Микросхемы
Микросхема по своей сути является микроэлектронным устройством, изготовленным на полупроводниковой пластине или плёнке. Для упрощения их установки и защиты от возможных повреждений они помещаются в особые корпусы. Микросхемы значительно облегчают жизнь практически каждого человека в современном мире, поскольку именно благодаря им гигантское количество транзисторов можно закрепить на одном кристалле площадью в несколько квадратных сантиметров.
Компания «Радио-Гуру» предлагает вам широкий выбор самых разнообразных микросхем. В нашем ассортименте представлены микросхемы памяти, питания, отечественные версии и т.д. Все наши товары сертифицированы заводами-производителями и являются высококачественными комплектующими для большого количества устройств. Мы также обеспечиваем доставку в кратчайшие сроки, а если вы проживаете в пределах Москвы, вы лично можете забрать необходимую вам микросхему в нашем магазине.
Чтобы корректно направить нам заявку на приобретение электронных компонентов и других товаров, необходимо:
1) Указать ТИП ИЗДЕЛИЯ, НАИМЕНОВАНИЕ, БРЕНД, ГОД ВЫПУСКА ИЗДЕЛИЯ, ПРИЕМКА, КОЛИЧЕСТВОИ направить нам заявку на электронный почтовый адрес — Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
Рассмотрение заявок занимает как правило, 1-3 рабочих дня.
Вес: не более 0,65 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 401.14-5
Напряжение питания: 5 ±10% В
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 402.16-33
Напряжение питания: 4,5…11 В
Вес: не более 1 г
Корпус: 2101.8-1
Ток: потребления: не более 6 мА
Напряжение питания: смещения нуля: не более 3 В
Вес: не более 1 г
Корпус: DIP14
Ток: потребления: логического нуля 42 mA; логической единицы 24 mA
Время: задержки распространения: при включении 7,5 ns; при выключении 7,0 ns
Напряжение питания: 5 V
Выходное напряжение: логического нуля 0,5 V; логической единицы 2,7 V
Входной ток: логического нуля -2 mA; логической единицы 0,05 mA
Емкость: нагрузки - < 15 пФ
Напряжение питания: 5±5 % В
Выходное напряжение: высокого уровня - > 2,4 В
Входной ток: высокого уровня - < -0,8 мА
Вес: не более 2 г
Корпус: 201.14-8
Напряжение питания: 5±5 % В
Входное напряжение: высокого уровня - > 2,4 В
Выходной ток: 8 мА
Мощность: потребляемая: ≤ 323 м Вт
Напряжение: выходного сигнала высокого уровня: -40 В
Частота: входного сигнала: 1 М Гц
Входной ток: 1,2 мА
Вес: не более 2,5 г
Корпус: 2103.16-3
Ток: потребления:
Напряжение питания: 5 В ±5% В
Вес: не более 2,3 г
Корпус: 201.14-8
Напряжение питания: 5±5 % В
Входное напряжение: высокого уровня - > 2,7 В
Вес: не более 1,2 г
Рабочая температура: -10-+70 °С
Корпус: 201.14-1
Выходной ток: 0,15 А
Входное напряжение: 20 В
Выходное напряжение: 3-12 В
Нестабильность: по напряжению: 0,5 %/ В
Вес: 1 г
Корпус: DIP-16
Емкость: нагрузки макс.: 15 пФ
Напряжение питания: 4,75-5,25 В
Ток: потребления: не более 6 мА
Напряжение: опорное: 1,1 В
Напряжение питания: 4,5…6 В
Сопротивление: датчика: 100 Ом
Корпус: 2102.14-2
Вес: не более 1,2 г
Корпус: 238.16-2
Корпус: DIP-14
Вес: не более 1,5 г
Корпус: 2103.16-6
Ток: потребления: 5…38 мА
Напряжение питания: 12+-5% В
Вес: не более 1 г
Рабочая температура: -45…+85 °С
Корпус: 201.14-1
Ток: потребления: ≤6 мА
Напряжение питания: ±6,3 В ±10%
Вес: не более 1 г
Корпус: 201.14-1
Ток: коллектора:10 мА
Мощность: рассеиваемая: 20 м Вт
Напряжение: эмиттер-база: 5 В
Недавно просмотренные товары:
Мой аккаунт
ИНФОРМАЦИЯ
Интернет-магазин. Купить электронные компоненты и радиодетали
- Почта: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
- Более 1 000 000 товаров в наличии и под заказ!