Микросхемы
Микросхема по своей сути является микроэлектронным устройством, изготовленным на полупроводниковой пластине или плёнке. Для упрощения их установки и защиты от возможных повреждений они помещаются в особые корпусы. Микросхемы значительно облегчают жизнь практически каждого человека в современном мире, поскольку именно благодаря им гигантское количество транзисторов можно закрепить на одном кристалле площадью в несколько квадратных сантиметров.
Компания «Радио-Гуру» предлагает вам широкий выбор самых разнообразных микросхем. В нашем ассортименте представлены микросхемы памяти, питания, отечественные версии и т.д. Все наши товары сертифицированы заводами-производителями и являются высококачественными комплектующими для большого количества устройств. Мы также обеспечиваем доставку в кратчайшие сроки, а если вы проживаете в пределах Москвы, вы лично можете забрать необходимую вам микросхему в нашем магазине.
Чтобы корректно направить нам заявку на приобретение электронных компонентов и других товаров, необходимо:
1) Указать ТИП ИЗДЕЛИЯ, НАИМЕНОВАНИЕ, БРЕНД, ГОД ВЫПУСКА ИЗДЕЛИЯ, ПРИЕМКА, КОЛИЧЕСТВОИ направить нам заявку на электронный почтовый адрес — Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
Рассмотрение заявок занимает как правило, 1-3 рабочих дня.
Вес: не более 2,5 г
Корпус: 2103.16-3
Ток: потребления:
Напряжение питания: 5 В ±5% В
Вес: не более 2,3 г
Корпус: 201.14-8
Напряжение питания: 5±5 % В
Входное напряжение: высокого уровня - > 2,7 В
Вес: не более 1,2 г
Рабочая температура: -10-+70 °С
Корпус: 201.14-1
Выходной ток: 0,15 А
Входное напряжение: 20 В
Выходное напряжение: 3-12 В
Нестабильность: по напряжению: 0,5 %/ В
Вес: 1 г
Корпус: DIP-16
Емкость: нагрузки макс.: 15 пФ
Напряжение питания: 4,75-5,25 В
Ток: потребления: не более 6 мА
Напряжение: опорное: 1,1 В
Напряжение питания: 4,5…6 В
Сопротивление: датчика: 100 Ом
Корпус: 2102.14-2
Вес: не более 1,2 г
Корпус: 238.16-2
Корпус: DIP-14
Вес: не более 1,5 г
Корпус: 2103.16-6
Ток: потребления: 5…38 мА
Напряжение питания: 12+-5% В
Вес: не более 1 г
Рабочая температура: -45…+85 °С
Корпус: 201.14-1
Ток: потребления: ≤6 мА
Напряжение питания: ±6,3 В ±10%
Вес: не более 1 г
Корпус: 201.14-1
Ток: коллектора:10 мА
Мощность: рассеиваемая: 20 м Вт
Напряжение: эмиттер-база: 5 В
Вес: не более 1 г
Корпус: 201.14-1
Ток: коллектора:10 мА
Мощность: рассеиваемая: 20 м Вт
Напряжение: эмиттер-база: 5 В
Вес: 0,48 г
Корпус: 201.8-1
Вес: не более 3 г
Корпус: 239.24-1
Напряжение питания: 3…15 В
Входное напряжение: низкого уровня - < 0,1 В
Вес: не более 1 г
Корпус: 201.14-1
Ток: потребления: ≤6 мА
Напряжение питания: 12±10% В
Выходное напряжение: 3 В
Вес: 6 г
Корпус: DIP-40
Вес: 0,9 г
Корпус: DIP-14
Вес: 2 г
Корпус: 1203.15-4
Мощность: потребления: 100 м Вт
Напряжение питания: ±6 В
Вес: не более 1 г
Корпус: 201.14-1
Вес: не более 1 г
Корпус: 201.14-1
Вес: не более 1 г
