Микросхемы
Микросхема по своей сути является микроэлектронным устройством, изготовленным на полупроводниковой пластине или плёнке. Для упрощения их установки и защиты от возможных повреждений они помещаются в особые корпусы. Микросхемы значительно облегчают жизнь практически каждого человека в современном мире, поскольку именно благодаря им гигантское количество транзисторов можно закрепить на одном кристалле площадью в несколько квадратных сантиметров.
Компания «Радио-Гуру» предлагает вам широкий выбор самых разнообразных микросхем. В нашем ассортименте представлены микросхемы памяти, питания, отечественные версии и т.д. Все наши товары сертифицированы заводами-производителями и являются высококачественными комплектующими для большого количества устройств. Мы также обеспечиваем доставку в кратчайшие сроки, а если вы проживаете в пределах Москвы, вы лично можете забрать необходимую вам микросхему в нашем магазине.
Чтобы корректно направить нам заявку на приобретение электронных компонентов и других товаров, необходимо:
1) Указать ТИП ИЗДЕЛИЯ, НАИМЕНОВАНИЕ, БРЕНД, ГОД ВЫПУСКА ИЗДЕЛИЯ, ПРИЕМКА, КОЛИЧЕСТВОИ направить нам заявку на электронный почтовый адрес — Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
Рассмотрение заявок занимает как правило, 1-3 рабочих дня.
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: SO-8
Выходной ток: на канал: 10 мА
Ток: покоя: 2,25 мА
Тип: Универсальный
Напряжение питания: 3V ~ 36V, ±1.5V ~ 18V
Скорость: нарастания выходного сигнала: 4 В/мкс
Тип выхода: С полным выходным сигнало м
Количество: усилителей: 1
Входной ток: 80 н А
Вес: 0,15 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(0.154 inch)
Ток: собственного потребления: 1,6 мА
Тип: общего применения
Напряжение: смещения на входе: 20 мк В
Характеристика: Токовое смещение на входе: 1,2 н А
Напряжение питания: однополярное(+)/двуполярное (±): +6…36, ±3…18 В
Частота: единичного усиления: 0,6 М Гц
Скорость: нарастания выходного сигнала: 0,3 В/мкс
Количество: каналов: 1
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Выходной ток: на канал - 80 (max) мА
Тип: Прецизионный операционный усилитель серии AD8606
Характеристика: (en) - интенсивность шума входного напряжения: 8 nV/sqrt Hz
Напряжение питания: 2,7…5,5 В
Входное напряжение: смещения нуля (Vos) - 20 мк В
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
Коэффициент: подавления: - синфазного сигнала (CMRR)/ помех по питанию (PSRR) - 100/ 95 дБ
Усиление: по напряжению - 120 дБ
Скорость: SR - скорость нарастания выходного напряжения: 5 В/ мкс
Потребляемый ток: 1 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL 7
Количество: каналов - 2; тип выхода - Rail-to-Rail
Входной ток: смещения (Ib) - 250 пА (max)
Корпус: SOIC-14 (SMD)
Выходной ток: на канал - 30 мА
Тип: Прецизионный операционный усилитель серии AD8551
Характеристика: (en) - интенсивность шума входного напряжения: 33 nV/sqrt Hz
Напряжение питания: 2,7…6 (max) В
Входное напряжение: смещения нуля (Vos) - 80 мк В
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
Коэффициент: подавления: - синфазного сигнала (CMRR)/ помех по питанию (PSRR) - 83/ 72 дБ
Усиление: по напряжению - 98,06 дБ
Скорость: SR - скорость нарастания выходного напряжения: 6 В/ мкс
Потребляемый ток: 750 мк А
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL7
Количество: каналов - 4; тип выхода - Rail-to-Rail
Входной ток: смещения (Ib) - 0,2 пА (max)
Корпус: SOT-23-5 (SMD)
Выходной ток: на канал - 50 (max) мА
Тип: Прецизионный операционный усилитель серии AD8601
Характеристика: (en) - интенсивность шума входного напряжения - 33 nV/ sqrt(H)
Напряжение питания: 2,7…5,5 В
Входное напряжение: смещения нуля (Vos) - 80 мк В
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
Коэффициент: подавления: - синфазного сигнала (CMRR)/ помех по питанию (PSRR) - 89/ 80 дБ
Усиление: по напряжению - 98,06 дБ
