Микросхемы
Микросхема по своей сути является микроэлектронным устройством, изготовленным на полупроводниковой пластине или плёнке. Для упрощения их установки и защиты от возможных повреждений они помещаются в особые корпусы. Микросхемы значительно облегчают жизнь практически каждого человека в современном мире, поскольку именно благодаря им гигантское количество транзисторов можно закрепить на одном кристалле площадью в несколько квадратных сантиметров.
Компания «Радио-Гуру» предлагает вам широкий выбор самых разнообразных микросхем. В нашем ассортименте представлены микросхемы памяти, питания, отечественные версии и т.д. Все наши товары сертифицированы заводами-производителями и являются высококачественными комплектующими для большого количества устройств. Мы также обеспечиваем доставку в кратчайшие сроки, а если вы проживаете в пределах Москвы, вы лично можете забрать необходимую вам микросхему в нашем магазине.
Чтобы корректно направить нам заявку на приобретение электронных компонентов и других товаров, необходимо:
1) Указать ТИП ИЗДЕЛИЯ, НАИМЕНОВАНИЕ, БРЕНД, ГОД ВЫПУСКА ИЗДЕЛИЯ, ПРИЕМКА, КОЛИЧЕСТВОИ направить нам заявку на электронный почтовый адрес — Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
Рассмотрение заявок занимает как правило, 1-3 рабочих дня.
Вес: 0,15 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(0.154 inch)
Выходной ток: на канал: 30 мА
Ток: собственного потребления: 6,6 мА
Тип: с обратной связью по напряжению
Напряжение: смещения на входе: 400 мк В
Характеристика: Токовое смещение на входе: 0,003 н А
Напряжение питания: однополярное(+)/двуполярное (±): +5…24, ±2.5…12 В
Скорость: нарастания выходного сигнала: 180 В/мкс
Тип выхода: Rail-to-Rail
Количество: каналов: 2
Полоса пропускания: 145 М Гц
Корпус: SOIC-16 (SMD)
Тип: Усилитель с оптической развязкой серии HCPL-788J
Входное напряжение: смещения нуля (Vos) - 3 м В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: Isolation Amplifier with Short Circuit and Overload Detection
Потребляемый ток: 20 мк А
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL
Количество: каналов - 1
Корпус: TQFP-44 (SMD)
Тип: Микроконтроллер 8 бит серии ATmega32A
Напряжение питания: 2,7…5,5 (max) В
Частота: тактовая (max) - 16 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Интерфейс: 2-Wire, SPI, USART
Упаковка: TRAY
Количество: вх./ вых. - 32 I/O; таймеров - 3
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: AVR, серия процессора - megaAVR
Память: программная (Flash) - 32 кБ; ПЗУ (EEPROM) - 1024 Б; ОЗУ (SRAM) - 2 кБ
Корпус: LQFP-64
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F103 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S, SDIO
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 1024 кБ; ОЗУ (RAM) - 96 кБ
Корпус: SOIC-28 (SMD)
Время: доступа - 70 нс
Тип: М/с памяти серии FM25V20A-G
Напряжение питания: 2…3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 256-Kbit (32K × 8) F-RAM Memory
Потребляемый ток: 5 мА
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FRAM 2 Мбит (256 Кбит х 8)
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/с памяти ферроэлектрическая серии FM24V02
Напряжение питания: 2…3,6 (max); Uраб.=3,3 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: F-RAM NVRAM FRAM Memory Serial
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: 256-Kbit (32K × 8) F-RAM
Корпус: LQFP-100
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F303 ARM® Cortex®-M4
Характеристика: MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 120 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S, SDIO
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M4
Память: программная (Flash) - 256 кБ; ОЗУ (SRAM) - 48 кБ
Рабочая температура: -40…+85 °С
Время: доступа: 5,4 нс
Размер: памяти: 256 Mbit
Напряжение питания: 3…3,6 В
