Микросхемы
Микросхема по своей сути является микроэлектронным устройством, изготовленным на полупроводниковой пластине или плёнке. Для упрощения их установки и защиты от возможных повреждений они помещаются в особые корпусы. Микросхемы значительно облегчают жизнь практически каждого человека в современном мире, поскольку именно благодаря им гигантское количество транзисторов можно закрепить на одном кристалле площадью в несколько квадратных сантиметров.
Компания «Радио-Гуру» предлагает вам широкий выбор самых разнообразных микросхем. В нашем ассортименте представлены микросхемы памяти, питания, отечественные версии и т.д. Все наши товары сертифицированы заводами-производителями и являются высококачественными комплектующими для большого количества устройств. Мы также обеспечиваем доставку в кратчайшие сроки, а если вы проживаете в пределах Москвы, вы лично можете забрать необходимую вам микросхему в нашем магазине.
Чтобы корректно направить нам заявку на приобретение электронных компонентов и других товаров, необходимо:
1) Указать ТИП ИЗДЕЛИЯ, НАИМЕНОВАНИЕ, БРЕНД, ГОД ВЫПУСКА ИЗДЕЛИЯ, ПРИЕМКА, КОЛИЧЕСТВОИ направить нам заявку на электронный почтовый адрес — Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
Рассмотрение заявок занимает как правило, 1-3 рабочих дня.
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/с памяти ферроэлектрическая серии FM25L16B-G
Напряжение питания: 2,7…3,6 (max); Uраб.=3,3 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: F-RAM 16Kb Serial SPI 3V
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: 16-Kbit (2K × 8) F-RAM
Рабочая температура: -60 - +125 °С
Ток: потребления: не более 10,9 мА
Напряжение питания: 12 ± 5%; -6 ± 5% В
Вес: не более 1,5 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 402.16-32
Ток: потребления: не более 31 мА
Напряжение питания: 5 ±10% В
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 402.16-32
Напряжение питания: 5 ±10% В
Вес: не более 1,5 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 402.16-32
Ток: потребления: не более 12 мА
Напряжение питания: 5 ±10% В
Вес: не более 1,5 г
Рабочая температура: -60-+125 °С
Корпус: 402.16-23
Ток: потребления: не более 0,6 мА
Напряжение питания: 4,2-13,5 В
Вес: 5 г
Корпус: 4151.42-1
Вес: не более 4,8 г
Корпус: 4151.42-1
Выходной ток: высокого уровня: ≥ |-0,3| мА
Ток: потребления : ≤ 5 мк А
Время: задержки распространения входного сигнала при включении (выключении): ≤ 125 нс
Напряжение: питания: 3…15 В
Выходное напряжение: высокого уровня: ≥ 9,99 В
Входной ток: высокого уровня: ≤ 0,05 мк А
Вес: 0,35 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 401.14-3
Ток: потребления: не более 6,6 мА
Напряжение питания: 5 ±10% В
Вес: не более 1 г
Рабочая температура: -60-+125 °С
Корпус: 401.14-5
Ток: потребления: не более 0,006 мА
Напряжение питания: 4,2-13,5 В
Рабочая температура: -60°C…+125 °С
Корпус: 3101.8-1
Ток: потребления, не более: 7,5 мА
Напряжение питания: 15 ±10% В
Срок службы: 25 ет
Рабочая температура: -60°C…+125 °С
Корпус: 3107.12-2
Ток: потребления, не более: 6,1 мА
Напряжение питания: 6±10 % В
Вес: не более 1,5 г
Рабочая температура: -60-+125 °С
Корпус: 402.16-32
Ток: потребления: не более 0.3 мА
Напряжение питания: 4,2-13,5 В
Вес: не более 1,5 г
Рабочая температура: -60-+125 °С
Корпус: 402.16-32
Ток: потребления: не более 0,6 мА
Напряжение питания: 4,2-13,5 В
Вес: не более 1 г
Рабочая температура: -60-+125 °С
Корпус: 401.14-5
Ток: потребления: не более 0,12 мА
Напряжение питания: 4,2-13,5 В
Вес: не более 2 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 4118.24-1
Ток: потребления: не более 40 мА
Напряжение питания: 5 ±10% В
Вес: не более 1,5 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 402.16-18
Ток: потребления: не более 14 мА
Напряжение питания: 5 ±10% В
Вес: не более 1 г
Рабочая температура: -60-+125 °С
Корпус: 401.14-5
Ток: потребления: не более 1,0 мА
Напряжение питания: 4,2-13,5 В
Вес: 1,5 г
Вес: не более 1,5 г
Корпус: 3107.12-3.01
Ток: потребления: 2,8 мА
Напряжение: смещения нуля: 8 В
Выходное напряжение: макс.: 12 В
Коэффициент: усиления напряжения: 50000
Входной ток: 50 н А
Вес: 3 г
Корпус: 1203.15-1
Ток: потребления: 3 мА
Напряжение: смещения: 5 В
Напряжение питания: ±15 В
Выходное напряжение: макс.: ±11 В
Коэффициент: усиения напряжения: 50000
Входной ток: средний: 500 н А
Вес: не более 1 г
Рабочая температура: -60-+125 °С
Корпус: 401.14-5
Ток: потребления: не более 0,03 мА
Напряжение питания: 4,2-15 В
Рабочая температура: -60°C …+125 °С
Корпус: 402.16-33
Ток: потребления, не более: 0,065 мА
Напряжение питания: 2… 6 В
Корпус: PDIP-8
Время: доступа - 900 нс
Тип: М/с памяти серии 24AA256
Напряжение питания: 2,5…5,5 В
Частота: 400 (max) Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 256K I2 CMOS Serial EEPROM
Потребляемый ток: 3 мА
Интерфейс: 2-Wire, I2C
Тип монтажа: Through Hole
Память: 256 kбит(32k x 8) EEPROM
Вес: не более 5 г
Корпус: 2121.28-1
Вес: 6 г
Корпус: DIP-40
Вес: не более 1,3 г
Корпус: 2101.8-1
Ток: потребления: не более 4,7 мА
Напряжение: смещения с нуля: +-30 мк В
Выходное напряжение: макс.: +-12 В
Входной ток: +-40 н А
Недавно просмотренные товары:
Мой аккаунт
ИНФОРМАЦИЯ
Интернет-магазин. Купить электронные компоненты и радиодетали
- Почта: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
- Более 1 000 000 товаров в наличии и под заказ!