Скорость: SR - скорость нарастания выходного напряжения: 6 В/ мкс
Потребляемый ток: 750 мк А
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL7
Количество: каналов - 1; тип выхода - Rail-to-Rail
Входной ток: смещения (Ib) - 1000 пА (max)
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: Прецизионный операционный усилитель серии AD8607
Характеристика: (en) - интенсивность шума входного напряжения - 25 nV/sqrt Hz дБ
Напряжение питания: однополярное - 1,8…5; двуполярное - ±0,9…2,5 В
Входное напряжение: смещения нуля (Vos)
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
Коэффициент: подавления: - синфазного сигнала (CMRR)/ помех по питанию (PSRR) - 100 дБ
Усиление: по напряжению - 113,06
Скорость: SR - скорость нарастания выходного напряжения - 0,1 В/ мкс
Потребляемый ток: 100 мк А
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL7
Количество: каналов - 2; тип выхода - Rail-to-Rail
Входной ток: смещения (Ib) - 1 пА (max)
Высота: 1,5 мм
Длина: 5 мм
Ширина: 4 мм
Вес: 0,15 г
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: SOIC
Тип: источника питания: Одинарный
Количество контактов: 8
Напряжение питания: типичное одиночное: 5 В, 9 В
Усиление: по напряжению типичное: 106.02 dB
Скорость: нарастания типичная: 0,3 В/мкс
Количество: каналов на ИС: 2
Тип монтажа: Surface Mount
Вес: 0,15 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(0.154 inch)
Выходной ток: на канал: 25 мА
Ток: собственного потребления: 0,175 мА
Тип: усилителя: общего применения
Напряжение: смещения на входе: 300 мк В
Характеристика: Токовое смещение на входе: 7 н А
Напряжение питания: однополярное(+)/двуполярное (±): +3…36, ±1.5…18 В
Частота: единичного усиления: 0,085 М Гц
Скорость: нарастания выходного сигнала: 0,03 В/мкс
Тип выхода: Rail-to-Rail
Количество: каналов: 2
Корпус: SOIC-14 (SMD)
Выходной ток: на канал - 10 мА
Тип: Прецизионный операционный усилитель серии OP4177
Характеристика: (en) - интенсивность шума входного напряжения - 7,9 нВ/ sqrt Гц
Напряжение питания: ± 2,5 min; ± 15 max В
Входное напряжение: (Vos) - входное напряжение смещения нуля - 15 мк В
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
Коэффициент: подавления: - синфазного сигнала (CMRR) - 125/ помех по питанию (PSRR) - 120 дБ
Усиление: усиление по напряжению - 126,02 дБ
Скорость: нарастания выходного напряжения (SR) - 700 мВ/ мкс
Потребляемый ток: 400 мк А
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL7
Количество: каналов - 4
Входной ток: смещения (Ib) - 2 нA мк А
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: SOIC8
Примечание: IC OPAMP GP 63MHZ LN PREC 8SOIC
Напряжение питания: 4…18 В
Частота: единичного усиления: 63 М Гц
Скорость: нарастания выходного сигнала: 17 В/мкс
Количество: каналов: 1
Корпус: MSOP-8 (SMD)
Выходной ток: на канал - 10 мА
Тип: Прецизионный операционный усилитель серии OP2177
Характеристика: (In) - плотность тока шума на входе - 2 нA
Напряжение питания: двуполярное ± 2,5…± 15 В
Входное напряжение: смещения нуля (Vos) - 25 мк В
Диапазон рабочих температур: -40 …+125 °С
Коэффициент: подавления: - синфазного сигнала (CMRR) - 118/ помех по питанию (PSRR) - 120 дБ
Усиление: по напряжению - 122,02 дБ; Кус. V/V - 2000 В/ м В
Скорость: SR - скорость нарастания выходного напряжения: 0.7 В/ мкс
Потребляемый ток: 500 мк А
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL7
Количество: каналов - 2
Входной ток: смещения (Ib) - 2 нА; разбаланса - 1 н А
Вес: 0,15 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(0.154 inch)
Выходной ток: на канал: 90 мА
Ток: собственного потребления: 30 мА
Тип: усилителя: Аудио
Напряжение: смещения на входе: 1000 мк В
Характеристика: Токовое смещение на входе: 100 н А
Напряжение питания: однополярное(+)/двуполярное (±): ±4.5…22 В
Частота: единичного усиления: 9 М Гц
Скорость: нарастания выходного сигнала: 22 В/мкс
Количество: каналов: 2
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: Прецизионный операционный усилитель серии OP291