Частота: тактовая (max): 167 М Гц
Тип монтажа: SMD/SMT
Категория: DRAM
Вес: 1,4 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 4112.16-15.01
Выходной ток: 0,15 А
Входное напряжение: 40 В
Выходное напряжение: 12…30 В
Нестабильность: по напряжению: 0,3 %/ В
Корпус: 201.16-13
Корпус: 2140.20-4
Вес: 1,5 г
Корпус: 301.8-2
Вес: 3,5 г
Корпус: CERDIP-24
Корпус: 4112.16-1
Характеристика: приемка «5» бК0.347.406-03ТУ
Коммутируемое напряжение: Us = 20…220 В
Коммутируемый ток: Is = 0,1A
Категория: качества: «ВП»
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 402.16-33
Ток: потребления: не более 0,6 мА
Напряжение питания: 4,5…11 В
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 402.16-33
Ток: потребления: не более 10 мА
Напряжение питания: 4,5…11 В
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 402.16-33
Напряжение питания: 4,5…11 В
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 402.16-33
Напряжение питания: 4,5…11 В
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 402.16-33
Напряжение питания: 4,5…11 В
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 401.14-5
Ток: потребления: не более 0,015 мА
Напряжение питания: 4,5…11 В
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 401.14-5
Напряжение питания: 4,5…11 В
Рабочая температура: -60°C …+125 °С
Корпус: 401.14-5
Ток: потребления, не более: 0,02 мА
Напряжение питания: 2… 6 В
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 402.16-32
Ток: потребления: не более 0,12 мА
Напряжение питания: 4,5…11 В
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 402.16-33
Ток: потребления: не более 0,12 мА
Напряжение питания: 4,5…11 В
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 401.14-5
Напряжение питания: 4,5…11 В
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 401.14-5
Напряжение питания: 4,5…11 В
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 402.16-33
Напряжение питания: 4,5…11 В
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 402.16-33
Ток: потребления: не более 0,6 мА
Напряжение питания: 4,5…11 В
Вес: 0,35 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 401.14-3
Выходной ток: вытекающий < 15 мА
Температура: кристалла предельная 150 °С
Мощность: рассеяния без теплоотвода < 100 м В
Емкость: нагрузки макс. < 200 пФ
Напряжение: на входе относительно «земли»
Напряжение питания: 6 В
Частота: переключения < 3 М Гц
Сопротивление: тепловое кристалл-среда 0,25°С/м Вт
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 401.14-5
Ток: потребления: не более 0,015 мА
Напряжение питания: 4,5…11 В
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 401.14-5
Ток: потребления: не более 0,015 мА
Напряжение питания: 4,5…11 В
Вес: 0,35 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 401.14-3
Выходной ток: вытекающий < 15 мА
Температура: кристалла предельная 150 °С
Мощность: рассеяния без теплоотвода < 100 м В
Емкость: нагрузки макс. < 200 пФ
Напряжение: на входе относительно «земли»
Напряжение питания: 6 В
Частота: переключения < 3 М Гц
Сопротивление: тепловое кристалл-среда 0,25°С/м Вт
Вес: не более 0,35 г
Корпус: 401.14-3
Вес: не более 1,5 г
Корпус: 301.8-2
Ток: потребления: не более 8 мА
Номинальное напряжение: 5±10% В
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 402.16-33
Напряжение питания: 4,5…11 В
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 402.16-33
Напряжение питания: 4,5…11 В
Вес: 1,5 г
Рабочая температура: -10… +70 °С
Корпус: 402.16-6
Выходной ток: макс.: 40 мА
Температура: кристалла, предельно допустимая: 125 °С
Напряжение питания: 6 В
Входное напряжение: мин.: -5,5 В
Вес: 0,35 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 401.14-5 М
Напряжение питания: 5 ±10% В
Вес: 1,5 г
Рабочая температура: -10… +70 °С
Корпус: 402.16-6.03
Выходной ток: макс.: 40 мА
Температура: кристалла, предельно допустимая: 125 °С
