Микросхемы
Микросхема по своей сути является микроэлектронным устройством, изготовленным на полупроводниковой пластине или плёнке. Для упрощения их установки и защиты от возможных повреждений они помещаются в особые корпусы. Микросхемы значительно облегчают жизнь практически каждого человека в современном мире, поскольку именно благодаря им гигантское количество транзисторов можно закрепить на одном кристалле площадью в несколько квадратных сантиметров.
Компания «Радио-Гуру» предлагает вам широкий выбор самых разнообразных микросхем. В нашем ассортименте представлены микросхемы памяти, питания, отечественные версии и т.д. Все наши товары сертифицированы заводами-производителями и являются высококачественными комплектующими для большого количества устройств. Мы также обеспечиваем доставку в кратчайшие сроки, а если вы проживаете в пределах Москвы, вы лично можете забрать необходимую вам микросхему в нашем магазине.
Чтобы корректно направить нам заявку на приобретение электронных компонентов и других товаров, необходимо:
1) Указать ТИП ИЗДЕЛИЯ, НАИМЕНОВАНИЕ, БРЕНД, ГОД ВЫПУСКА ИЗДЕЛИЯ, ПРИЕМКА, КОЛИЧЕСТВОИ направить нам заявку на электронный почтовый адрес — Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
Рассмотрение заявок занимает как правило, 1-3 рабочих дня.
Корпус: TQFP-32 (SMD)
Тип: Микроконтроллер 8 бит серии ATmega168PA
Напряжение питания: 1,8…5,5 (max) В
Частота: тактовая (max) - 20 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Интерфейс: 2-Wire, SPI, USART
Упаковка: TRAY
Количество: вх./ вых. - 23 I/O; таймеров - 3
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: AVR, серия процессора - megaAVR
Память: программная (Flash) - 16 кБ; ОЗУ - 1 кБ
Корпус: TQFP-44 (SMD)
Тип: Микроконтроллер 8 бит серии ATmega16A
Напряжение питания: 2,7…5,5 (max) В
Частота: тактовая (max) - 16 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Интерфейс: 2-х проводный, SPI, USART
Упаковка: TRAY
Количество: входов/ выходов - 32 I/O; таймеров - 3
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: AVR, серия процессора - megaAVR
Память: ПЗУ (EEPROM) - 512 кБ; программная (Flash) - 16 кБ; ОЗУ (SRAM) - 1 кБ
Корпус: TQFP-32 (SMD)
Тип: Микроконтроллер 8 бит серии ATmega328P
Напряжение питания: 1,8…5,5 (max) В
Частота: тактовая (max) - 20 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Разрешение: АЦП - 10 бит
Интерфейс: I2C, SPI, USART
Упаковка: TRAY
Количество: вх./ вых. - 23 I/O; каналов АЦП - 8; таймеров - 3
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: AVR, серия процессора - megaAVR
Память: программная (Flash) - 32 кБ; ПЗУ (EEPROM) - 1 кБ; ОЗУ (SRAM) - 2 кБ
Корпус: TQFP-44 (SMD)
Тип: Микроконтроллер 8 бит серии ATmega32A
Напряжение питания: 2,7…5,5 (max) В
Частота: тактовая (max) - 16 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Интерфейс: 2-Wire, SPI, USART
Упаковка: TRAY
Количество: вх./ вых. - 32 I/O; таймеров - 3
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: AVR, серия процессора - megaAVR
Память: программная (Flash) - 32 кБ; ПЗУ (EEPROM) - 1024 Б; ОЗУ (SRAM) - 2 кБ
Корпус: TQFP-44 (SMD)
Тип: Микроконтроллер 8 бит серии ATmega32U4
Напряжение питания: 2,7…5,5 (max) В
Частота: тактовая (max) - 16 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Разрешение: АЦП - 10 бит
Интерфейс: JTAG, SPI, TWI, USART, USB
Упаковка: TRAY
Количество: вх./ вых. - 26 I/O; каналов АЦП - 12; таймеров - 5
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: AVR, серия процессора - megaAVR
Память: программная (Flash) - 32 кБ; ПЗУ (EEPROM) - 1 кБ; ОЗУ (SRAM) - 2,5 кБ
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: Микроконтроллер 8 бит серии ATtiny13A