Характеристика: (In) - плотность тока шума на входе - 0,8 пА/ sqrt Гц
Напряжение питания: 3; 5; 9; двуполярное ± 3; ± 5; min ± 1,35 (2,7); max ± 6 (12) В
Входное напряжение: смещения нуля (Vos) - 700 мк В
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
Коэффициент: подавления: - синфазного сигнала (CMRR) - 90/ помех по питанию (PSRR) - 110 дБ
Усиление: по напряжению - 96,9 дБ
Скорость: (SR) - скорость нарастания выходного напряжения - 400 мВ/ мкс
Потребляемый ток: 800 мк А
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL7
Количество: каналов - 2, тип входа/ выхода - Rail-to-Rail
Входной ток: смещения (Ib) - 65 п А
Вес: 0,15 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(0.154 inch)
Выходной ток: на канал: 10 мА
Ток: собственного потребления: 2,25 мА
Тип: усилителя: общего применения
Напряжение: смещения на входе: 100 мк В
Характеристика: Токовое смещение на входе: 80 н А
Напряжение питания: однополярное(+)/двуполярное (±): +3…36, ±1.5…18 В
Частота: единичного усиления: 4,25 М Гц
Скорость: нарастания выходного сигнала: 4 В/мкс
Тип выхода: Rail-to-Rail
Количество: каналов: 2
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: Прецизионный операционный усилитель серии OP282
Характеристика: (In) - плотность тока шума на входе - 0,01/ sqrt Гц
Напряжение питания: двуполярное ± 5; ± 9; ± 12; ± 15 (min ± 4,5; max ± 18) В
Входное напряжение: смещения нуля (Vos) - 3 мк В
Диапазон рабочих температур: -40 ..+85 °С
Коэффициент: подавления: - синфазного сигнала (CMRR) - 90 (typ) dB/ помех по питанию (PSRR) - 316 (max) мкВ/ В
Усиление: по напряжению - 86,02 дБ
Скорость: (SR) - скорость нарастания выходного напряжения - 9 В/ мкс
Потребляемый ток: 250 мк А
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL7
Количество: каналов - 2, тип входа - JFET
Входной ток: смещения (Ib) - 100 п А
Вес: 0,15 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(0.154 inch)
Тип: усилителя: общего применения
Напряжение: смещения на входе: 30 мк В
Характеристика: Токовое смещение на входе: 15 н А
Напряжение питания: однополярное(+)/двуполярное (±): ±4…18 В
Частота: единичного усиления: 8 М Гц
Скорость: нарастания выходного сигнала: 2,8 В/мкс
Количество: каналов: 1
Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
Корпус: 8-SOIC
Выходной ток: 5mA
Входное напряжение: -2 V ~ 65 V
Функции: Current Monitor
Точность: ±0.5%
Тип монтажа: Поверхностный
Вес: 0,15 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(0.154 inch)
Выходной ток: на канал: 30 мА
Ток: собственного потребления: 6,6 мА
Тип: с обратной связью по напряжению
Напряжение: смещения на входе: 400 мк В
Характеристика: Токовое смещение на входе: 0,003 н А
Напряжение питания: однополярное(+)/двуполярное (±): +5…24, ±2.5…12 В
Скорость: нарастания выходного сигнала: 180 В/мкс
Тип выхода: Rail-to-Rail
Количество: каналов: 2
Полоса пропускания: 145 М Гц
Вес: 0,15 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(0.154 inch)
Выходной ток: на канал: 50 мА
Ток: собственного потребления: 5,8 мА
Тип: с обратной связью по напряжению
Напряжение: смещения на входе: 2000 мк В
Характеристика: Токовое смещение на входе: 1200 н А
Напряжение питания: однополярное(+)/двуполярное (±): +3…12, ±1.5…6 В
Скорость: нарастания выходного сигнала: 170 В/мкс
Тип выхода: Rail-to-Rail
Количество: каналов: 1
Полоса пропускания: 170 М Гц
Корпус: PDIP-8
Мощность: рассеиваемая (Pd) - 650 м Вт
Тип: Одноканальный измерительный усилитель серии AD620
Напряжение питания: ± 2,3…18 (max): ± 3; ± 5; ± 9; ± 12; ± 15 В
Входное напряжение: смещения нуля (Vos) - 30 мк В
Входное сопротивление: (max) - 10 ГОм В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Коэффициент: подавления синфазного сигнала (CMRR) - 90 дБ
Усиление: програмируемое 1…10000
Скорость: нарастания выходного напряжения (SR) - 1,2 В/ мкс
Способ монтажа: Through Hole
Упаковка: TUBE, 50 шт.
