Микросхемы
Микросхема по своей сути является микроэлектронным устройством, изготовленным на полупроводниковой пластине или плёнке. Для упрощения их установки и защиты от возможных повреждений они помещаются в особые корпусы. Микросхемы значительно облегчают жизнь практически каждого человека в современном мире, поскольку именно благодаря им гигантское количество транзисторов можно закрепить на одном кристалле площадью в несколько квадратных сантиметров.
Компания «Радио-Гуру» предлагает вам широкий выбор самых разнообразных микросхем. В нашем ассортименте представлены микросхемы памяти, питания, отечественные версии и т.д. Все наши товары сертифицированы заводами-производителями и являются высококачественными комплектующими для большого количества устройств. Мы также обеспечиваем доставку в кратчайшие сроки, а если вы проживаете в пределах Москвы, вы лично можете забрать необходимую вам микросхему в нашем магазине.
Чтобы корректно направить нам заявку на приобретение электронных компонентов и других товаров, необходимо:
1) Указать ТИП ИЗДЕЛИЯ, НАИМЕНОВАНИЕ, БРЕНД, ГОД ВЫПУСКА ИЗДЕЛИЯ, ПРИЕМКА, КОЛИЧЕСТВОИ направить нам заявку на электронный почтовый адрес — Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
Рассмотрение заявок занимает как правило, 1-3 рабочих дня.
Корпус: SOIC-14 (SMD)
Тип: Микроконтроллер 8 бит серии PIC16(L)F150x
Напряжение питания: 2,3…5,5 (max) В
Частота: тактовая (max) - 20 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 14-Pin Flash 8-Bit Microcontrollers with XLP Technology
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Разрешение: АЦП - 10 бит
Интерфейс: I2C, SPI
Упаковка: TUBE, 57 шт.
Количество: входов/ выходов - 12 I/O; каналов АЦП - 8; таймеров - 3
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: PIC16, процессор PIC16
Память: программная (Flash) - 3,5 кБ; ОЗУ (RAM) - 128 Б
Корпус: SOT-23-3 (SMD)
Выходной ток: через шунт - не более 15 мА
Рабочий ток: 415 (max) мк А
Мощность: рассеиваемая - 306 м Вт
Тип: Прецизионный микромощный источник опорного напряжения серии LM440-N
Характеристика: температурный коэффициент - 150 ppm/ C
Входное напряжение: cерия VREF - 2,5 (max) В
Выходное напряжение: 2,5 ± 0,2% В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL
Нестабильность: выходной нагрузки - 6 м В
Вес: 0,15 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(0.154 inch)
Тип: общего применения
Напряжение: смещения на входе: 60 мк В
Характеристика: Токовое смещение на входе: 1,8 н А
Напряжение питания: однополярное(+)/двуполярное (±): ±3…18 В
Скорость: нарастания выходного сигнала: 0,3 В/мкс
Количество: каналов: 1
Полоса пропускания: 0,6 М Гц
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: Микроконтроллер 8 бит серии ATtiny13A
Напряжение питания: 1,8…5,5 (max) В
Частота: тактовая (max) - 20 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 8-bit Microcontroller with 1K Bytes In-System Programmable Flash
Разрешение: АЦП - 10 бит
Интерфейс: SPI
Упаковка: Tube
Количество: вх./ вых. - 6 IO; каналов АЦП - 4; таймеров - 1
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: AVR, серия процессора - tinyAVR
Память: программная (Flash) - 1 кБ; ПЗУ (EPPROM) - 64 Б; ОЗУ (SRAM) - 64 Б
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/c энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память серии FM24CL16B
Напряжение питания: 2,7…3,65 (max); Uраб.=3 В
Частота: до 1 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 16-Kbit (2K × 8) Serial (I2C) F-RAM
Потребляемый ток: 100 мкА (в режиме ожидания - 3 мкА)
Интерфейс: 2-Wire I2C (двухпроводный)
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: F-RAM 16 кbit (2 к х 8)
Рабочая температура: 0…+70 °С
Корпус: SOT235
Корпус: LQFP-48 (SMD)
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии ARM® Cortex®-M0
Характеристика: MSL(Уровень чувствительности к влажности) - 3
Напряжение питания: 2.4…3,6 (max) В
Частота: тактовая (max) - 48 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Интерфейс: I2C, SPI, UART/USART
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M0
Память: программная (Flash) - 32 кБ; ОЗУ (RAM) - 4 кБ
Корпус: SOIC-8 Narrow (SMD)
Тип: Флеш-память NOR
Напряжение питания: 1,65 … 3,6 В
Частота: 70 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: FLASH Memory 4Mb (264 Bytes x 2048 pages) SPI 85 MHz SOIC-8(Narrow)
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL, 4000 шт.