Напряжение питания: 1,8…5,5 (max) В
Частота: тактовая (max) - 20 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 8-bit Microcontroller with 1K Bytes In-System Programmable Flash
Разрешение: АЦП - 10 бит
Интерфейс: SPI
Упаковка: Tube
Количество: вх./ вых. - 6 IO; каналов АЦП - 4; таймеров - 1
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: AVR, серия процессора - tinyAVR
Память: программная (Flash) - 1 кБ; ПЗУ (EPPROM) - 64 Б; ОЗУ (SRAM) - 64 Б
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Выходной ток: на канал - 23 мА
Тип: Двухканальный операционный усилитель серии MCP6002
Характеристика: (en) - интенсивность шума входного напряжения - 28 нВ/ sqrt Гц В
Напряжение питания: 1,8…5,5 (max) В
Входное напряжение: смещения нуля (Vos) - 4,5 мк В
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
Стандарт: AEC-Q100
Коэффициент: подавления - синфазного сигнала (CMRR) - 60; - помех по питанию (PSSR) - 86 дБ
Усиление: по напряжению - 112 дБ
Скорость: нарастания выходного напряжения (SR) - 600 мВ/ мкс
Потребляемый ток: 100 мк А
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL
Технология: CMOS
Входной ток: смещения (Ib) - 1 пA
Плотность: тока шума на входе - 0.0006 пA/sqrt Гц м Вт
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: CAN - трансивер серии MCP2551
Напряжение питания: 5 (4,5 min; 5,5 max) В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: High-Speed CAN Tranceiver
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL
Количество: трансиверов - 1
Скорость передачи данных: 1 Мбит/с
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: Микроконтроллер 8 бит серии ATtiny13A
Характеристика: MSL(Уровень чувствительности к влажности): 2
Напряжение питания: 1,8…5,5 (max) В
Частота: тактовая (max) - 20 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 8-bit Microcontroller with 1K Bytes In-System Programmable Flash
Разрешение: АЦП - 10 бит
Интерфейс: SPI
Количество: вх./ вых. - 6 IO; каналов АЦП - 4; таймеров - 1
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: AVR, серия процессора - tinyAVR
Память: программная (Flash) - 1 кБ; ПЗУ (EPPROM) - 64 Б; ОЗУ (SRAM) - 64 Б
Вес: 0,6 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(3.9мм)
Тип: памяти: eeprom
Напряжение питания: 1,7…5,5 В
Частота: тактовая (max): 1 М Гц
Интерфейс: i2c, 2-wire serial
Объем: памяти: 256 kбит(32k x 8)
Вес: 1,2 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-18(0.295 inch)
Тип: памяти: flash
Напряжение питания: 1,8…5,5 В
Частота: тактовая: 32 М Гц
Интерфейс: i2c, spi, uart
Объем: RAM: 384x8
Количество: входов/выходов: 16
Ядро: pic
Шаг/дискретность: шины данных: 8-бит
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: SO8150
Напряжение питания: 1,7…5,5 В
Интерфейс: I2C
Объем: памяти: 4 кбит
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: SOIC
Количество выводов: 8
Тип: 4Kbit Serial Microwire EEPROMs
Размер: памяти: 4 Кбит
Напряжение питания: 1,7…5,5 В
Частота: тактовая (max): 2 М Гц
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(3.9мм)
Тип: памяти: eeprom
Напряжение питания: 1,7…5,6 В
Частота: тактовая (max): 1 М Гц
Интерфейс: i2c, 2-wire serial
Объем: памяти: 64 kбит(8k x 8)
Вес: 0,15 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(0.154 inch)
Тип: памяти: flash
Напряжение питания: 1,8…5,5 В
Частота: тактовая: 32 М Гц
Интерфейс: I2C, LIN, SPI, UART
Объем: RAM: 128x8
Количество: входов/выходов: 6
Ядро: pic
Шаг/дискретность: шины данных: 8-бит
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: Микроконтроллер 8 бит серии PIC12F
Напряжение питания: 2,3…5,5 (max) В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Упаковка: TUBE, 100 шт.
