Микросхемы
Микросхема по своей сути является микроэлектронным устройством, изготовленным на полупроводниковой пластине или плёнке. Для упрощения их установки и защиты от возможных повреждений они помещаются в особые корпусы. Микросхемы значительно облегчают жизнь практически каждого человека в современном мире, поскольку именно благодаря им гигантское количество транзисторов можно закрепить на одном кристалле площадью в несколько квадратных сантиметров.
Компания «Радио-Гуру» предлагает вам широкий выбор самых разнообразных микросхем. В нашем ассортименте представлены микросхемы памяти, питания, отечественные версии и т.д. Все наши товары сертифицированы заводами-производителями и являются высококачественными комплектующими для большого количества устройств. Мы также обеспечиваем доставку в кратчайшие сроки, а если вы проживаете в пределах Москвы, вы лично можете забрать необходимую вам микросхему в нашем магазине.
Чтобы корректно направить нам заявку на приобретение электронных компонентов и других товаров, необходимо:
1) Указать ТИП ИЗДЕЛИЯ, НАИМЕНОВАНИЕ, БРЕНД, ГОД ВЫПУСКА ИЗДЕЛИЯ, ПРИЕМКА, КОЛИЧЕСТВОИ направить нам заявку на электронный почтовый адрес — Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
Рассмотрение заявок занимает как правило, 1-3 рабочих дня.
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Выходной ток: канала - 25 мА
Тип: Одноканальный дифференциальный усилитель серии AD629
Напряжение питания: + 5…36; ± 2,5…18 (max) В
Входное напряжение: смещения нуля (Vos) - 200 мк В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Коэффициент: подавления синфазного сигнала (CMRR) - 77 дБ
Скорость: нарастания выходного напряжения (SR) - 2,1 В/ мкс
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Полоса пропускания: 3 дБ - 500 Гц
Ток покоя, не более: 900 мк А
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: Прецизионный двухканальный операционный усилитель серии AD8512
Характеристика: (en) - интенсивность шума входного напряжения - 34 nV/ sqrt H
Напряжение питания: ± 9; ± 12 (± 5 min; ± 15 max) В
Входное напряжение: (Vos) - входное напряжение смещения нуля - 0,9 м В
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
Коэффициент: подавления помех по питанию (PSSR) - 86 дБ
Усиление: усиление по напряжению - 100,59 дБ
Скорость: нарастания выходного напряжения (SR) - 20 В/ мкс
Потребляемый ток: 4,6 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL7
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Выходной ток: на канал - 250 мА
Тип: Двухканальный прецизионный операционный усилитель серии AD8532
Характеристика: (en) - интенсивность шума входного напряжения - 45 nV/ sqrt Hz В
Напряжение питания: 2,7…6 В
Входное напряжение: смещения нуля (Vos) - 25 мк В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Коэффициент: подавления - синфазного сигнала (CMRR) - 47; - помех по питанию (PSSR) - 55 дБ
Усиление: по напряжению - 98,06 дБ
Скорость: нарастания выходного напряжения (SR) - 5 В/ мкс
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL7
Входной ток: смещения (Ib) - 60 пA
Ток покоя, не более: 700 мк А
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: Прецизионный операционный усилитель серии AD8551
Характеристика: (GBP) - коэффициент усиления x ширина полосы пропускания (fT): 1.5 М Гц
Напряжение питания: 2,7…6 (max) В
Входное напряжение: смещения нуля (Vos) - 1 мк В
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
Коэффициент: подавления: - синфазного сигнала (CMRR)/ помех по питанию (PSRR) - 115 дБ
Усиление: по напряжению - 145 дБ
Потребляемый ток: 975 мк А
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL
Количество: каналов - 1
Входной ток: смещения (Ib) - 1,5 пА (max)
Вес: 0,2 г
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Выходной ток: на канал - 15 (min) мА
Мощность: рассеиваемая (Pd) - 200 м Вт
Тип: Прецизионный операционный усилитель серии AD822 В
Характеристика: (en) - интенсивность шума входного напряжения - 25 nV/ sqrt Hz
