Микросхемы
Микросхема по своей сути является микроэлектронным устройством, изготовленным на полупроводниковой пластине или плёнке. Для упрощения их установки и защиты от возможных повреждений они помещаются в особые корпусы. Микросхемы значительно облегчают жизнь практически каждого человека в современном мире, поскольку именно благодаря им гигантское количество транзисторов можно закрепить на одном кристалле площадью в несколько квадратных сантиметров.
Компания «Радио-Гуру» предлагает вам широкий выбор самых разнообразных микросхем. В нашем ассортименте представлены микросхемы памяти, питания, отечественные версии и т.д. Все наши товары сертифицированы заводами-производителями и являются высококачественными комплектующими для большого количества устройств. Мы также обеспечиваем доставку в кратчайшие сроки, а если вы проживаете в пределах Москвы, вы лично можете забрать необходимую вам микросхему в нашем магазине.
Чтобы корректно направить нам заявку на приобретение электронных компонентов и других товаров, необходимо:
1) Указать ТИП ИЗДЕЛИЯ, НАИМЕНОВАНИЕ, БРЕНД, ГОД ВЫПУСКА ИЗДЕЛИЯ, ПРИЕМКА, КОЛИЧЕСТВОИ направить нам заявку на электронный почтовый адрес — Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
Рассмотрение заявок занимает как правило, 1-3 рабочих дня.
Рабочая температура: -60°C …+125 °С
Корпус: 401.14-5
Ток: потребления, не более: 0,08 мА
Напряжение питания: 2… 6 В
Рабочая температура: -60°C …+125 °С
Корпус: 401.14-5
Ток: потребления, не более: 0,04 мА
Напряжение питания: 2… 6 В
Рабочая температура: -60°C …+125 °С
Корпус: 401.14-5
Ток: потребления, не более: 0,04 мА
Напряжение питания: 2… 6 В
Рабочая температура: -60°C …+125 °С
Корпус: 401.14-5
Ток: потребления, не более: 0,04 мА
Напряжение питания: 2… 6 В
Вес: не более 6 г
Рабочая температура: -10…+70 °С
Корпус: 413.48-5
Ток: Uп1 -
Напряжение питания: Uп1 - 5+-10%; Uп2 - 12+-10%; Uп3 - -5+-5% В
Вес: 3 г
Корпус: 151.15-2
Вес: 3 г
Корпус: 151.15-2
Вес: не более 8 г
Рабочая температура: -10…+70 °С
Корпус: 2123.40-6
Ток: потребления:
Напряжение питания: 5+-10% В
Вес: 2,5 г
Корпус: КТ-28-2
Рабочая температура: -60°C …+125 °С
Корпус: 402.16-23
Ток: потребления, не более: 0,08 мА
Напряжение питания: 2… 6 В
Ток утечки: не более 5 мк А
Рабочая температура: -10…+70 °С
Корпус: 201.14-1
Напряжение питания: +3 В+5%
Корпус: 2101.8-1
Ток: потребления: 5 мА
Напряжение питания: 6…15 В
Входной ток: не более 10 мк А
Ток: коллектора обратный:
Время: рассасывания:
Мощность: рассеиваемая:
Напряжение: насыщения коллектор-эмиттер:
Коэффициент: передачи по току: 30…90
Ток: коллектора обратный:
Время: рассасывания:
Мощность: рассеиваемая:
Напряжение: насыщения коллектор-эмиттер:
Коэффициент: передачи по току: 30…90
Вес: не более 1,2 г
Корпус: 201.14-1
Ток: потребления: 11…22 мА
Напряжение питания: 12±5% В
Вес: не более 1,8 г
Рабочая температура: -10-+70 °С
Корпус: 2101.8-1
Ток: потребления: не более 17 мА
Напряжение питания: ±12±5% В
Выходное напряжение: высокого уровня: не менее 5 В
Вес: не более 1 г
