Микросхемы
Микросхема по своей сути является микроэлектронным устройством, изготовленным на полупроводниковой пластине или плёнке. Для упрощения их установки и защиты от возможных повреждений они помещаются в особые корпусы. Микросхемы значительно облегчают жизнь практически каждого человека в современном мире, поскольку именно благодаря им гигантское количество транзисторов можно закрепить на одном кристалле площадью в несколько квадратных сантиметров.
Компания «Радио-Гуру» предлагает вам широкий выбор самых разнообразных микросхем. В нашем ассортименте представлены микросхемы памяти, питания, отечественные версии и т.д. Все наши товары сертифицированы заводами-производителями и являются высококачественными комплектующими для большого количества устройств. Мы также обеспечиваем доставку в кратчайшие сроки, а если вы проживаете в пределах Москвы, вы лично можете забрать необходимую вам микросхему в нашем магазине.
Чтобы корректно направить нам заявку на приобретение электронных компонентов и других товаров, необходимо:
1) Указать ТИП ИЗДЕЛИЯ, НАИМЕНОВАНИЕ, БРЕНД, ГОД ВЫПУСКА ИЗДЕЛИЯ, ПРИЕМКА, КОЛИЧЕСТВОИ направить нам заявку на электронный почтовый адрес — Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
Рассмотрение заявок занимает как правило, 1-3 рабочих дня.
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: Микроконтроллер 8 бит серии PIC12F
Напряжение питания: 2,3…5,5 (max) В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Упаковка: TUBE, 100 шт.
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Вес: 1,9 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: dip-14(0.300 inch)
Тип: памяти: flash
Напряжение питания: 2…5,5 В
Частота: тактовая: 20 М Гц
Объем: RAM: 64x8
Количество: входов/выходов: 12
Ядро: pic
Шаг/дискретность: шины данных: 8-бит
Вес: 1 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: dip-8(0.300 inch)
Тип: памяти: flash
Напряжение питания: 2…5,5 В
Частота: тактовая: 20 М Гц
Объем: RAM: 64x8
Количество: входов/выходов: 5
Ядро: pic
Шаг/дискретность: шины данных: 8-бит
Вес: 2,5 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: dip-20(0.300 inch)
Тип: памяти: flash
Напряжение питания: 1,8…5,5 В
Частота: тактовая: 20 М Гц
Интерфейс: i2c, spi, uart
Объем: RAM: 128x8
Количество: входов/выходов: 18
Ядро: avr
Шаг/дискретность: шины данных: 8-бит
Ширина: шины данных: 8-бит
Вес: 11 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: dip-40(0.600 inch)
Тип: памяти: flash
Напряжение питания: 4…5,5 В
Частота: тактовая: 20 М Гц
Интерфейс: i2c, spi, uart
Объем: RAM: 368x8
Количество: входов/выходов: 33
Ядро: pic
Вес: 1,7 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-28(0.295 inch)
Тип: памяти: flash
Напряжение питания: 4…5,5 В
Частота: тактовая: 20 М Гц
Интерфейс: i2c, spi, uart
Объем: RAM: 192x8
Количество: входов/выходов: 22
Ядро: pic
Шаг/дискретность: шины данных: 8-бит
Ширина: шины данных: 8-бит
Вес: 4 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: dip-28(0.300 inch)
Тип: памяти: flash
Напряжение питания: 4…5,5 В
Частота: тактовая: 20 М Гц
Интерфейс: i2c, spi, uart
Объем: RAM: 368x8
Количество: входов/выходов: 24
Ядро: pic
Вес: 1 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: dip-8(0.300 inch)
Тип: памяти: flash
Напряжение питания: 2,7…5,5 В
Частота: тактовая: 20 М Гц
Интерфейс: usi
Объем: RAM: 256x8
Количество: входов/выходов: 6
Ядро: avr
Шаг/дискретность: шины данных: 8-бит
Ширина: шины данных - 8 бит
Корпус: SO-8 (SMD)
Ток: считывания активный - 8 мА
Тип: синхронизации - synchronous
Характеристика: быстродействие - 75 нс
Напряжение питания: 2,7…3,6 В
Частота: тактовая (max) - 75 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: Micron M25P16 Serial Flash Embedded Memory
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: NOR 16 Мбит (2 Мбит х 8)
Корпус: TSOP-48 (SMD)
Тип: М/с памяти серии MT29F
Напряжение питания: 1,7…3,6 (1,7…1,95) В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 2Gb: x8 NAND Flash Memory Features
Интерфейс: IC
Упаковка: TRAY
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: NAND Flash 2 Гбит (256 Мбит х 8)
Рабочая температура: -40…+85 °С
Время: доступа: 5,4 нс
Размер: памяти: 256 Mbit
Напряжение питания: 3…3,6 В
Частота: тактовая (max): 167 М Гц
Тип монтажа: SMD/SMT
Категория: DRAM
Недавно просмотренные товары:
Мой аккаунт
ИНФОРМАЦИЯ
Интернет-магазин. Купить электронные компоненты и радиодетали
- Почта: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
- Более 1 000 000 товаров в наличии и под заказ!