Напряжение питания: однополярное +5…30; двуполярное ± 2,5…15 В
Входное напряжение: смещения нуля (Vos) - 100 мк В
Диапазон рабочих температур: -40 …+85 °С
Коэффициент: подавления: - синфазного сигнала (CMRR)/ помех по питанию (PSRR) - 80 дБ
Усиление: по напряжению - 120 дБ
Скорость: нарастания выходного напряжения (SR) - 2 В/ мкс
Потребляемый ток: 1,8 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL7
Количество: каналов - 2; тип выхода - Rail-to-Rail
Входной ток: смещения (Ib) - 12 пА (max)
Ширина: импульса - 100 нс мА
Корпус: SOIC-16 (SMD)
Время: нарастания/ спада импульса (тип.) - 3 нс
Тип: развязки - Magnetic Coupling (индуктивный)
Напряжение питания: 2,7…5,5 (max); Uном.= 5 В
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
Потребляемый ток: 11 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL
Количество: каналов - 4
Скорость передачи данных: 10 Мб/ c
Напряжение изоляции: 2,5 кВ (rms)
Ширина: импульса - 100 нс
Корпус: SOIC-16 (SMD)
Время: нарастания/ спада импульса (тип.) - 3 нс
Тип: развязки - Magnetic Coupling (индуктивный)
Напряжение питания: 2,7…5,5 (max) В
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
Потребляемый ток: 11 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL
Количество: каналов - 4
Скорость передачи данных: 10 Мб/ c
Напряжение изоляции: 2,5 кВ (rms)
Корпус: SOIC-16 (SMD)
Время: нарастания/ спада импульса (тип.) - 300 нс
Тип: развязки - Magnetic Coupling (индуктивный)
Напряжение питания: 3,1…5,5 (max); Uном.= 3,3; 5 В
Диапазон рабочих температур: -40…+105 °С
Потребляемый ток: 6 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL
Количество: прямых и обратных каналов - 2 + 2
Скорость передачи данных: 12 Мб/ c
Поддержка: USB 2.0
Напряжение изоляции: 5 кВ (rms)
Ширина: импульса - 1000 нс мА
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Время: нарастания/ спада импульса (тип.) - 10 нс
Тип: развязки - Magnetic Coupling (индуктивный)
Напряжение питания: 2,7…5,5 (max) В
Диапазон рабочих температур: -40 …+85 °С
Потребляемый ток: 7,7 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL7
Количество: каналов - 2
Скорость передачи данных: 1 Мб/ c
Напряжение изоляции: 2,5 кВ (rms)
Корпус: SOIC-16 (SMD)
Время: нарастания/ спада импульса (тип.) - 300 нс
Тип: развязки - Magnetic Coupling (индуктивный)
Напряжение питания: 3,1…5,5 (max); Uном.= 3,3; 5 В
Диапазон рабочих температур: -40…+105 °С
Потребляемый ток: 6 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL
Количество: прямых и обратных каналов - 2 + 2
Скорость передачи данных: 12 Мб/ c
Поддержка: USB 2.0
Напряжение изоляции: 2,5 кВ (rms)
Корпус: SOIC-16 (SMD)
Выходной ток: 100 мА
Время: задержки распространения - 60 нс
Мощность: рассеиваемая (Pd) - 0,5 Вт
Тип: развязки - Magnetic Coupling (индуктивный)
Напряжение питания: 3…5,5 (max) В
Диапазон рабочих температур: -40…+105 °С
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL
Количество: каналов - 4
Скорость передачи данных: 1 Мбит/ c
Напряжение изоляции: 2,5 кВ (rms)
Корпус: SOIC-20 (SMD)
Тип: CAN-трансивер изолированный со встроенным DC-DC преобразователе м
Напряжение питания: 4.5…5,5 (max) В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Потребляемый ток: 232 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL
Количество: каналов - 1; трансиверов - 1
Скорость передачи данных: 1 Мбит/ c
Корпус: SOIC-16 (SMD)
Время: нарастания/ спада импульса (max) - 1,1 мкс
Мощность: рассеиваемая (Pd) - 0,5 Вт
Тип: развязки - Magnetic Coupling (индуктивный)
Напряжение питания: 3…5,5 (max) В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Потребляемый ток: 2 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL7
Количество: каналов - 1
Скорость передачи данных: 500 кбит/ c
Поддержка: RS-485; RS-422
Напряжение изоляции: 5 кВ (rms)
Недавно просмотренные товары:
Мой аккаунт
ИНФОРМАЦИЯ
Интернет-магазин. Купить электронные компоненты и радиодетали
- Почта: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
- Более 1 000 000 товаров в наличии и под заказ!