Микросхемы
Микросхема по своей сути является микроэлектронным устройством, изготовленным на полупроводниковой пластине или плёнке. Для упрощения их установки и защиты от возможных повреждений они помещаются в особые корпусы. Микросхемы значительно облегчают жизнь практически каждого человека в современном мире, поскольку именно благодаря им гигантское количество транзисторов можно закрепить на одном кристалле площадью в несколько квадратных сантиметров.
Компания «Радио-Гуру» предлагает вам широкий выбор самых разнообразных микросхем. В нашем ассортименте представлены микросхемы памяти, питания, отечественные версии и т.д. Все наши товары сертифицированы заводами-производителями и являются высококачественными комплектующими для большого количества устройств. Мы также обеспечиваем доставку в кратчайшие сроки, а если вы проживаете в пределах Москвы, вы лично можете забрать необходимую вам микросхему в нашем магазине.
Чтобы корректно направить нам заявку на приобретение электронных компонентов и других товаров, необходимо:
1) Указать ТИП ИЗДЕЛИЯ, НАИМЕНОВАНИЕ, БРЕНД, ГОД ВЫПУСКА ИЗДЕЛИЯ, ПРИЕМКА, КОЛИЧЕСТВОИ направить нам заявку на электронный почтовый адрес — Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
Рассмотрение заявок занимает как правило, 1-3 рабочих дня.
Рабочая температура: -10…+70 °С
Корпус: TSSOP-56
Напряжение питания: 0…3,3 В
Скорость: передачи данных: 3,78 Гбит/с
Вес: 0,1 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Тип: Translation - Voltage Levels
Напряжение питания: 1,65…5,5 В
Особенности: Enable Pin
Способ монтажа: SMD/SMT
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: SOIC8
Ток: собственного потребления: 1,1 мА
Напряжение питания: 4,4…16 В
Частота: единичного усиления: 2,18 М Гц
Скорость: нарастания выходного сигнала: 3,6 В/мкс
Количество: каналов: 2
Рабочая температура: 0…70 °С
Корпус: SOIC16
Выходной ток: 0…200 мА
Примечание: Adjustable Switching Frequency, Dead Time Control, Error Amplifier, Multi-topology
Тип: преобразователя: Повышающий, Понижающий, Обратноходовой, Прямоходовой, Полномостовой, Полумостовой, Push-Pull
Напряжение питания: 7…40 В
Частота: преобразования макс.: 300 Гц
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: TO-92-3
Выходной ток: 1…100 мА
Ток: собственного потребления: 500 мк А
Входное напряжение: 2,5…36 В
Выходное напряжение: 2,5…36 В
Вес: 0,15 г
Рабочая температура: 0…+70 °С
Корпус: soic-8(0.154 inch)
Ток: собственного потребления: 1,4 мА
Тип: усилителя: с входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Напряжение: смещения на входе: 3000 мк В
Характеристика: Токовое смещение на входе: 0,03 н А
Напряжение питания: однополярное(+)/двуполярное (±): +7…36, ±3.5…18 В
Частота: единичного усиления: 3 М Гц
Скорость: нарастания выходного сигнала: 13 В/мкс
Количество: каналов: 1
Вес: 1,9 г
Рабочая температура: 0…+70 °С
Корпус: dip-14(0.300 inch)
Ток: собственного потребления: 1,4 мА
Тип: усилителя: с входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Напряжение: смещения на входе: 3000 мк В
Характеристика: Токовое смещение на входе: 0,065 н А
Напряжение питания: однополярное(+)/двуполярное (±): ±5…15 В
Частота: единичного усиления: 3 М Гц
Скорость: нарастания выходного сигнала: 13 В/мкс
Количество: каналов: 4
Рабочая температура: 0…+70 °С
Корпус: SOIC14
Ток: собственного потребления: 1,4 мА
Напряжение питания: 7…36 В
Частота: единичного усиления: 3 М Гц
Скорость: нарастания выходного сигнала: 13 В/мкс
Количество: каналов: 4
Вес: 1 г
Рабочая температура: 0…+70 °С
Корпус: dip-8(0.300 inch)
Ток: собственного потребления: 1,4 мА
Тип: усилителя: с входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Напряжение: смещения на входе: 3000 мк В
Характеристика: Токовое смещение на входе: 0,065 н А
Напряжение питания: однополярное(+)/двуполярное (±): ±5…15 В
Частота: единичного усиления: 3 М Гц
Скорость: нарастания выходного сигнала: 13 В/мкс
Количество: каналов: 1
Вес: 0,39 г
Максимальный ток: нагрузки: 0,8 А
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: SOT-223
Входное напряжение: макс.: 15 В
Выходное напряжение: 3,3 В
Тип выхода: фиксированный
Полярность: положительная
Падение напряжения: 1,3 В
Количество выходов: 1
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: SOIC8
Ток: собственного потребления: 700 мк А
Напряжение питания: 3…16 В
Частота: единичного усиления: 320 Гц
Скорость: нарастания выходного сигнала: 3,6 В/мкс
Количество: каналов: 2
Рабочая температура: -40…+150 °С
Корпус: SOIC8
Выходной ток: макс.: 3,5 А
Ток: собственного потребления: 82 мк А
Примечание: Switching Regulator, Current-mode, 3.5A, 1000kHz Switching Freq-Max, PDSO8
Входное напряжение: 3,5…28 В
Выходное напряжение: 0,8…25 В
Частота: преобразования: 1 М Гц
Количество выходов: 1
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: SOT235
Выходной ток: макс.: 200 мА
Ток: собственного потребления: 30 мк А
Погрешность: установки выходного напряжения: 2,5%
Входное напряжение: 2…5,5 В
Выходное напряжение: 3,3 В
Падение напряжения: вход-выход: 175 м В
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: SOT235
Выходной ток: макс.: 300 мА
Ток: собственного потребления: 30 мк А
Погрешность: установки выходного напряжения: 2%
Входное напряжение: 2…5,5 В
Выходное напряжение: 1,8 В
Падение напряжения: вход-выход: 220 м В
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: SOT235
Ток: собственного потребления: 15 мк А
Примечание: Активный уровень "0", Открытый сток
Напряжение: пороговое: 2,93 В
Количество: супервизоров: 1
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: SOT236
Ток: собственного потребления: 2,4 мк А
Примечание: Активный уровень "0", Открытый сток
Напряжение: пороговое: 3,07 В
Количество: супервизоров: 1
Рабочая температура: 0…+70 °С
Корпус: SOT235
Вес: 0,6 г
Корпус: htssop-28 ep
Мощность: канала выходная: 15 Вт
Напряжение питания: 8…26 В
Вид: напряжения питания: однополярное
Количество: каналов: 2
Сопротивление нагрузки: 8 Ом
Недавно просмотренные товары:
Мой аккаунт
ИНФОРМАЦИЯ
Интернет-магазин. Купить электронные компоненты и радиодетали
- Почта: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
- Более 1 000 000 товаров в наличии и под заказ!