Количество: каналов - 1
Полоса пропускания: 3 дБ - 120 (G=100) Гц
Входной ток: смещения - 0,5 нA
Ток покоя, не более: 900 мк А
Вес: 0,15 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(0.154 inch)
Выходной ток: на канал: 50 мА
Ток: собственного потребления: 12,5 мА
Тип: с переменным коэффициентом усиления
Характеристика: Токовое смещение на входе: 200 н А
Напряжение питания: однополярное(+)/двуполярное (±): +9.5…12.6, ±4.75…6.3 В
Скорость: нарастания выходного сигнала: 275 В/мкс
Количество: каналов: 1
Полоса пропускания: 90 М Гц
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Выходной ток: канала - 25 мА
Мощность: рассеиваемая (Pd) - 800 (max) м Вт
Тип: Одноканальный измерительный усилитель серии AD627
Напряжение питания: + 2,2…36; ± 1,1…18 (max) В
Входное напряжение: смещения нуля (Vos) - 50 мк В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Коэффициент: подавления синфазного сигнала (CMRR) - 77 (G=+5) дБ
Усиление: 5…10000
Скорость: нарастания выходного напряжения (SR) - 0,05 В/ мкс
Тип выхода: Rail-to-Rail
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL7
Полоса пропускания: 3 дБ - 80 (G=+5) Гц
Входной ток: смещения - 2 нA
Ток покоя, не более: 60 мк А
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: SO-8 SOIC8
Ток: собственного потребления: 900 мк А
Напряжение питания: 2,7…12 В
Частота: единичного усиления: 80 М Гц
Скорость: нарастания выходного сигнала: 35 В/мкс
Количество: каналов: 2
Вес: 0,15 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(0.154 inch)
Выходной ток: на канал: 15 мА
Ток: собственного потребления: 0,9 мА
Тип: с обратной связью по напряжению
Напряжение: смещения на входе: 1000 мк В
Характеристика: Токовое смещение на входе: 450 н А
Напряжение питания: однополярное(+)/двуполярное (±): +2.7…12, ±1.35…6 В
Скорость: нарастания выходного сигнала: 35 В/мкс
Тип выхода: Rail-to-Rail
Количество: каналов: 1
Полоса пропускания: 80 М Гц
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Выходной ток: канала - 25 мА
Тип: Одноканальный дифференциальный усилитель серии AD629
Напряжение питания: + 5…36; ± 2,5…18 (max) В
Входное напряжение: смещения нуля (Vos) - 200 мк В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Коэффициент: подавления синфазного сигнала (CMRR) - 77 дБ
Скорость: нарастания выходного напряжения (SR) - 2,1 В/ мкс
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Полоса пропускания: 3 дБ - 500 Гц
Ток покоя, не более: 900 мк А
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: Прецизионный двухканальный операционный усилитель серии AD8512
Характеристика: (en) - интенсивность шума входного напряжения - 34 nV/ sqrt H
Напряжение питания: ± 9; ± 12 (± 5 min; ± 15 max) В
Входное напряжение: (Vos) - входное напряжение смещения нуля - 0,9 м В
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
Коэффициент: подавления помех по питанию (PSSR) - 86 дБ
Усиление: усиление по напряжению - 100,59 дБ
Скорость: нарастания выходного напряжения (SR) - 20 В/ мкс
Потребляемый ток: 4,6 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL7
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Выходной ток: на канал - 250 мА
Тип: Двухканальный прецизионный операционный усилитель серии AD8532
Характеристика: (en) - интенсивность шума входного напряжения - 45 nV/ sqrt Hz В
Напряжение питания: 2,7…6 В
Входное напряжение: смещения нуля (Vos) - 25 мк В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Коэффициент: подавления - синфазного сигнала (CMRR) - 47; - помех по питанию (PSSR) - 55 дБ
Усиление: по напряжению - 98,06 дБ
Скорость: нарастания выходного напряжения (SR) - 5 В/ мкс
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL7
Входной ток: смещения (Ib) - 60 пA
Ток покоя, не более: 700 мк А
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: Прецизионный операционный усилитель серии AD8551
Характеристика: (GBP) - коэффициент усиления x ширина полосы пропускания (fT): 1.5 М Гц
Напряжение питания: 2,7…6 (max) В
Входное напряжение: смещения нуля (Vos) - 1 мк В
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
Коэффициент: подавления: - синфазного сигнала (CMRR)/ помех по питанию (PSRR) - 115 дБ
Усиление: по напряжению - 145 дБ
Потребляемый ток: 975 мк А
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL
Количество: каналов - 1
Входной ток: смещения (Ib) - 1,5 пА (max)
Вес: 0,2 г
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Выходной ток: на канал - 15 (min) мА
Мощность: рассеиваемая (Pd) - 200 м Вт
Тип: Прецизионный операционный усилитель серии AD822 В