Рабочая температура: -10…+70 °С
Корпус: КТ-27
Ток: потребления:
Выходное напряжение: 15+-0,6 В
Вес: не более 1 г
Рабочая температура: -10…+70 °С
Корпус: КТ-27
Ток: потребления:
Вес: не более 1,5 г
Корпус: 2103.16-1
Ток: потребления:
Мощность: потребляемая:
Напряжение питания: 2,7…4,5 В
Вес: 1,3 г
Корпус: DIP-18
Вес: не более 2 г
Рабочая температура: -10…+70 °С
Корпус: 2104.18-9
Ток: потребления: 5…18 мА
Время: задержки сигнала переключения видео-головок: > 2 мс
Напряжение: срабатывания коммутатора: < 4,5 В
Напряжение питания: 5 В +10%
Коэффициент: усиления усилителя синхроимпульсов: > 400
Вес: 1,2 г
Корпус: 238.16-2
Корпус: DIP16
Вес: не более 1,4 г
Корпус: 2101.14-1
Ток: потребления: 26 мА
Напряжение питания: 9 В
Входное сопротивление: не менее 1,2 Ом
Входной ток: 100 мк А
Вес: не более 2,3 г
Корпус: 201.14-8
Напряжение питания: 5±5 % В
Входное напряжение: высокого уровня - > 2,4 В
Мощность: потребляемая: не более 23 м Вт
Напряжение питания: -4±5% В
Входной ток: от 1,35 до 1,62 мА
Вес: 1,5 г
Рабочая температура: -60…+70 °С
Время: задержки распространения при вкл/выкл: 220 на/180 нс
Мощность: потребления: < 67 м Вт
Напряжение: помехи: < 0,3 В
Напряжение питания: ±4±10% В
Выходное напряжение: высокого ур. > -1,35 В; низкого ур. < -0,33 В
Коэффициент: объединения: 8
Вес: 1,5 г
Рабочая температура: -60…+70 °С
Время: задержки распространения при вкл/выкл: 220 на/180 нс
Мощность: потребления: < 67 м Вт
Напряжение: помехи: < 0,3 В
Напряжение питания: ±4±10% В
Выходное напряжение: высокого ур. > -1,35 В; низкого ур. < -0,33 В
Коэффициент: объединения: 8
Время: вкл/выкл: 200/220 нс
Мощность: потребляемая, не более: Uип1 6; Uип2 22; Uип2 0,05 м Вт
Напряжение питания: Uип1 4±5%; Uип2 -4±5%; Uип2 -0,25±15% В
Коэффициент: разветвления: 5
Входной ток: от 0,8 до 1,4 мА
Вес: 1,5 г
Корпус: Посол
Вес: 1,5 г
Корпус: Посол
Вес: не более 1,6 г
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 427.18-2.03
Напряжение питания: 5 ±10% В
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: 8-SOIC
Выходной ток: 500 мА
Тип: Step-Down (Buck)
Входное напряжение: 4,5…60 В
Выходное напряжение: 5 В
Частота: переключения: 150 Гц
Тип монтажа: Поверхностный
Количество выходов: 1
Вес: не более 1,5 г
Рабочая температура: -60-+125 °С
Корпус: 402.16-32
Ток: потребления: не более 0,4 мА
Напряжение питания: 4,2-13,5 В
Вес: не более 1 г
Рабочая температура: -60-+125 °С
Корпус: 401.14-5
Ток: потребления: не более 0,006 мА
Напряжение питания: 4,2-13,5 В
Корпус: 402.16-32
Вес: не более 6 г
Корпус: 1504.9-1
Вес: не более 1,5 г
Корпус: 301.8-2
Вес: не более 2,5 г
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 4131.24-3
Ток: потребления, не более 1 мА
Напряжение питания: 5 ±10% В
Вес: не более 5 г
Корпус: 239.24-1
Ток: потребления: не более 10 мА
Напряжение питания: 2,5…5 В
Вес: не более 1,8 г
Рабочая температура: -60…+100 °С
Корпус: 427.18-2
Ток: потребления, не более 1 мА
Напряжение питания: 5 ±10% В
Вес: 0,4 г
Корпус: 401.14-3
Вес: 0,35 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 401.14-3
