер 8 бит серии PIC18F67J60
Напряжение питания: 2…3,6 (max) В
Частота: тактовая (max) - 41.667 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 64-Pin, High-Performance,
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Разрешение: АЦП - 10 бит
Интерфейс: Display Driver, EUSART, Ethernet, I2C, MSSP, SPI
Упаковка: TRAY, 160 шт.
Количество: входов/ выходов - 39 I/O; каналов АЦП - 11; таймеров - 5
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: PIC18, процессор PIC18
Память: программная (Flash) - 128 кБ; ОЗУ (SRAM) - 3,8 кБ
Ширина: шины данных - 8 бит
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: Флеш-память NOR
Напряжение питания: 2,7…3,6 В
Частота: 50 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 16Mb (2M x 8) Flash Memory NOR Serial (SPI) 50 MHz
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: SPI
Упаковка: TUBE, 90 шт.
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: NOR 16 Мбит (2 Мбит х 8)
Недавно просмотренные товары:
Мой аккаунт
ИНФОРМАЦИЯ
Интернет-магазин. Купить электронные компоненты и радиодетали
- Почта: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
- Более 1 000 000 товаров в наличии и под заказ!