Характеристика: (en) - интенсивность шума входного напряжения - 25 nV/ sqrt Hz
Напряжение питания: однополярное +5…30; двуполярное ± 2,5…15 В
Входное напряжение: смещения нуля (Vos) - 100 мк В
Диапазон рабочих температур: -40 …+85 °С
Коэффициент: подавления: - синфазного сигнала (CMRR)/ помех по питанию (PSRR) - 80 дБ
Усиление: по напряжению - 120 дБ
Скорость: нарастания выходного напряжения (SR) - 2 В/ мкс
Потребляемый ток: 1,8 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL7
Количество: каналов - 2; тип выхода - Rail-to-Rail
Входной ток: смещения (Ib) - 12 пА (max)
Ширина: импульса - 100 нс мА
Корпус: SOIC-16 (SMD)
Время: нарастания/ спада импульса (тип.) - 3 нс
Тип: развязки - Magnetic Coupling (индуктивный)
Напряжение питания: 2,7…5,5 (max); Uном.= 5 В
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
Потребляемый ток: 11 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL
Количество: каналов - 4
Скорость передачи данных: 10 Мб/ c
Напряжение изоляции: 2,5 кВ (rms)
Ширина: импульса - 100 нс
Корпус: SOIC-16 (SMD)
Время: нарастания/ спада импульса (тип.) - 3 нс
Тип: развязки - Magnetic Coupling (индуктивный)
Напряжение питания: 2,7…5,5 (max) В
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
Потребляемый ток: 11 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL
Количество: каналов - 4
Скорость передачи данных: 10 Мб/ c
Напряжение изоляции: 2,5 кВ (rms)
Корпус: SOIC-16 (SMD)
Время: нарастания/ спада импульса (тип.) - 300 нс
Тип: развязки - Magnetic Coupling (индуктивный)
Напряжение питания: 3,1…5,5 (max); Uном.= 3,3; 5 В
Диапазон рабочих температур: -40…+105 °С
Потребляемый ток: 6 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL
Количество: прямых и обратных каналов - 2 + 2
Скорость передачи данных: 12 Мб/ c
Поддержка: USB 2.0
Напряжение изоляции: 5 кВ (rms)
Ширина: импульса - 1000 нс мА
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Время: нарастания/ спада импульса (тип.) - 10 нс
Тип: развязки - Magnetic Coupling (индуктивный)
Напряжение питания: 2,7…5,5 (max) В
Диапазон рабочих температур: -40 …+85 °С
Потребляемый ток: 7,7 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL7
Количество: каналов - 2
Скорость передачи данных: 1 Мб/ c
Напряжение изоляции: 2,5 кВ (rms)
Корпус: SOIC-16 (SMD)
Время: нарастания/ спада импульса (тип.) - 300 нс
Тип: развязки - Magnetic Coupling (индуктивный)
Напряжение питания: 3,1…5,5 (max); Uном.= 3,3; 5 В
Диапазон рабочих температур: -40…+105 °С
Потребляемый ток: 6 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL
Количество: прямых и обратных каналов - 2 + 2
Скорость передачи данных: 12 Мб/ c
Поддержка: USB 2.0
Напряжение изоляции: 2,5 кВ (rms)
Корпус: SOIC-16 (SMD)
Выходной ток: 100 мА
Время: задержки распространения - 60 нс
Мощность: рассеиваемая (Pd) - 0,5 Вт
Тип: развязки - Magnetic Coupling (индуктивный)
Напряжение питания: 3…5,5 (max) В
Диапазон рабочих температур: -40…+105 °С
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL
Количество: каналов - 4
Скорость передачи данных: 1 Мбит/ c
Напряжение изоляции: 2,5 кВ (rms)
Корпус: SOIC-20 (SMD)
Тип: CAN-трансивер изолированный со встроенным DC-DC преобразователе м
Напряжение питания: 4.5…5,5 (max) В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Потребляемый ток: 232 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL
Количество: каналов - 1; трансиверов - 1
Скорость передачи данных: 1 Мбит/ c
Корпус: SOIC-16 (SMD)
Время: нарастания/ спада импульса (max) - 1,1 мкс
Мощность: рассеиваемая (Pd) - 0,5 Вт
Тип: развязки - Magnetic Coupling (индуктивный)
Напряжение питания: 3…5,5 (max) В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Потребляемый ток: 2 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL7
Количество: каналов - 1
Скорость передачи данных: 500 кбит/ c
Поддержка: RS-485; RS-422
Напряжение изоляции: 5 кВ (rms)
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Выходной ток: на канал - 15 мА
Тип: Двухканальный прецизионный операционный усилитель серии AD822A
Характеристика: (en) - интенсивность шума входного напряжения - 25 nV/ sqrt(H)
Напряжение питания: однополюсное - 5…30 (max); двухполюсное - ± 2,5…15 В
Входное напряжение: смещения нуля (Vos) - 100 мк В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Коэффициент: подавления: синфазного сигнала (CMRR)/ помех по питанию (PSRR) - 80 дБ %
Усиление: по напряжению - 120 дБ
Скорость: нарастания выходного напряжения (SR) - 3 В/ мкс
Потребляемый ток: 1,3 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL, 750 шт.
