Микросхемы
Микросхема по своей сути является микроэлектронным устройством, изготовленным на полупроводниковой пластине или плёнке. Для упрощения их установки и защиты от возможных повреждений они помещаются в особые корпусы. Микросхемы значительно облегчают жизнь практически каждого человека в современном мире, поскольку именно благодаря им гигантское количество транзисторов можно закрепить на одном кристалле площадью в несколько квадратных сантиметров.
Компания «Радио-Гуру» предлагает вам широкий выбор самых разнообразных микросхем. В нашем ассортименте представлены микросхемы памяти, питания, отечественные версии и т.д. Все наши товары сертифицированы заводами-производителями и являются высококачественными комплектующими для большого количества устройств. Мы также обеспечиваем доставку в кратчайшие сроки, а если вы проживаете в пределах Москвы, вы лично можете забрать необходимую вам микросхему в нашем магазине.
Чтобы корректно направить нам заявку на приобретение электронных компонентов и других товаров, необходимо:
1) Указать ТИП ИЗДЕЛИЯ, НАИМЕНОВАНИЕ, БРЕНД, ГОД ВЫПУСКА ИЗДЕЛИЯ, ПРИЕМКА, КОЛИЧЕСТВОИ направить нам заявку на электронный почтовый адрес — Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
Рассмотрение заявок занимает как правило, 1-3 рабочих дня.
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 427.6-1
Ток: утечки выходной: 10 мА
Напряжение: управляющее, высокий уровень: 3,7 В
Сопротивление: в открытом состоянии: 0,6 Ом
Ток утечки: 1 мА
Ток: включения: 8 мА
Входное напряжение: 1,9 В
Выходное напряжение: обратное: 200 В
Сопротивление изоляции: 5*10^8 Ом
Максимальный ток: в открытом состоянии: 0,1 А
Рабочая температура: -60…+70 °С
Время: включения: 15 мкс
Максимальное напряжение: в закрытом состоянии: 200 В
Тип выхода: тиристор
Количество: каналов: 1
Напряжение изоляции: 500 В
Ток утечки: 2 н А
Рабочая температура: -60 …+125 °С
Ток: стока начальный: 5-15 мА
Коэффициент: шума: 2 дБ
Рабочая температура: -10…70 °С
Время: срабатывания компаратора при перевозбуждении: 110/5 нс/м В
Напряжение: смещения с нуля: 3,5 м В
Напряжение питания: +12/-6 В
Коэффициент: подавления синфазного сигнала: 70 дБ
Входной ток: 75000 н А
Вес: 1 г
Корпус: 20-выводной планарный
Вес: 1 г
Корпус: 20-выводной планарный
Вес: не более 2 г
Рабочая температура: -60-+125 °С
Корпус: 402.16-25
Напряжение питания: 5 ±10% В
Вес: не более 2 г
Рабочая температура: -60-+125 °С
Корпус: 402.16-25
Напряжение питания: 5 ±10% В
Вес: не более 2 г
Рабочая температура: -60-+125 °С
Корпус: 402.16-25
Напряжение питания: 5 ±10% В
Вес: 1 г
Корпус: 402.16-25
Вес: не более 1,1 г
Рабочая температура: -60-+125 °С
Корпус: 402.16-32
Напряжение питания: 5 ±10% В
Вес: не более 1,1 г
Рабочая температура: -60-+125 °С
Корпус: 402.16-32
Напряжение питания: 5 ±10% В
Вес: не более 1,1 г
Рабочая температура: -60-+125 °С
Корпус: 402.16-32
Напряжение питания: 5 ±10% В
Рабочая температура: -60-+125 °С
Корпус: 4153.20-1.01
Напряжение питания: 5 ±10% В
Вес: 1 г
Корпус: 20-выводной планарный
Вес: 1 г
Корпус: 402.16-25
Вес: 1 г
Корпус: 402.16-25
Вес: не более 2 г
Рабочая температура: -60-+125 °С
Корпус: 402.16-25
Напряжение питания: 5 ±10% В
Вес: не более 2 г
Рабочая температура: -60-+125 °С
Корпус: 402.16-25
Напряжение питания: 5 ±10% В
Недавно просмотренные товары:
Мой аккаунт
ИНФОРМАЦИЯ
Интернет-магазин. Купить электронные компоненты и радиодетали
- Почта: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
- Более 1 000 000 товаров в наличии и под заказ!
