Микросхемы
Микросхема по своей сути является микроэлектронным устройством, изготовленным на полупроводниковой пластине или плёнке. Для упрощения их установки и защиты от возможных повреждений они помещаются в особые корпусы. Микросхемы значительно облегчают жизнь практически каждого человека в современном мире, поскольку именно благодаря им гигантское количество транзисторов можно закрепить на одном кристалле площадью в несколько квадратных сантиметров.
Компания «Радио-Гуру» предлагает вам широкий выбор самых разнообразных микросхем. В нашем ассортименте представлены микросхемы памяти, питания, отечественные версии и т.д. Все наши товары сертифицированы заводами-производителями и являются высококачественными комплектующими для большого количества устройств. Мы также обеспечиваем доставку в кратчайшие сроки, а если вы проживаете в пределах Москвы, вы лично можете забрать необходимую вам микросхему в нашем магазине.
Чтобы корректно направить нам заявку на приобретение электронных компонентов и других товаров, необходимо:
1) Указать ТИП ИЗДЕЛИЯ, НАИМЕНОВАНИЕ, БРЕНД, ГОД ВЫПУСКА ИЗДЕЛИЯ, ПРИЕМКА, КОЛИЧЕСТВОИ направить нам заявку на электронный почтовый адрес — Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
Рассмотрение заявок занимает как правило, 1-3 рабочих дня.
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: TO-92-3
Выходной ток: 1…100 мА
Ток: собственного потребления: 500 мк А
Входное напряжение: 2,5…36 В
Выходное напряжение: 2,5…36 В
Корпус: SOT-23-5 (SMD)
Выходной ток: через шунт - 0,6…100 (max) мА
Тип: Прецизионный источник опорного напряжения серии TL431
Входное напряжение: (max) - 37 (серия VREF) В
Особенности: программируемый; шунтируемый
Выходное напряжение: (регулируемое) - 2,495…36 (max) В
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
Коэффициент: температурный - 92 ppm/ С
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Точность: регулирования напряжения - 1 %
Упаковка: REEL
Вес: 1 г
Рабочая температура: 0…+70 °С
Корпус: dip-8(0.300 inch)
Ток: собственного потребления: 1,4 мА
Тип: усилителя: с входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Напряжение: смещения на входе: 3000 мк В
Характеристика: Токовое смещение на входе: 0,03 н А
Напряжение питания: однополярное(+)/двуполярное (±): +7…36, ±3.5…18 В
Частота: единичного усиления: 3 М Гц
Скорость: нарастания выходного сигнала: 13 В/мкс
Количество: каналов: 2
Вес: 0,15 г
Рабочая температура: 0…+70 °С
Корпус: soic-8(0.154 inch)
Ток: собственного потребления: 1,4 мА
Тип: усилителя: с входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Напряжение: смещения на входе: 3000 мк В
Характеристика: Токовое смещение на входе: 0,03 н А
Напряжение питания: однополярное(+)/двуполярное (±): +7…36, ±3.5…18 В
Частота: единичного усиления: 3 М Гц
Скорость: нарастания выходного сигнала: 13 В/мкс
Количество: каналов: 1
Вес: 1,9 г
Рабочая температура: 0…+70 °С
Корпус: dip-14(0.300 inch)
Ток: собственного потребления: 1,4 мА
Тип: усилителя: с входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Напряжение: смещения на входе: 3000 мк В
Характеристика: Токовое смещение на входе: 0,065 н А
Напряжение питания: однополярное(+)/двуполярное (±): ±5…15 В
Частота: единичного усиления: 3 М Гц
Скорость: нарастания выходного сигнала: 13 В/мкс
Количество: каналов: 4
Рабочая температура: 0…+70 °С
Корпус: SOIC14
Ток: собственного потребления: 1,4 мА
Напряжение питания: 7…36 В
Частота: единичного усиления: 3 М Гц
Скорость: нарастания выходного сигнала: 13 В/мкс
Количество: каналов: 4
Вес: 1 г
Рабочая температура: 0…+70 °С
Корпус: dip-8(0.300 inch)
Ток: собственного потребления: 1,4 мА
Тип: усилителя: с входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Напряжение: смещения на входе: 3000 мк В
Характеристика: Токовое смещение на входе: 0,065 н А
Напряжение питания: однополярное(+)/двуполярное (±): ±5…15 В
Частота: единичного усиления: 3 М Гц
Скорость: нарастания выходного сигнала: 13 В/мкс
Количество: каналов: 2
Вес: 1 г
Рабочая температура: 0…+70 °С
Корпус: dip-8(0.300 inch)
Ток: собственного потребления: 1,4 мА
Тип: усилителя: с входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Напряжение: смещения на входе: 3000 мк В
Характеристика: Токовое смещение на входе: 0,065 н А
Напряжение питания: однополярное(+)/двуполярное (±): ±5…15 В
Частота: единичного усиления: 3 М Гц
Скорость: нарастания выходного сигнала: 13 В/мкс
Количество: каналов: 1
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: SOIC8
Ток: потребления: 660 мк А
Напряжение питания: 4,5…5 В
Скорость: передачи данных: 300 кбит/с
Количество: приёмников: 1
Вес: 0,1 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Тип: Translation - Voltage Levels
Напряжение питания: 1,65…5,5 В
Особенности: Enable Pin
Способ монтажа: SMD/SMT
Недавно просмотренные товары:
Мой аккаунт
ИНФОРМАЦИЯ
Интернет-магазин. Купить электронные компоненты и радиодетали
- Почта: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
- Более 1 000 000 товаров в наличии и под заказ!