Корпус: 201.14-1
Вес: 5 г
Корпус: 42-выводной планарный
Вес: не более 7 г
Корпус: 2121.28-5
Ток: потребления: Uп1
Напряжение питания: Uп1 12+-10%; Uп1 5+-10% В
Вес: не более 2,3 г
Корпус: 201.14-8
Напряжение питания: 5±5 % В
Входное напряжение: высокого уровня - > 2,4 В
Корпус: DIP24
Ток: потребления: 50 мА
Напряжение питания: 16,5 - 19,8 В
Выходное напряжение: низкого уровня не более 1,5; высокого уровня не менее 4 В
Мощность: потребления: 300 м Вт
Напряжение: питания: 4+-10% В
Выходное напряжение: высокого уровня:
Частота: входных сигналов:
Вес: не более 1,2 г
Корпус: 201.14-1
Ток: потребления: 11…22 мА
Напряжение питания: 12±10% В
Выходное напряжение: 300 м В
Входное сопротивление: 2,4…3,9 Ом
Частота: ≤12 М Гц
Коэффициент: гармоник: ≤1,5%
Вес: не более 2,2 г
Корпус: 238.16-1
Ток: потребления:
Напряжение питания: 5±5 % В
Выходное напряжение: высокого уровня - > 2,4 В
Входной ток: высокого уровня - < 0,04 мА
Вес: не более 0,3 г
Рабочая температура: -10…+70 °С
Корпус: КТ-26
Выходной ток: 0,1 А
Входное напряжение: 25 В
Выходное напряжение: 6 ±0,12 В
Нестабильность: по напряжению: 0,05 %/ В
Вес: не более 4 г
Корпус: 429.42-1
Ток: потребления: не более 150 мк А
Выходное напряжение: высокого уровня: не менее 9.15 В
Входной ток: не более 200 мА
Ток: потребления: 1,2 мА
Ток управления: 2…20 мк А
Напряжение: смещения: 6 м В
Напряжение питания: +-1,04…+-1,5 В
Коэффициент усиления: 25 в/м В
Входной ток: 50 н А
Вес: не более 2,2 г
Рабочая температура: -10…+70 °С
Корпус: 2107.18-1
Ток: потребления:
Напряжение питания: 5+-% В
Вес: не более 1 г
Рабочая температура: -45…+85 °С
Корпус: 201.14-1
Ток: потребления: ≤6 мА
Напряжение питания: ±6,3 В ±10%
Вес: не более 1,5 г
Корпус: 301.8-2
Ток: потребления: не более 8 мА
Номинальное напряжение: 5±10% В
Вес: не более 0,35 г
Корпус: 401.14-3
Вес: 6,5 г
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: б/корп
Ток: потребления: не более 0.006 мА
Напряжение питания: 4.2 - 13.5 В
Вес: не более 1 г
Рабочая температура: -60-+125 °С
Корпус: 401.14-5
Ток: потребления: не более 0,006 мА
Напряжение питания: 4,2-13,5 В
Вес: не более 1,8 г
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 427.18-2.02
Ток: потребления, не более 0,1 мА
Напряжение питания: 5 ±10% В
Ток утечки: не более 2 мк А
Ток: стока начальный: не более 1,5 мА
Коэффициент: шума: не более 2 дБ
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 1203.15-3
Сопротивление изоляции: не менее 1000 М Ом
Корпус: 155.15-1
Корпус: 155.15-1
Время: задержки распространения сигнала 0>1 не более 15 нс
Мощность: потребления не более 50 м Вт
Напряжение питания: 5 В
Корпус: Акция
Корпус: 201.16-13
Рабочая температура: -60°C… +125 °С
Корпус: 402.16-32
Ток: потребления, не более: 10 мА
Напряжение питания: 5±10% В
Рабочая температура: -60°C… +125 °С
Корпус: 402.16-32
Напряжение питания: 5±10% В
Рабочая температура: -60°C… +125 °С
Корпус: 402.16-32