Выходной ток: вытекающий < 15 мА
Температура: кристалла предельная 150 °С
Мощность: рассеяния без теплоотвода < 100 м В
Емкость: нагрузки макс. < 200 пФ
Напряжение: на входе относительно «земли»
Напряжение питания: 6 В
Сопротивление: тепловое кристалл-среда 0,25°С/м Вт
Вес: 0,35 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 401.14-3
Выходной ток: вытекающий < 15 мА
Температура: кристалла предельная 150 °С
Мощность: рассеяния без теплоотвода < 100 м В
Емкость: нагрузки макс. < 200 пФ
Напряжение: на входе относительно «земли»
Напряжение питания: 6 В
Сопротивление: тепловое кристалл-среда 0,25°С/м Вт
Вес: 0,35 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 401.14-4
Выходной ток: вытекающий < 15 мА
Температура: кристалла предельная 150 °С
Мощность: рассеяния без теплоотвода < 100 м В
Емкость: нагрузки макс. < 200 пФ
Напряжение: на входе относительно «земли»
Напряжение питания: 6 В
Сопротивление: тепловое кристалл-среда 0,25°С/м Вт
Рабочая температура: -60°C… +85 °С
Корпус: 401.14-5
Ток: потребления, не более: 0,2 мА
Напряжение питания: 9±10% В
Корпус: 401.14-5
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 402.16-33
Ток: потребления: не более 0,6 мА
Напряжение питания: 4,5…11 В
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 402.16-33
Напряжение питания: 4,5…11 В
Вес: не более 2 г
Рабочая температура: -60-+125 °С
Корпус: 405.24-3.03
Ток: потребления: не более 160 мА
Напряжение питания: 15 В ±10%
Корпус: 201.16-13
Вес: 0,45 г
Рабочая температура: -60°C…+125 °С
Корпус: 401.14-5
Ток: потребления, не более: 14 мА
Напряжение питания: 5±10 % В
Вес: 0,45 г
Корпус: 401.14-5
Выходное напряжение: низкого ур. 0,35 В; высокого ур. 2,4 В
Входной ток: низкого ур. -2,3 мА; высокого ур. 0,07 мА
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 402.16-32
Ток: потребления: не более 0,12 мА
Напряжение питания: 4,5…11 В
Рабочая температура: -60 +125 °С
Корпус: 402.16-32
Напряжение питания: 5 В +-10%
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 402.16-32
Напряжение: на входе, предельное: от -0,5 В до (UСС + 0,5) В
Напряжение питания: предельное: от -0,5 В до 12,0 В
Вес: не более 1,5 г
Рабочая температура: -60-+125 °С
Корпус: 4112.16-1
Ток: потребления: не более 0,3 мА
Напряжение питания: 4,2-13,5 В
Вес: 5 г
Корпус: 42-выводной планарный
Вес: не более 1,5 г
Корпус: 402.16-18
Вес: не более 2,1 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 4119.28-1.01
Ток: потребления: не более 130 мА
Напряжение питания: 5 ±10% В
Вес: не более 1,5 г
Рабочая температура: -60-+125 °С
Корпус: 402.16-33
Напряжение питания: 4,2-15 В
Рабочая температура: -60-+125 °С
Корпус: 4118.24-2
Вес: не более 1,5 г
Рабочая температура: -60-+125 °С
Корпус: 402.16-33
Напряжение питания: 4,2-13,5 В
Рабочая температура: -60-+125 °С
Корпус: 402.16-33
Напряжение питания: 4,2-15 В
Вес: 1,5 г
Корпус: 24-выводной планарный
Корпус: 18-выводной планарный
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 4131.24-3.03
Напряжение питания: 5 ±10% В