Напряжение питания: 6 В
Входное напряжение: мин.: -5,5 В
Вес: 1 г
Рабочая температура: -10… +70 °С
Корпус: 402.16-6
Выходной ток: макс.: 40 мА
Температура: кристалла, предельно допустимая: 125 °С
Напряжение питания: 6 В
Входное напряжение: мин.: -5,5 В
Вес: 1,5 г
Рабочая температура: -10… +70 °С
Корпус: 402.16-6
Выходной ток: макс.: 40 мА
Температура: кристалла, предельно допустимая: 125 °С
Напряжение питания: 6 В
Входное напряжение: мин.: -5,5 В
Вес: 1,5 г
Рабочая температура: -10… +70 °С
Корпус: 402.16-6
Выходной ток: макс.: 40 мА
Температура: кристалла, предельно допустимая: 125 °С
Напряжение питания: 6 В
Входное напряжение: мин.: -5,5 В
Вес: 1,5 г
Рабочая температура: -10… +70 °С
Корпус: 402.16-6
Выходной ток: макс.: 40 мА
Температура: кристалла, предельно допустимая: 125 °С
Напряжение питания: 6 В
Входное напряжение: мин.: -5,5 В
Вес: 1 г
Корпус: 402.16-6
Вес: 1,5 г
Рабочая температура: -10… +70 °С
Корпус: 402.16-6
Выходной ток: макс.: 40 мА
Температура: кристалла, предельно допустимая: 125 °С
Напряжение питания: 6 В
Входное напряжение: мин.: -5,5 В
Вес: 1 г
Корпус: 402.16-6
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 4118.24-2
Ток: потребления: не более 0,3 мА
Напряжение питания: 4,5…11 В
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 402.16-32
Ток: потребления: не более 0,15 мА
Напряжение питания: 4,5…11 В
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 402.16-32
Напряжение: на входе, предельное: от -0,5 В до (UСС + 0,5) В
Напряжение питания: предельное: от -0,5 В до 12,0 В
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 402.16-32
Ток: потребления: не более 0,12 мА
Напряжение питания: 4,5…11 В
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 402.16-33
Напряжение питания: 4,5…11 В
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 402.16-33
Ток: потребления: не более 0,6 мА
Напряжение питания: 4,5…11 В
Корпус: 401.14-5
Вес: 0,35 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 401.14-4
Выходной ток: вытекающий < 15 мА
Температура: кристалла предельная 150 °С
Мощность: рассеяния без теплоотвода < 100 м В
Емкость: нагрузки макс. < 200 пФ
Напряжение: на входе относительно «земли»
Напряжение питания: 6 В
Сопротивление: тепловое кристалл-среда 0,25°С/м Вт
Рабочая температура: -60°C …+125 °С
Корпус: 402.16-33
Ток: потребления, не более: 0,08 мА
Напряжение питания: 2… 6 В
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 401.14-5
Напряжение питания: 5 ±10% В
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 401.14-5
Напряжение питания: 5 ±10% В
Вес: не более 1,5 г
Корпус: 301.8-2
Ток: потребления: не более 2 мА
Номинальное напряжение: ±6 В
Напряжение: смещения нуля: не более 5 м В
Выходное напряжение: не менее ±3 В
Коэффициент: ослабления синфазных входных напряжений: не менее 76 дБ
Скорость: нарастания выходного напряжения: не менее 5 В/мкс
Входной ток: не более 5 мк А
Вес: не более 1,5 г
Рабочая температура: -60-+125 °С
Корпус: 3101.8-1
Ток: потребления: не более 6 мА
Напряжение питания: ±15 В ±10%
Рабочая температура: -60-+125 °С
Корпус: 4112.16-2
Ток: потребления: не более 18,2 мА
Напряжение питания: 5 ±10% В
Рабочая температура: -60-+125 °С
Корпус: 4112.16-2
Ток: потребления: не более 14,5 мА
Напряжение питания: 5 ±10% В
Корпус: 157.29-1
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 401.14-5
Ток: потребления: не более 0,015 мА
Напряжение питания: 4,5…11 В
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 402.16-32
Ток: потребления: не более 0,03 мА
Напряжение питания: 4,5…11 В
Рабочая температура: -60 +125° °С
Корпус: 401.14-5
Номинальное напряжение: 5 В+-10%
Недавно просмотренные товары:
Мой аккаунт
ИНФОРМАЦИЯ
Интернет-магазин. Купить электронные компоненты и радиодетали
- Почта: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
- Более 1 000 000 товаров в наличии и под заказ!