Ток: потребления, не более: 9 мА
Напряжение питания: 5±10% В
Вес: 0,35 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 401.14-3
Ток: потребления: не более 6,6 мА
Напряжение питания: 5 ±10% В
Вес: 3 г
Корпус: 151.15-2
Вес: 2,3 г
Рабочая температура: -60… +85 °С
Корпус: 1119ПУ2А типа 402.16-34
Характеристика: приемка «5» бК0.347.513-01ТУ
Категория: качества: «ВП»
Вес: 2,3 г
Рабочая температура: -60… +85 °С
Корпус: 1119ПУ2А типа 402.16-34
Характеристика: приемка «5» бК0.347.513-01ТУ
Категория: качества: «ВП»
Высота: 7,43 мм
Ширина: (B) 50,8 мм
Глубина: 2,5 мм
Сопротивление изоляции, не менее: 1000 М Ом
Номинальный ток: 3
Тип: микросхемная панель для плат серии SCSL
Количество контактов: 20 в один ряд с шагом 2,54 мм
Диапазон рабочих температур: -40…+105 °С
Материал корпуса: PBT
Контактное сопротивление, не более: 20 м Ом
Диэлектрическая прочность: 1000 (50 Гц, 1 мин.) В
Высота: 7,43 мм
Ширина: (B) 25,4 мм
Глубина: 2,5 мм
Сопротивление изоляции, не менее: 1000 (при Uисп.dc=500 В) М Ом
Номинальный ток: 3 А
Тип: микросхемная панель для плат серии SCSL
Количество контактов: 10 в один ряд с шагом 2,54 мм
Диапазон рабочих температур: -40…+105 °С
Материал корпуса: PBT
Контактное сопротивление, не более: 20 м Ом
Диэлектрическая прочность: 1000 (50 Гц, 1 мин.) В
Вес: 0,35 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 401.14-3
Напряжение питания: 5 ±10% В
Корпус: 402.16-32
Выходной ток: высокого уровня: ≥ |-0,3| мА
Ток: потребления : ≤ 5 мк А
Время: задержки распространения входного сигнала при включении (выключении): ≤ 125 нс
Напряжение: питания: 3…15 В
Выходное напряжение: высокого уровня: ≥ 9,99 В
Входной ток: высокого уровня: ≤ 0,05 мк А
Вес: не более 1 г
Корпус: 402.16-21
Ток: потребления: ≤ 100 мА
Напряжение питания: 5 ± 10% В
Вес: 5 г
Рабочая температура: -60… +85 °С
Корпус: 210Б.24-1
Вес: 1,5 г
Рабочая температура: -60°C… +125 °С
Корпус: 301.8-2
Ток: потребления, не более: 4,5 мА
Напряжение питания: 15±10% В
Высота: 7,8 (корпус - 4,83) мм
Ширина: 10,16 (7,62 - между контактными рядами) мм
Глубина: 35,56 мм
Сопротивление изоляции, не менее: 1000 М Ом
Номинальный ток: 3 А
Тип: панель под микросхему серии SCS
Количество контактов: 28 (2 x 14) с шагом 2,54 мм
Диапазон рабочих температур: -40…+105 °С
Материал корпуса: PBT (UL 94 V-0)
Контактное сопротивление, не более: 20 mΩ
Диэлектрическая прочность: 1000 (50 Гц, 1 мин.) В
Высота: 7,8 (корпус - 4,83) мм
Ширина: 10,16 мм
Глубина: 25,4 мм
Сопротивление изоляции, не менее: 1000 М Ом
Количество контактов: 20 (2 x 10) с шагом 2,54 мм
Диапазон рабочих температур: 0 …+85 °С
Материал корпуса: термопластмасса (UL 94 V-0)
Контактное сопротивление, не более: 20 mΩ
Диэлектрическая прочность: 500 (50 Гц, 1 мин.) В
Высота: 7,8 (корпус - 4,83) мм
Ширина: 10,16 мм
Глубина: 20,32 мм
Сопротивление изоляции, не менее: 1000 М Ом
Количество контактов: 16 (2 x 8) с шагом 2,54 мм