Количество: каналов - 2; тип выхода - Rail-to-Rail
Входной ток: смещения (Ib) - 25 пА (max)
Корпус: SOIC-14 (SMD)
Выходной ток: на канал - 30 мА
Мощность: рассеиваемая - 0,9 Вт
Тип: входа/ выхода - Rail-to-Rail
Характеристика: (en) - интенсивность шума входного напряжения - 42 nV/ sqrt(H)
Напряжение питания: 2,7…5,5 (max) В
Входное напряжение: смещения нуля (Vos) - 1 м В
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Коэффициент: подавления: - синфазного сигнала (CMRR)/ помех по питанию (PSRR) - 45/ 76 дБ
Усиление: по напряжению - 120 дБ
Скорость: нарастания выходного напряжения (SR) - 0,92 В/ мкс
Потребляемый ток: 260 мк А
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL, 1000 шт.
Входной ток: смещения (Ib) - 60 п А
Корпус: SOIC-16 (SMD)
Тип: входа/ выхода - однотактный (Single-Ended )
Напряжение питания: 3…5,5 (max) В
Диапазон рабочих температур: -40 …+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Потребляемый ток: 3 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Интерфейс: RS-232
Упаковка: REEL, 1000 шт.
Количество: каналов - 2 (2 драйвера)
Скорость передачи данных: 460 кбит/ c
Защита: от электростатических разрядов (ESD до ±15 кВ)
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Время: задержки распространения - 10 нс
Мощность: рассеиваемая - 450 м Вт
Тип: выхода - 3 состояния (3-State)
Напряжение: вход/ выход - 5/ 2 В
Напряжение питания: 5 В
Диапазон рабочих температур: -40 …+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Потребляемый ток: 1 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Интерфейс: RS-485
Упаковка: REEL, 2500 шт.
Количество: каналов - 1 (1 драйвер)
Скорость передачи данных: 5 Мбит/ c
Защита: от электростатических разрядов (ESD до ±15 кВ)
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Выходной ток: на канал - 10 мА
Тип: Прецизионный операционный усилитель серии OP2177
Характеристика: (In) - плотность тока шума на входе - 2 нA
Напряжение питания: двуполярное ± 2,5…± 15 В
Входное напряжение: смещения нуля (Vos) - 25 мк В
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Коэффициент: подавления: - синфазного сигнала (CMRR) - 118/ помех по питанию (PSRR) - 120 дБ
Усиление: по напряжению - 122,02 дБ; Кус. V/V - 2000 В/ м В
Скорость: SR - скорость нарастания выходного напряжения: 0.7 В/ мкс
Потребляемый ток: 500 мк А
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL, 1000 шт.
Количество: каналов - 2
Входной ток: смещения (Ib) - 2 нА; разбаланса - 1 н А
Корпус: TSSOP-16 (SMD)
Тип: входа/ выхода - однотактный (Single-Ended )
Напряжение питания: 3…5,5 (max) В
Диапазон рабочих температур: -40 …+85 °С
Описание: Low Power, 3.3 V, RS-232 Line Drivers/Receivers
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Потребляемый ток: 3 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Интерфейс: RS-232
Упаковка: REEL, 1000 шт.
Количество: каналов - 2 (2 драйвера)
Скорость передачи данных: 460 кбит/ c
Защита: от электростатических разрядов (ESD до ±15 кВ)
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: выхода - 3 состояния (3-State)
Напряжение питания: 3,3 В
Диапазон рабочих температур: -40 …+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Потребляемый ток: 2,2 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Интерфейс: RS-422; RS-485
Упаковка: REEL, 1000 шт.
Количество: каналов - 1 (1 драйвер)
Скорость передачи данных: 12 Mбит/ c
Защита: от электростатических разрядов (ESD до ±15 кВ)
Корпус: SOIC-14 (SMD)
Выходной ток: на канал - 30 мА
Тип: Прецизионный операционный усилитель серии AD8604
Характеристика: (en) - интенсивность шума входного напряжения: 33 nV/sqrt Hz
Напряжение питания: 2,7…6 (max) В
Входное напряжение: смещения нуля (Vos) - 80 мк В
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Коэффициент: подавления: - синфазного сигнала (CMRR)/ помех по питанию (PSRR) - 83/ 72 дБ
Усиление: по напряжению - 98,06 дБ
Скорость: SR - скорость нарастания выходного напряжения: 6 В/ мкс
Потребляемый ток: 750 мк А
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL, 1000 шт.