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 4131.24-3.01
Напряжение питания: 5 ±10% В
Вес: не более 1,2 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 4112.16-3
Напряжение питания: 5 ±10% В
Вес: не более 1,1 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 402.16-32
Ток: потребления: не более 12 мА
Напряжение питания: 5 ±10% В
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 402.16-32
Напряжение питания: 5 ±10% В
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 402.16-32
Напряжение питания: 5 ±10% В
Вес: 1 г
Корпус: 16-выводной планарный
Вес: 0,4 г
Корпус: 401.14-6
Рабочая температура: -60-+125 °С
Корпус: 4118.24-1
Напряжение питания: 5 ±10% В
Рабочая температура: -60°C… +125 °С
Корпус: 401.14-5
Напряжение питания: 5±10% В
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 402.16-32
Ток: потребления: не более 0,15 мА
Напряжение питания: 4,5…11 В
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 4118.24-2
Ток: потребления: не более 0,3 мА
Напряжение питания: 4,5…11 В
Корпус: 301.12-1
Рабочая температура: -60°C…+125 °С
Корпус: 3101.8-1
Ток: потребления, не более: 7,5 мА
Напряжение питания: 15 ±10% В
Срок службы: 25 ет
Вес: 0,35 г
Рабочая температура: -60… +125 °С
Корпус: 401.14-3
Номинальное напряжение: 5 В+-10%
Корпус: 401.14-4
Вес: 6 г
Корпус: CERDIP-40
Вес: 0,35 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 401.14-3
Выходной ток: вытекающий < 15 мА
Температура: кристалла предельная 150 °С
Мощность: рассеяния без теплоотвода < 100 м В
Емкость: нагрузки макс. < 200 пФ
Напряжение: на входе относительно «земли»
Напряжение питания: 6 В
Сопротивление: тепловое кристалл-среда 0,25°С/м Вт
Вес: 1 г
Корпус: 402.16-6
Вес: 1,5 г
Рабочая температура: -10… +70 °С
Корпус: 402.16-6
Выходной ток: макс.: 40 мА
Температура: кристалла, предельно допустимая: 125 °С
Напряжение питания: 6 В
Входное напряжение: мин.: -5,5 В
Вес: 1 г
Корпус: 402.16-6
Вес: 1,5 г
Рабочая температура: -10… +70 °С
Корпус: 402.16-6
Выходной ток: макс.: 40 мА
Температура: кристалла, предельно допустимая: 125 °С
Напряжение питания: 6 В
Входное напряжение: мин.: -5,5 В
Вес: 1,5 г
Рабочая температура: -10… +70 °С
Корпус: 402.16-6
Выходной ток: макс.: 40 мА
Температура: кристалла, предельно допустимая: 125 °С
Напряжение питания: 6 В
Входное напряжение: мин.: -5,5 В
Вес: 1,5 г
Рабочая температура: -10… +70 °С
Корпус: 402.16-6
Выходной ток: макс.: 40 мА
Температура: кристалла, предельно допустимая: 125 °С
Напряжение питания: 6 В
Входное напряжение: мин.: -5,5 В
Вес: 1 г
Рабочая температура: -10… +70 °С
Корпус: 402.16-6
Выходной ток: макс.: 40 мА
Температура: кристалла, предельно допустимая: 125 °С
Напряжение питания: 6 В
Входное напряжение: мин.: -5,5 В
Вес: 1,5 г
Рабочая температура: -10… +70 °С
Корпус: 402.16-6.03
Выходной ток: макс.: 40 мА
Температура: кристалла, предельно допустимая: 125 °С
Напряжение питания: 6 В
Входное напряжение: мин.: -5,5 В
Вес: 1,5 г
Рабочая температура: -10… +70 °С
Корпус: 402.16-6.03
Выходной ток: макс.: 40 мА
Температура: кристалла, предельно допустимая: 125 °С