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Вес: 1,9 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: dip-14(0.300 inch)
Тип: памяти: flash
Напряжение питания: 2…5,5 В
Частота: тактовая: 20 М Гц
Объем: RAM: 64x8
Количество: входов/выходов: 12
Ядро: pic
Шаг/дискретность: шины данных: 8-бит
Вес: 1 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: dip-8(0.300 inch)
Тип: памяти: flash
Напряжение питания: 2…5,5 В
Частота: тактовая: 20 М Гц
Объем: RAM: 64x8
Количество: входов/выходов: 5
Ядро: pic
Шаг/дискретность: шины данных: 8-бит
Вес: 2,5 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: dip-20(0.300 inch)
Тип: памяти: flash
Напряжение питания: 1,8…5,5 В
Частота: тактовая: 20 М Гц
Интерфейс: i2c, spi, uart
Объем: RAM: 128x8
Количество: входов/выходов: 18
Ядро: avr
Шаг/дискретность: шины данных: 8-бит
Ширина: шины данных: 8-бит
Вес: 11 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: dip-40(0.600 inch)
Тип: памяти: flash
Напряжение питания: 4…5,5 В
Частота: тактовая: 20 М Гц
Интерфейс: i2c, spi, uart
Объем: RAM: 368x8
Количество: входов/выходов: 33
Ядро: pic
Вес: 1,7 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-28(0.295 inch)
Тип: памяти: flash
Напряжение питания: 4…5,5 В
Частота: тактовая: 20 М Гц
Интерфейс: i2c, spi, uart
Объем: RAM: 192x8
Количество: входов/выходов: 22
Ядро: pic
Шаг/дискретность: шины данных: 8-бит
Ширина: шины данных: 8-бит
Вес: 4 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: dip-28(0.300 inch)
Тип: памяти: flash
Напряжение питания: 4…5,5 В
Частота: тактовая: 20 М Гц
Интерфейс: i2c, spi, uart
Объем: RAM: 368x8
Количество: входов/выходов: 24
Ядро: pic
Вес: 1 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: dip-8(0.300 inch)
Тип: памяти: flash
Напряжение питания: 2,7…5,5 В
Частота: тактовая: 20 М Гц
Интерфейс: usi
Объем: RAM: 256x8
Количество: входов/выходов: 6
Ядро: avr
Шаг/дискретность: шины данных: 8-бит
Ширина: шины данных - 8 бит
Корпус: SO-8 (SMD)
Ток: считывания активный - 8 мА
Тип: синхронизации - synchronous
Характеристика: быстродействие - 75 нс
Напряжение питания: 2,7…3,6 В
Частота: тактовая (max) - 75 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: Micron M25P16 Serial Flash Embedded Memory
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: NOR 16 Мбит (2 Мбит х 8)
Корпус: TSOP-48 (SMD)
Тип: М/с памяти серии MT29F
Напряжение питания: 1,7…3,6 (1,7…1,95) В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 2Gb: x8 NAND Flash Memory Features
Интерфейс: IC
Упаковка: TRAY
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: NAND Flash 2 Гбит (256 Мбит х 8)
Рабочая температура: -40…+85 °С
Время: доступа: 5,4 нс
Размер: памяти: 256 Mbit
Напряжение питания: 3…3,6 В
Частота: тактовая (max): 167 М Гц
Тип монтажа: SMD/SMT
Категория: DRAM
Ширина: шины данных: 16 bit
Рабочая температура: 0…+85 °С
Тип: DRAM
Размер: памяти: 2 Gbit
Напряжение питания: 1,7…1,9 В
Частота: тактовая (max): 800 М Гц
Тип монтажа: SMD/SMT
Категория: DRAM
Ширина: шины данных: 16 bit
Вес: 0,726 г
Рабочая температура: -40…+95 °С
Тип: DRAM
Размер: памяти: 2 Gbit
Напряжение питания: 1,7…1,9 В
Частота: тактовая (max): 400 М Гц