Количество: каналов - 4; тип выхода - Rail-to-Rail
Входной ток: смещения (Ib) - 0,2 пА (max)
Рабочая температура: -40…+105 °С
Корпус: SOIC16
Примечание: IC DIG ISOLATOR W/DC-DC 16SOIC
Напряжение питания: 3,3…5 В
Скорость: передачи данных: 1 Mbps
Количество: приемников: 1
Напряжение изоляции: 2500 В
Корпус: SOIC-16 (SMD)
Тип: Усилитель с оптической развязкой серии HCPL-788J
Входное напряжение: смещения нуля (Vos) - 3 м В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: Isolation Amplifier with Short Circuit and Overload Detection
Потребляемый ток: 20 мк А
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL
Количество: каналов - 1
Ширина: 256-Kbit (32 K × 8) Static RAM
Корпус: SOIC-28 (SMD)
Время: доступа - 55 нс
Тип: М/с памяти серии CY62256NLL
Напряжение питания: 4,5…5,5 В
Частота: тактовая (max) - 75 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Потребляемый ток: 50 (max) мА
Интерфейс: Parallel - 1 порт
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: SRAM 256 Кбит (32 Кбит х 8)
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/с памяти серии FM25W256-G
Напряжение питания: 2,7…5,5 (max); Uраб. - 3…5 В
Частота: 20 (max) М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 256-Kbit (32K × 8) Serial (SPI) F-RAM
Потребляемый ток: 250 (при 1 МГц) мк А
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FRAM 256 Кбит
Корпус: TSOP-44 (SMD)
Время: доступа - 55 нс
Тип: М/с памяти серии FM22L16-55-TG
Напряжение питания: 2,7…3,6; Uраб. - 3,3 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 4-Mbit (256K × 16) F-RAM Memory
Интерфейс: Parallel
Упаковка: TRAY
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FRAM 4 Мбит (256 Кбит х 16)
Тип: М/с памяти серии FM24V10-G
Напряжение питания: 2…3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 1-Mbit (128 K × 8) Serial (I2C) F-RAM
Интерфейс: I2C
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FRAM 1Mбит (128Kбит x 8)
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/с памяти серии FM24W256-G
Напряжение питания: 2,7…5,5 В
Частота: 1 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 256-Kbit (32 K × 8) Serial (I2C) F-RAM
Потребляемый ток: 100 (при F - 100 кГц) мк А
Интерфейс: I2C
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FRAM 256 Кбит
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/с памяти серии FM25V20A-G
Напряжение питания: 2…3,6 В
Частота: 40 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 2-Mbit (256 K × 8) Serial (SPI) F-RAM
Потребляемый ток: 300 (при F - 1 МГц) мк А
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FRAM 2 Мбит (256 Кбит х 8)
Корпус: SOIC-28 (SMD)
Время: доступа - 70 нс
Тип: М/с памяти серии FM25V20A-G
Напряжение питания: 2…3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 256-Kbit (32K × 8) F-RAM Memory
Потребляемый ток: 5 мА
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FRAM 2 Мбит (256 Кбит х 8)
Ширина: шины данных - 8 бит
Корпус: TSOP-48 (SMD)
Тип: синхронизации - asynchronous
Характеристика: быстродействие - 25 нс
Напряжение питания: 2,7…3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Потребляемый ток: 30 (max) мА
Интерфейс: Parallel
Упаковка: TRAY
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FLASH-NAND 2 Гбит (256 Мбит х 8)
Архитектура: Multiplane
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/с памяти ферроэлектрическая серии FM25L16B-G
Напряжение питания: 2,7…3,6 (max); Uраб.=3,3 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: F-RAM 16Kb Serial SPI 3V
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: 16-Kbit (2K × 8) F-RAM
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/с памяти ферроэлектрическая серии FM24V02
Напряжение питания: 2…3,6 (max); Uраб.=3,3 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: F-RAM NVRAM FRAM Memory Serial
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: 256-Kbit (32K × 8) F-RAM
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/c энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память серии FM24CL16B
Напряжение питания: 2,7…3,65 (max); Uраб.=3 В
Частота: до 1 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 16-Kbit (2K × 8) Serial (I2C) F-RAM
Потребляемый ток: 100 мкА (в режиме ожидания - 3 мкА)
Интерфейс: 2-Wire I2C (двухпроводный)
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: F-RAM 16 кbit (2 к х 8)
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(0.154, 3.90мм)
Тип: памяти: FRAM
Напряжение питания: 4.5…5.5 В
Частота: тактовая макс.: 1 М Гц
Интерфейс: i2c, 2-wire serial
Объем: памяти: 4 kбит(512x8)
Вес: 0,15 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(3.9мм)
Тип: памяти: FRAM
Напряжение питания: 2.7…3.65 В
Частота: тактовая макс.: 1 М Гц
Интерфейс: i2c, 2-wire serial
Объем: памяти: 64 kбит(8k x 8)
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/с последовательной памяти ферроэлектрическая серии FM25V
Напряжение питания: 2…3,6 В
Частота: 40 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 512Kит (64KX8) 2.0-3.6V F-RAM Serial (SPI) F-RAM
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: SPI
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: 512Kит (64KX8) 2.0-3.6V F-RAM
Корпус: SOIC-8 Wide (SMD)
Тип: Флеш-память NOR
Напряжение питания: 2,5…3,6 В
Частота: 70 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: FLASH Memory IC 16Mb (528 Bytes x 4096 pages) SPI 85 MHz SOIC-8(Wide)
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL, 2000 шт.