Напряжение питания: 6 В
Входное напряжение: мин.: -5,5 В
Вес: не более 1 г
Корпус: 201.14-1
Ток: коллектора:10 мА
Мощность: рассеиваемая: 20 м Вт
Напряжение: эмиттер-база: 5 В
Рабочая температура: -60-+125 °С
Корпус: 401.14-5
Напряжение питания: 4,2-15 В
Вес: не более 1 г
Рабочая температура: -60-+125 °С
Корпус: 401.14-5
Ток: потребления: не более 1,0 мА
Напряжение питания: 4,2-13,5 В
Вес: не более 7 г
Корпус: 244.48-5
Вес: не более 1,3 г
Корпус: 2101.14-1
Ток: потребления: не более 0,25 мА
Напряжение питания: не более +-18 В
Вес: не более 1,3 г
Корпус: 2101.8-1
Ток: потребления: не более 0,25 мА
Напряжение питания: не более +-18 В
Рабочая температура: -60°C… +125 °С
Корпус: 401.14-5
Напряжение питания: 5±10% В
Вес: не более 1,6 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 427.18-1
Напряжение питания: ±15 ±10% В
Рабочая температура: -60-+85 °С
Ток: потребления: не более 0,02 мА
Напряжение питания: 5 ±20% В
Вес: 0,35 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 401.14-5 М
Напряжение питания: 5 ±10% В
Вес: 1,5 г
Рабочая температура: -10… +70 °С
Корпус: 402.16-6
Выходной ток: макс.: 40 мА
Температура: кристалла, предельно допустимая: 125 °С
Напряжение питания: 6 В
Входное напряжение: мин.: -5,5 В
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 402.16-33
Напряжение питания: 4,5…11 В
Вес: 1 г
Корпус: 301.8-2
Вес: 1,5 г
Корпус: 301.12-1
Ток утечки: 2 н А
Ток: стока начальный: 15 мА
Коэффициент: шума: 2 дБ
Вес: 1,5 г
Корпус: 301.12-1
Вес: 0,8 г
Корпус: 401.14-5
Вес: 0,33 г
Корпус: 401.14-3
Ток: базы: 10 мА
Напряжение: коллектор-база обратное: 20 В
Вес: не более 2,2 г
Корпус: 201.14-8
Ток: потребления:
Напряжение питания: 5±5 % В
Вес: не более 2,2 г
Корпус: 201.14-8
Ток: потребления:
Напряжение питания: 5±5 % В
Выходное напряжение: высокого уровня - > 2,4 В
Входной ток: высокого уровня - < 0,04 мА
Рабочая температура: -45..+85oC
Корпус: CDIP-16
Выходной ток: "0", не менее: 16 мА
Ток: потребления, max: 42 мА
Напряжение питания: +5В ±5%
Выходное напряжение: лог.1: >2,4 В
Входной ток: (1/0) 0,04/-1,6 мА
Вес: 0,15 г
Корпус: SO-16
Емкость: нагрузки - < 15 пФ
Напряжение питания: 5±5 % В
Выходное напряжение: высокого уровня - > 2,4 В
Входной ток: высокого уровня - < -0,8 мА
Емкость: нагрузки - < 15 пФ
Напряжение питания: 5±5 % В
Выходное напряжение: высокого уровня - > 2,4 В
Входной ток: высокого уровня - < -0,8 мА
Вес: не более 0,3 г
Корпус: КТ-26
Выходной ток: 0,1 А
Мощность: рассеиваемая макс.: 0,625 Вт
Входное напряжение: -30 В
Выходное напряжение: -9 В
Вес: 0,6 г
Корпус: DIP-8
Рабочая температура: -60°C… +125 °С
Корпус: 402.16-32
Ток: потребления, не более: 22 мА
Напряжение питания: 5±10% В
Рабочая температура: -60-+125 °С
Корпус: 405.24-2
Ток: потребления: не более 185 мА
Напряжение питания: 15 В ±10%
Рабочая температура: -60°C… +125 °С
Корпус: 401.14-5
Напряжение питания: 5±10% В
Рабочая температура: -60°C… +125 °С
Корпус: 401.14-5
Ток: потребления, не более: 26 мА
Напряжение питания: 5±10% В
Вес: 0,35 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 401.14-5