Диапазон рабочих температур: 0 …+85 °С
Материал корпуса: термопластмасса (UL 94 V-0)
Контактное сопротивление, не более: 20 mΩ
Диэлектрическая прочность: 500 (50 Гц, 1 мин.) В
Высота: 7,8 (корпус - 4,83) мм
Ширина: 10,16 мм
Глубина: 10,16 мм
Сопротивление изоляции, не менее: 1000 М Ом
Количество контактов: 8 (2 x 4) с шагом 2,54 мм
Диапазон рабочих температур: 0 …+85 °С
Материал корпуса: термопластмасса (UL 94 V-0)
Контактное сопротивление, не более: 20 mΩ
Диэлектрическая прочность: 500 (50 Гц, 1 мин.) В
Высота: 7,8 (корпус - 4,83) мм
Ширина: 10,16 мм
Глубина: 17,78 мм
Сопротивление изоляции, не менее: 1000 М Ом
Количество контактов: 14 (2 x 7) с шагом 2,54 мм
Диапазон рабочих температур: 0 …+85 °С
Материал корпуса: термопластмасса (UL 94 V-0)
Контактное сопротивление, не более: 20 mΩ
Диэлектрическая прочность: 500 (50 Гц, 1 мин.) В
Ток утечки: 2 н А
Ток: стока начальный: 7,5 мА
Коэффициент: шума: 2 дБ
Вес: 0,35 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 401.14-3
Выходной ток: вытекающий < 15 мА
Температура: кристалла предельная 150 °С
Мощность: рассеяния без теплоотвода < 100 м В
Емкость: нагрузки макс. < 200 пФ
Напряжение: на входе относительно «земли»
Напряжение питания: 6 В
Частота: переключения < 3 М Гц
Сопротивление: тепловое кристалл-среда 0,25°С/м Вт
Вес: не более 1,5 г
Корпус: 2106.16-2
Ток: потребления: не более 10 мк А
Напряжение: не менее 4,5 В
Вес: не более 3 г
Корпус: 238.16-2
Ток: потребления: < 6 мА
Мощность: потребляемая:
Напряжение: питания: 6 ±10% В
Входное сопротивление: > 300 Ом
Вес: 2 г
Корпус: 1203.15-1
Напряжение питания: 6 В
Входное напряжение: 2 В
Выходное напряжение: не более 1,5 В
Входное сопротивление: не менее 200 MΩ
Вес: не более 1,8 г
Рабочая температура: -45…+85 °С
Корпус: 201.8-1
Ток: стока начальный: 5…15 мА
Напряжение: затвор-исток: >-0,2 В
Коэффициент: шума:
Корпус: 402.16-32
Вес: не более 1,5 г
Корпус: 3107.12-3.01
Вес: не более 1,2 г
Корпус: 238.16-1
Ток: потребления: ≤ 38 мА
Мощность: потребляемая: 131,25 м Вт
Напряжение питания: 5 ± 5% В
Вес: не более 1,5 г
Рабочая температура: -60-+125 °С
Корпус: 4112.16-1
Вес: не более 1 г
Рабочая температура: -10-+70 °С
Корпус: 201.14-2
Ток: потребления: не более 60 мА
Напряжение питания: 5 ±5% В
Вес: не более 3,5 г
Корпус: 210А.22-1
Напряжение питания: 5±5 % В
Входное напряжение: высокого уровня - > 2,4 В
Высота: 7,43 мм
Ширина: (B) 101,6 мм
Глубина: 2,5 мм
Сопротивление изоляции, не менее: 1000 М Ом
Тип: микросхемная панель для плат серии SCSL
Количество контактов: 40 в один ряд с шагом 2,54 мм
Особенности: 3 А
Диапазон рабочих температур: -40…+105 °С
Материал корпуса: PBT
Контактное сопротивление, не более: 20 mΩ
Диэлектрическая прочность: 1000 (50 Гц, 1 мин.) В
Рабочая температура: -25…+70 °С
Выходной ток: ≤0,08 мА
Ток: потребления: ≤0,6 мА
Напряжение питания: ±6±10% В
Входное напряжение: ≤10 м В
Выходное напряжение: ≥90 м В