Тип монтажа: SMD/SMT
Категория: DRAM
Корпус: SO-14 (SMD)
Выходной ток: высокого/ низкого уровня - 4,2 мА
Время: задержки распространения - 30 нс (при U=15 В)
Тип: Двухконтурный триггер серии HEF4013B
Напряжение питания: 3,3; 5; 9; 12 (min/ max - 3/ 15) В
Особенности: тип сброса - Set, Reset
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
Описание: Dual D-type flip-flop
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL
Количество: каналов - 2; входов - 1; выходов - 1
Полярность: Inverting/ Non-Inverting
Тип входа/ выхода: Single-Ended/ Differential
Ток покоя, не более: 4 мк А
Корпус: SO-16 (SMD)
Время: включения (max) - 59 нс; отключения (max) - 49 нс; задержки распространения - 4 нс
Мощность: рассеиваемая (Pd) - 500 м Вт
Конфигурация: 1 x 8:1
Тип: Мультиплексор/ демультиплексор аналоговый серии 74HC4051D
Напряжение питания: однополярное - 2…10 В, Uраб.=5 В; двухполярное - ± 5 (max) В
Сопротивление: во включенном состоянии (max) - 180 Ом
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
Описание: 8-channel analog multiplexer/demultiplexer
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL
Количество: каналов - 8
Полоса пропускания: 180 М Гц
Ток покоя, не более: 16 мк А
Корпус: SO-14 (SMD)
Выходной ток: высокого/ низкого уровня - 3,6 мА
Время: задержки распространения - 80 нс
Тип: Четыре логических элемента 2И-НЕ с триггерами Шмитта серии HE4000B
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: Quad 2-input NAND Schmitt trigger
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL
Количество: вентилей - 2; входов - 8; выходов - 4
Диапазон рабочего напряжения: 4,5…15,5 В
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/c интерфейса CAN приемопередатчика (полудуплекс) серии PCA82C250
Напряжение питания: 4,5…5,5 max (Uраб.=5) В
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
Описание: CAN controller interface
Потребляемый ток: 1 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Интерфейс: CAN интерфейс IC
Упаковка: REEL
Количество: трансиверов - 1
Скорость передачи данных: 1 Мбит/ c
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: CAN контроллер
Напряжение питания: 4,5…5,5 max (Uраб.=5) В
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
Описание: Является преемником контроллера PCA82C200 CAN (BasicCAN) от Philips Semiconductors. В нём реализован новый режим работы (PeliCAN), поддерживающий протокол CAN 2.0B с несколькими новыми функциями.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Потребляемый ток: 15 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Интерфейс: CAN интерфейс IC
Упаковка: REEL, 1000 шт.
Количество: трансиверов - 1
Скорость передачи данных: 1 Мбит/ c
Высота: 7,4 (высота установки - 4,5) мм
Ширина: 10,16 мм
Глубина: 7,62 мм
Сопротивление изоляции, не менее: 1000 М Ом
Количество контактов: 6 (2 x 3) с шагом 2,54 мм
Диапазон рабочих температур: 0 …+85 °С
Материал корпуса: PBT (UL 94 V-0)
Контактное сопротивление, не более: 20 mΩ
Диэлектрическая прочность: 500 (50 Гц, 1 мин.) В
Высота: 7,4 (корпус - 4,5) мм
Ширина: 10,16 мм
Глубина: 10,16 мм
Сопротивление изоляции, не менее: 1000 М Ом
Количество контактов: 8 (2 x 4) мм
Шаг: 2,54 мм