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: Flash 16Mb (528 Bytes x 4096 pages)
Корпус: LQFP-48
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F303 ARM® Cortex®-M4
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 120 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S, SDIO
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M4
Память: программная (Flash) - 256 кБ; ОЗУ (SRAM) - 48 кБ
Корпус: LQFP-48
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F103 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 128 кБ; ОЗУ (SRAM) - 20 кБ
Корпус: LQFP-64
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F103 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S, SDIO
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 512 кБ; ОЗУ (SRAM) - 64 кБ
Корпус: LQFP-100
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F103 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S, SDIO
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 256 кБ; ОЗУ (SRAM) - 48 кБ
Корпус: LQFP-100
Тип: GD32F105 Микроконтроллер 32 бит серии ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 256 кБ; ОЗУ (SRAM) - 96 кБ
Корпус: LQFP-64
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F105 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 256 кБ; ОЗУ (SRAM) - 96 кБ
Корпус: LQFP-64
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F103 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S, SDIO
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 256кБ; ОЗУ (SRAM) - 48 кБ
Корпус: LQFP-100
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F103 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S, SDIO
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 512 кБ; ОЗУ (SRAM) - 64 кБ
Корпус: LQFP-100
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F205 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 120 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S, SDIO
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 512 кБ; ОЗУ (SRAM) - 128 кБ
Корпус: LQFP-64
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F405 ARM® Cortex®-M4
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 168 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: I2C, SPI, USART, UART, CAN, USB, I2S, SDIO
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M4
Память: программная (Flash) - 1024 кБ; ОЗУ (SRAM) - 192 кБ
Корпус: LQFP-64
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F103 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S, SDIO
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 1024 кБ; ОЗУ (RAM) - 96 кБ
Корпус: LQFP-100
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F103 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 128 кБ; ОЗУ (SRAM) - 20 кБ
Корпус: LQFP-64
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F107 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 256 кБ; ОЗУ (SRAM) - 96 кБ
Корпус: LQFP-64
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F205 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 120 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S, SDIO
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 256 кБ; ОЗУ (SRAM) - 128 кБ
Корпус: LQFP-64
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F103 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 128 кБ; ОЗУ (SRAM) - 20 кБ
Корпус: LQFP-100
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F207 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 120 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S, SDIO
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 256 кБ; ОЗУ (SRAM) - 128 кБ
Корпус: LQFP-48
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F103 ARM® Cortex®-M3
Характеристика: MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 64 кБ; ОЗУ (SRAM) - 20 кБ
Корпус: QFN-36
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F103 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 128 кБ; ОЗУ (SRAM) - 20 кБ
Корпус: LQFP-64
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F105 ARM® Cortex®-M3
Характеристика: MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 128 кБ; ОЗУ (SRAM) - 64 кБ
Корпус: LQFP-100
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F107 ARM® Cortex®-M3
Характеристика: MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 256 кБ; ОЗУ (SRAM) - 96 кБ
Корпус: LQFP-100
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F107 ARM® Cortex®-M3
Характеристика: MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 120 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S, SDIO
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 1024 кБ; ОЗУ (SRAM) - 256 кБ
Корпус: LQFP-64
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F303 ARM® Cortex®-M4
Характеристика: MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 120 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S, SDIO
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M4
Память: программная (Flash) - 256 кБ; ОЗУ (SRAM) - 48 кБ
Корпус: LQFP-64
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F303 ARM® Cortex®-M4
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 120 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S, SDIO
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M4
Память: программная (Flash) - 512 кБ; ОЗУ (SRAM) - 64 кБ
Корпус: LQFP-100
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F303 ARM® Cortex®-M4
Характеристика: MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 120 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S, SDIO
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M4
Память: программная (Flash) - 256 кБ; ОЗУ (SRAM) - 48 кБ
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F205
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Диапазон рабочих температур, °C: -40…+85
Память: программная (Flash) - 1024 кБ; ОЗУ (SRAM) - 256 кБ
Частота М: 120 Гц
Недавно просмотренные товары:
Мой аккаунт
ИНФОРМАЦИЯ
Интернет-магазин. Купить электронные компоненты и радиодетали
- Почта: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
- Более 1 000 000 товаров в наличии и под заказ!