Коэффициент: гармоник: 0,8%
Высота: 5,1 (корпус) мм
Ширина: 10,16 мм
Глубина: 30,48 мм
Сопротивление изоляции, не менее: 1000 М Ом
Номинальный ток: на контакт - 1 А
Тип: панелька для микросхемы серии SCL
Количество контактов: 24 (2 x 12) с шагом 2,54 мм
Диапазон рабочих температур: не менее 0…+85 °С
Материал корпуса: PBT (UL 94 V-0)
Контактное сопротивление, не более: 20 м Ом
Диэлектрическая прочность: 500 (50 Гц, 1 мин.) В
Вес: 1,5 г
Рабочая температура: -45 +70 °С
Корпус: 3101.8-8.01
Напряжение: эмиттер-база обратное: < 6,5 В
Коммутируемое напряжение: < 6,3 В
Коммутируемый ток: < 10 мА
Вес: 2 г
Корпус: CERDIP-16
Вес: не более 2,6 г
Рабочая температура: -10…+70 °С
Корпус: 2140.20- В
Напряжение питания: 5.0 В ± 10%
Вес: не более 1,5 г
Корпус: 238.16-1
Напряжение питания: 3…15 В
Рабочая температура: -60°C… +125 °С
Корпус: 401.14-5
Ток: потребления, не более: 7 мА
Напряжение питания: 5±10% В
Вес: 4 г
Корпус: DIP-28
Корпус: 3108.8-8.01
Вес: не более 1,5 г
Корпус: 301.8-2
Рабочая температура: -10…+70 °С
Корпус: 2121.28-1
Напряжение питания: 5+-5% В
Вес: не более 2,5 г
Корпус: 2108.22-13
Ток: потребления:
Мощность: потребляемая:
Напряжение питания: 2,4…4,4 В
Высота: 7,4 (высота установки - 4,5) мм
Ширина: 17,78 мм
Глубина: 50,8 мм
Сопротивление изоляции, не менее: 1000 М Ом
Количество контактов: 40 (2 x 20) с шагом 2,54 мм
Шаг: 2,54 мм
Диапазон рабочих температур: 0 …+85 °С
Материал корпуса: PBT (UL 94 V-0)
Контактное сопротивление, не более: 20 mΩ
Диэлектрическая прочность: 500 (50 Гц, 1 мин.) В
Высота: 7,4 (высота установки - 4,5) мм
Ширина: 17,78 мм
Глубина: 35,56 мм
Сопротивление изоляции, не менее: 1000 М Ом
Количество контактов: 28 (2 x 14) с шагом 2,54 мм
Шаг: 2,54 мм
Диапазон рабочих температур: 0…+85 °С
Материал корпуса: PBT (UL 94 V-0)
Контактное сопротивление, не более: 20 mΩ
Диэлектрическая прочность: 500 (50 Гц, 1 мин.) В
Высота: 7,4 (корпус - 4,5) мм
Ширина: 10,16 мм
Глубина: 35,56 мм
Сопротивление изоляции, не менее: 1000 М Ом
Количество контактов: 28 (2 x 14) с шагом 2,54 мм
Диапазон рабочих температур: 0…+85 °С
Материал корпуса: PBT (UL 94 V-0)
Контактное сопротивление, не более: 20 mΩ
Диэлектрическая прочность: 500 (50 Гц, 1 мин.) В
Высота: 7,4 (высота установки - 4,5) мм
Ширина: 10,16 мм
Глубина: 30,48 мм
Сопротивление изоляции, не менее: 1000 М Ом
Количество контактов: 24 (2 x 12) с шагом 2,54 мм
Диапазон рабочих температур: 0 …+85 °С
Материал корпуса: PBT (UL 94 V-0)
Контактное сопротивление, не более: 20 mΩ
Диэлектрическая прочность: 500 (50 Гц, 1 мин.) В
Высота: 7,4 (корпус - 4,5) мм
Ширина: 10,16 мм
Глубина: 22,86 мм
Сопротивление изоляции, не менее: 1000 М Ом
Количество контактов: 18 (2 x 9) с шагом 2,54 мм
Диапазон рабочих температур: 0…+85 °С
Материал корпуса: PBT (UL 94 V-0)
Контактное сопротивление, не более: 20 mΩ
Диэлектрическая прочность: 500 (50 Гц, 1 мин.) В
Высота: 7,4 (высота установки - 4,5) мм