Выходной ток: вытекающий < 15 мА
Температура: кристалла предельная 150 °С
Мощность: рассеяния без теплоотвода < 100 м В
Емкость: нагрузки макс. < 200 пФ
Напряжение: на входе относительно «земли»
Напряжение питания: 6 В
Сопротивление: тепловое кристалл-среда 0,25°С/м Вт
Вес: 0,35 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 401.14-5
Выходной ток: вытекающий < 15 мА
Температура: кристалла предельная 150 °С
Мощность: рассеяния без теплоотвода < 100 м В
Емкость: нагрузки макс. < 200 пФ
Напряжение: на входе относительно «земли»
Напряжение питания: 6 В
Сопротивление: тепловое кристалл-среда 0,25°С/м Вт
Вес: 0,35 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 401.14-5
Выходной ток: вытекающий < 15 мА
Температура: кристалла предельная 150 °С
Мощность: рассеяния без теплоотвода < 100 м В
Емкость: нагрузки макс. < 200 пФ
Напряжение: на входе относительно «земли»
Напряжение питания: 6 В
Сопротивление: тепловое кристалл-среда 0,25°С/м Вт
Вес: не более 1,1 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 402.16-32
Ток: потребления: не более 23 мА
Напряжение питания: 5 ±10% В
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 427.18-2.01
Ток: потребления, не более 0,3 мА
Напряжение питания: 5 ±10% В
Рабочая температура: -60°C… +125 °С
Корпус: 401.14-5
Ток: потребления, не более: 1,25 мА
Напряжение питания: 5±10% В
Вес: не более 0,65 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 401.14-5
Напряжение питания: 5 ±10% В
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 402.16-33
Напряжение питания: 4,5…11 В
Корпус: MSOP-8 (SMD)
Мощность: рассеиваемая (Pd) - 200 м Вт
Тип: Логарифмический демодулирующий усилитель серии AD8310
Напряжение питания: 2,7…5,5 (max) В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Потребляемый ток: 8 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL7
Количество: каналов - 1
Полоса пропускания: 3 дБ -900 М Гц
Вес: не более 1 г
Корпус: 2101.8-1
Ток: потребления: не более 6 мА
Напряжение питания: смещения нуля: не более 3 В
Вес: не более 1 г
Корпус: DIP14
Ток: потребления: логического нуля 42 mA; логической единицы 24 mA
Время: задержки распространения: при включении 7,5 ns; при выключении 7,0 ns
Напряжение питания: 5 V
Выходное напряжение: логического нуля 0,5 V; логической единицы 2,7 V
Входной ток: логического нуля -2 mA; логической единицы 0,05 mA
Емкость: нагрузки - < 15 пФ
Напряжение питания: 5±5 % В
Выходное напряжение: высокого уровня - > 2,4 В
Входной ток: высокого уровня - < -0,8 мА
Вес: не более 2 г
Корпус: 201.14-8
Напряжение питания: 5±5 % В
Входное напряжение: высокого уровня - > 2,4 В
Выходной ток: 8 мА
Мощность: потребляемая: ≤ 323 м Вт
Напряжение: выходного сигнала высокого уровня: -40 В
Частота: входного сигнала: 1 М Гц
Входной ток: 1,2 мА
Недавно просмотренные товары:
Мой аккаунт
ИНФОРМАЦИЯ
Интернет-магазин. Купить электронные компоненты и радиодетали
- Почта: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
- Более 1 000 000 товаров в наличии и под заказ!