Микросхемы
Микросхема по своей сути является микроэлектронным устройством, изготовленным на полупроводниковой пластине или плёнке. Для упрощения их установки и защиты от возможных повреждений они помещаются в особые корпусы. Микросхемы значительно облегчают жизнь практически каждого человека в современном мире, поскольку именно благодаря им гигантское количество транзисторов можно закрепить на одном кристалле площадью в несколько квадратных сантиметров.
Компания «Радио-Гуру» предлагает вам широкий выбор самых разнообразных микросхем. В нашем ассортименте представлены микросхемы памяти, питания, отечественные версии и т.д. Все наши товары сертифицированы заводами-производителями и являются высококачественными комплектующими для большого количества устройств. Мы также обеспечиваем доставку в кратчайшие сроки, а если вы проживаете в пределах Москвы, вы лично можете забрать необходимую вам микросхему в нашем магазине.
Чтобы корректно направить нам заявку на приобретение электронных компонентов и других товаров, необходимо:
1) Указать ТИП ИЗДЕЛИЯ, НАИМЕНОВАНИЕ, БРЕНД, ГОД ВЫПУСКА ИЗДЕЛИЯ, ПРИЕМКА, КОЛИЧЕСТВОИ направить нам заявку на электронный почтовый адрес — Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
Рассмотрение заявок занимает как правило, 1-3 рабочих дня.
TEXAS INSTRUMENTS Корпус: VSSOP-8 (SMD)
Выходной ток: на канал - 10 мА
Тип: Одноканальный инструментальный операционный усилитель серии INA333
Напряжение питания: 1,8…2,5 (± 2,75) В
Входное напряжение: (Vos) - входное напряжение смещения нуля - 25 мк В
Входное сопротивление: 100 ГОм (max)
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
Коэффициент: подавления: - синфазного сигнала (CMRR) - 100 дБ
Скорость: нарастания выходного напряжения (SR) - 160 мВ/ мкс
Потребляемый ток: 50 мк А
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL
Полоса пропускания: 3 дБ: 150 Гц
Входной ток: смещения (Ib) - 200 пA
Вес: 0,35 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 401.14-3
Напряжение питания: 5 ±10% В
Вес: 1,5 г
Рабочая температура: -45 +70 °С
Корпус: 3101.8-8.01
Напряжение: эмиттер-база обратное: < 6,5 В
Коммутируемое напряжение: < 6,3 В
Коммутируемый ток: < 10 мА
Analog Devices Ширина: импульса - 100 нс
Корпус: SOIC-16 (SMD)
Время: нарастания/ спада импульса (тип.) - 3 нс
Тип: развязки - Magnetic Coupling (индуктивный)
Напряжение питания: 2,7…5,5 (max) В
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
Потребляемый ток: 11 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL
Количество: каналов - 4
Скорость передачи данных: 10 Мб/ c
Напряжение изоляции: 2,5 кВ (rms)
Вес: не более 3,5 г
Корпус: 210А.22-1
Напряжение питания: 5±5 % В
Входное напряжение: высокого уровня - > 2,4 В
GigaDevice Корпус: LQFP-100
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F103 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S, SDIO
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 256 кБ; ОЗУ (SRAM) - 48 кБ
GigaDevice Корпус: LQFP-64
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F205 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 120 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S, SDIO
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 256 кБ; ОЗУ (SRAM) - 128 кБ
Cypress Semiconductor Тип: М/с памяти серии FM24V10-G
Напряжение питания: 2…3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 1-Mbit (128 K × 8) Serial (I2C) F-RAM
Интерфейс: I2C
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FRAM 1Mбит (128Kбит x 8)
Analog Devices Корпус: SOIC-8 (SMD)
Мощность: рассеиваемая (Pd) - 650 м Вт
Тип: Одноканальный измерительный усилитель серии AD620
Напряжение питания: ± 2,3…18 (max): ± 3; ± 5; ± 9; ± 12; ± 15 В
Входное напряжение: смещения нуля (Vos) - 30 мк В
Входное сопротивление: (max) - 10 ГОм В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Коэффициент: подавления синфазного сигнала (CMRR) - 90 дБ
Усиление: програмируемое 1…10000
Скорость: нарастания выходного напряжения (SR) - 1,2 В/ мкс
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL 7
Полоса пропускания: 3 дБ - 120 (G=100) Гц
Входной ток: смещения - 0,5 нA
Ток покоя, не более: 900 мк А
ST Microelectronics 
Недавно просмотренные товары:
Мой аккаунт
ИНФОРМАЦИЯ
Интернет-магазин. Купить электронные компоненты и радиодетали
- Почта: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
- Более 1 000 000 товаров в наличии и под заказ!