Диапазон рабочих температур: 0…+85 °С
Материал корпуса: PBT (UL 94 V-0)
Контактное сопротивление, не более: 20 mΩ
Диэлектрическая прочность: 500 (50 Гц, 1 мин.) В
Высота: 7,4 (корпус - 4,5) мм
Ширина: 10,16 мм
Глубина: 17,78 мм
Сопротивление изоляции, не менее: 1000 М Ом
Количество контактов: 14 (2 x 7) с шагом 2,54 мм
Диапазон рабочих температур: 0…+85 °С
Материал корпуса: PBT (UL 94 V-0)
Контактное сопротивление, не более: 20 mΩ
Диэлектрическая прочность: 500 (50 Гц, 1 мин.) В
Высота: 7,4 (высота установки - 4,5) мм
Ширина: 10,16 мм
Глубина: 20,32 мм
Сопротивление изоляции, не менее: 1000 М Ом
Количество контактов: 16 (2 x 8) с шагом 2,54 мм
Диапазон рабочих температур: 0 …+85 °С
Материал корпуса: PBT (UL 94 V-0)
Контактное сопротивление, не более: 20 mΩ
Диэлектрическая прочность: 500 (50 Гц, 1 мин.) В
Высота: 7,4 (корпус - 4,5) мм
Ширина: 10,16 мм
Глубина: 22,86 мм
Сопротивление изоляции, не менее: 1000 М Ом
Количество контактов: 18 (2 x 9) с шагом 2,54 мм
Диапазон рабочих температур: 0…+85 °С
Материал корпуса: PBT (UL 94 V-0)
Контактное сопротивление, не более: 20 mΩ
Диэлектрическая прочность: 500 (50 Гц, 1 мин.) В
Высота: 7,4 (корпус - 4,5) мм
Ширина: 10,16 мм
Глубина: 35,56 мм
Сопротивление изоляции, не менее: 1000 М Ом
Количество контактов: 28 (2 x 14) с шагом 2,54 мм
Диапазон рабочих температур: 0…+85 °С
Материал корпуса: PBT (UL 94 V-0)
Контактное сопротивление, не более: 20 mΩ
Диэлектрическая прочность: 500 (50 Гц, 1 мин.) В
Высота: 7,4 (высота установки - 4,5) мм
Ширина: 17,78 мм
Глубина: 35,56 мм
Сопротивление изоляции, не менее: 1000 М Ом
Количество контактов: 28 (2 x 14) с шагом 2,54 мм
Шаг: 2,54 мм
Диапазон рабочих температур: 0…+85 °С
Материал корпуса: PBT (UL 94 V-0)
Контактное сопротивление, не более: 20 mΩ
Диэлектрическая прочность: 500 (50 Гц, 1 мин.) В
Высота: 7,4 (высота установки - 4,5) мм
Ширина: 17,78 мм
Глубина: 50,8 мм
Сопротивление изоляции, не менее: 1000 М Ом
Количество контактов: 40 (2 x 20) с шагом 2,54 мм
Шаг: 2,54 мм
Диапазон рабочих температур: 0 …+85 °С
Материал корпуса: PBT (UL 94 V-0)
Контактное сопротивление, не более: 20 mΩ
Диэлектрическая прочность: 500 (50 Гц, 1 мин.) В
Высота: 5,1 (корпус) мм
Ширина: 10,16 мм
Глубина: 30,48 мм
Сопротивление изоляции, не менее: 1000 М Ом
Номинальный ток: на контакт - 1 А
Тип: панелька для микросхемы серии SCL
Количество контактов: 24 (2 x 12) с шагом 2,54 мм
Диапазон рабочих температур: не менее 0…+85 °С
Материал корпуса: PBT (UL 94 V-0)
Контактное сопротивление, не более: 20 м Ом
Диэлектрическая прочность: 500 (50 Гц, 1 мин.) В
Высота: 7,43 мм
Ширина: (B) 101,6 мм
Глубина: 2,5 мм
Сопротивление изоляции, не менее: 1000 М Ом
Тип: микросхемная панель для плат серии SCSL
Количество контактов: 40 в один ряд с шагом 2,54 мм
Особенности: 3 А
Диапазон рабочих температур: -40…+105 °С
Материал корпуса: PBT
Контактное сопротивление, не более: 20 mΩ
Диэлектрическая прочность: 1000 (50 Гц, 1 мин.) В
Недавно просмотренные товары:
Мой аккаунт
ИНФОРМАЦИЯ
Интернет-магазин. Купить электронные компоненты и радиодетали
- Почта: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
- Более 1 000 000 товаров в наличии и под заказ!