Ширина: 10,16 мм
Глубина: 20,32 мм
Сопротивление изоляции, не менее: 1000 М Ом
Количество контактов: 16 (2 x 8) с шагом 2,54 мм
Диапазон рабочих температур: 0 …+85 °С
Материал корпуса: PBT (UL 94 V-0)
Контактное сопротивление, не более: 20 mΩ
Диэлектрическая прочность: 500 (50 Гц, 1 мин.) В
Высота: 7,4 (корпус - 4,5) мм
Ширина: 10,16 мм
Глубина: 17,78 мм
Сопротивление изоляции, не менее: 1000 М Ом
Количество контактов: 14 (2 x 7) с шагом 2,54 мм
Диапазон рабочих температур: 0…+85 °С
Материал корпуса: PBT (UL 94 V-0)
Контактное сопротивление, не более: 20 mΩ
Диэлектрическая прочность: 500 (50 Гц, 1 мин.) В
Высота: 7,4 (корпус - 4,5) мм
Ширина: 10,16 мм
Глубина: 10,16 мм
Сопротивление изоляции, не менее: 1000 М Ом
Количество контактов: 8 (2 x 4) мм
Шаг: 2,54 мм
Диапазон рабочих температур: 0…+85 °С
Материал корпуса: PBT (UL 94 V-0)
Контактное сопротивление, не более: 20 mΩ
Диэлектрическая прочность: 500 (50 Гц, 1 мин.) В
Высота: 7,4 (высота установки - 4,5) мм
Ширина: 10,16 мм
Глубина: 7,62 мм
Сопротивление изоляции, не менее: 1000 М Ом
Количество контактов: 6 (2 x 3) с шагом 2,54 мм
Диапазон рабочих температур: 0 …+85 °С
Материал корпуса: PBT (UL 94 V-0)
Контактное сопротивление, не более: 20 mΩ
Диэлектрическая прочность: 500 (50 Гц, 1 мин.) В
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 401.14-5
Ток: потребления: не более 0,015 мА
Напряжение питания: 4,5…11 В
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 401.14-5
Ток: потребления: не более 0,015 мА
Напряжение питания: 4,5…11 В
Ток: потребления: не более 5 мА
Максимальное напряжение: входное: не более 150 м В
Напряжение питания: 3 В
Выходное напряжение: 1,3…1,7 В
Входное сопротивление: 20 Ом
Сопротивление: нагрузки: не менее 30 Ом
Коэффициент усиления: 20 дБ
Вес: не более 1 г
Корпус: 201.14-2
Напряжение питания: 5+-5% В
Входное напряжение: высокого уровня: > 2,4 В
Входной ток: высокого уровня:
Вес: не более 1,1 г
Корпус: 2101.14-1
Ток: потребления: не более 12 мА
Напряжение: смещения нуля: +-10 м В
Входной ток: не более 5 мк А
Вес: не более 1,5 г
Корпус: 201.14-1
Напряжение: смещения с нуля: +-7 м В
Входной ток: не более +-7 мк А
Вес: не более 2 г
Корпус: 238.16-2
Емкость: нагрузки: < 15 пФ
Напряжение питания: 4,75 - 5,25 В
Выходное напряжение: высокого уровня: > 2,4 В
Входной ток: высокого уровня: < -0,8 мА
Вес: не более 1 г
Корпус: 201.14-1
Напряжение питания: 5+-5% В
Входное напряжение: высокого уровня: > 2,4 В
Входной ток: высокого уровня:
Вес: не более 1,5 г
Рабочая температура: -60-+125 °С
Корпус: 402.16-33
Ток: потребления: не более 0.3 мА
Напряжение питания: 4,2-13,5 В
Вес: не более 1 г
Корпус: 201.14-1
Ток: потребления: ≤ 0,03 мА
Напряжение питания: +5…10 В
Рабочая температура: -60°C… +85 °С
Корпус: 402.16-23
Ток: потребления, не более: 0,1 мА
Напряжение питания: 9±10% В
Рабочая температура: -60°C… +85 °С
Корпус: 402.16-23
Ток: потребления, не более: 0,2 мА
Напряжение питания: 9±10% В
Вес: 0,35 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 401.14-3
Выходной ток: вытекающий < 15 мА
Температура: кристалла предельная 150 °С
Мощность: рассеяния без теплоотвода < 100 м В
Емкость: нагрузки макс. < 200 пФ
Напряжение: на входе относительно «земли»
Напряжение питания: 6 В
Частота: переключения < 3 М Гц
Сопротивление: тепловое кристалл-среда 0,25°С/м Вт
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 402.16-33
Ток: потребления: не более 0,6 мА
Напряжение питания: 4,5…11 В
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 402.16-33
Напряжение питания: 4,5…11 В
Рабочая температура: -60°C… +125 °С
Корпус: 402.16-32
Ток: потребления, не более: 11 мА
Напряжение питания: 5±10% В
Рабочая температура: -60°C… +125 °С
Корпус: 402.16-32
Ток: потребления, не более: 8,5 мА
Напряжение питания: 5±10% В
Вес: не более 2,5 г
Корпус: 2108.22-13
Ток: потребления:
Мощность: потребляемая:
Напряжение питания: 2,4…4,4 В
Корпус: 2102.22-1.02
Ток: потребления: не более 20 мА
Мощность: потребляемая макс.: не более 0,9 м Вт
Вес: 1,5 г
Корпус: 3101.8-8.01
Рабочая температура: -60°C… +125 °С
Корпус: 402.16-32
Ток: потребления, не более: 4 мА
Напряжение питания: 5±10% В
Вес: не более 3,8 г
Корпус: 153.15-1
Время: спада амплитуды выходного напряжения: 40 нс
Отклонение: частоты на выходе: ±300 Гц
Напряжение питания: 5 В±5% В
Рабочая температура: -60°C… +125 °С
Корпус: 402.16-32
Ток: потребления, не более: 9 мА
Напряжение питания: 5±10% В
Вес: не более 1,5 г
Корпус: 301.8-2
Вес: 1,5 г
Корпус: Посол
Вес: не более 1,5 г
Корпус: 2103.16-9
Ток: потребления: 35…70 мА
Напряжение питания: 12 В
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 401.14-5
Напряжение питания: 4,5…11 В
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 401.14-5
Напряжение питания: 4,5…11 В
Вес: не более 1,1 г
Рабочая температура: -60-+125 °С
Корпус: 402.16-32
Напряжение питания: 5 ±10% В
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 402.16-33
Ток: потребления: не более 0,12 мА
Напряжение питания: 4,5…11 В
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 402.16-33
Ток: потребления: не более 0,4 мА
Напряжение питания: 4,5…11 В
Вес: не более 1,5 г
Рабочая температура: -60-+125 °С
Корпус: 402.16-32
Ток: потребления: не более 0,06 мА
Напряжение питания: 4,2-13,5 В
Корпус: 402.16-32
Рабочая температура: -60 +125 °С
Корпус: 401.14-5
Напряжение питания: 5 В +-10%
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 402.16-32
Ток: потребления: не более 0,12 мА
Напряжение питания: 4,5…11 В
Корпус: 2140.20-4
Вес: не более 4,8 г
Корпус: 4151.42-1
Вес: 5 г
Корпус: 4151.42-1
Недавно просмотренные товары:
Мой аккаунт
ИНФОРМАЦИЯ
Интернет-магазин. Купить электронные компоненты и радиодетали
- Почта: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
- Более 1 000 000 товаров в наличии и под заказ!