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: Flash 4Mb (264 Bytes x 2048 pages)
Вес: не более 1 г
Корпус: 201.14-1
Вес: не более 1 г
Корпус: 201.14-1
Вес: не более 1 г
Корпус: 201.14-1
Вес: не более 1 г
Корпус: 201.14-1
Время: задержки распространения при выключении: 15 нс
Напряжение питания: 5 В
Выходное напряжение: высокого уровня: не менее 2,5 В
Вес: не более 3 г
Корпус: 1203.15-1
Мощность: потребляемая: не более 70 м Вт
Напряжение: питания: 6,3В+-10%
Входное сопротивление: >200 Ом
Вес: не более 3,5 г
Корпус: 1203.15-1
Вес: не более 2,2 г
Корпус: 201.14-8
Ток: потребления:
Мощность: потребляемая:
Напряжение питания: 15+-10% В
Вес: не более 2,2 г
Корпус: 201.14-8
Ток: потребления:
Мощность: потребляемая:
Напряжение питания: 15+-10% В
Вес: не более 2,2 г
Корпус: 201.14-9
Ток: потребления:
Мощность: потребляемая:
Напряжение питания: 15+-10% В
Вес: не более 1 г
Корпус: 201.14-1
Ток: потребления: не более 3,6 мА
Напряжение питания: ±15 В
Вес: не более 1 г
Корпус: 201.14-1
Ток: потребления: не более 9 мА
Напряжение питания: не более 14 В
Вес: не более 1,2 г
Корпус: 238.16-2
Ток: потребления: ≤ 32 мА
Мощность: потребляемая: 160 м Вт
Напряжение питания: 5 ± 5% В
Вес: не более 1,2 г
Корпус: 238.16-2
Ток: потребления: ≤ 30 мА
Мощность: потребляемая: 157,5 м Вт
Напряжение питания: 5 ± 5% В
Вес: 0,9 г
Корпус: DIP14
Мощность: потребляемая: 2 м Вт
Вес: не более 3,6 г
Корпус: 2140.20-1
Ток: потребления: ≤ 40 мА
Мощность: потребляемая: 210 м Вт
Напряжение питания: 5 ± 5% В
Вес: не более 1,2 г
Корпус: 238.16-2
Ток: потребления: ≤ 15 мА
Мощность: потребляемая: 66,1 м Вт
Напряжение питания: 5 ± 5% В
Вес: не более 1 г
Корпус: 238.16-1
Ток: потребления: ≤ 12 мА
Мощность: потребляемая: 57,8 м Вт
Напряжение питания: 5 ± 5% В
Вес: не более 1 г
Корпус: 238.16-2
Ток: потребления: ≤ 15,5 мА
Напряжение питания: 5 ± 5% В
Вес: не более 1,2 г
Корпус: 238.16-2
Ток: потребления: ≤ 9,7 мА
Мощность: потребляемая: 55 м Вт
Напряжение питания: 5 ± 5% В
Вес: не более 1,2 г
Корпус: 238.16-2
Ток: потребления: ≤ 9,7 мА
Мощность: потребляемая: 55 м Вт
Напряжение питания: 5 В ± 5%
Вес: не более 1 г
Корпус: 201.14-1
Ток: потребления: ≤ 6 мА
Мощность: потребляемая: 18,38 м Вт
Напряжение питания: 5 В± 5%
Вес: не более 1 г
Корпус: 201.14-1
Ток: потребления: ≤ 5,4 мА
Мощность: потребляемая: 22,6 м Вт
Напряжение питания: 5 В± 5%
Вес: не более 1 г
Корпус: 201.14-1
Ток: потребления: ≤ 8,8 мА
Мощность: потребляемая: 35,7 м Вт
Напряжение питания: 5 В± 5%
Вес: не более 1 г
Корпус: 201.14-1
Ток: потребления: ≤ 4,4 мА
Мощность: потребляемая: 17,85 м Вт
Напряжение питания: 5 В± 5%
Вес: не более 1 г
Корпус: 201.14-1
Ток: потребления: ≤ 1,3 мА
Мощность: потребляемая: 5,51 м Вт
Напряжение питания: 5 В± 5%
Вес: не более 1 г
Корпус: 201.14-1
Ток: потребления: ≤ 8 мА
Мощность: потребляемая: 31,5 м Вт
Напряжение питания: 5 В± 5%
Вес: не более 1,5 г
Корпус: 238.16-1
Ток: потребления: ≤ 1 мА
Напряжение питания: 5 В± 5%
Вес: не более 4 г
Корпус: 4114.24-4
Ток: потребления:
Напряжение питания: 1,8…6,6 В
Ток: потребления: ≤ 31 мА
Мощность: потребляемая: ≤ 0,3 Вт
Напряжение: стабилизированное: 4…5,4 В
Ток: потребления: не более 4 мА
Мощность: потребляемая: 22 м Вт
Напряжение: питания: 5 В
Вес: не более 1 г
Корпус: 2101.8-1
Время: задержки: 500 нс
Входное напряжение: 1,1-1,5 В
Выходное напряжение: высокого уровня: не менее 2,4 В
Вес: не более 1 г
Корпус: 201.14-1
Ток: потребления: не более 6,5 мА
Напряжение питания: не более 14 В
Вес: не более 3,6 г
Корпус: 2140.20-1
Ток: короткого замыкания: от -225 до -40 мА
Мощность: потребляемая: 297 м Вт
Напряжение питания: 5±5% В
Выходное напряжение: высокого уровня: не менее 2 В
Входной ток: высокого уровня: не более 20 мА
Вес: 4 г
Корпус: 2221.28-1
Время: задержки: 10 нс
Мощность: потребляемая: 2 м Вт
Вес: не более 1 г
Корпус: 201.14-1
Ток: потребления: ≤ 27 мА
Мощность: 148,5 м Вт
Напряжение питания: 5 ± 5% В
Вес: 1 г
Корпус: DIP-16
Вес: не более 1,2 г
Корпус: 238.16-2
Ток: потребления: ≤ 40 мА
Мощность: потребляемая: 210 м Вт
Напряжение питания: 5 ±5% В
Вес: 1 г
Корпус: DIP-16
Вес: 1 г
Корпус: DIP-16
Вес: не более 1 г
Корпус: 201.14-1
Ток: потребления: ≤ 3,3 мА
Мощность: потребляемая: 11,8 м Вт
Напряжение питания: 5 В± 5%
Вес: не более 2 г
Корпус: 201.14-8
Выходной ток: низкого уровня: не более -0,4 мА
Ток: потребления: при высоком уровне не более 3,3, при низком уровне не более 1,2 мА
Время: задержки распространения: при включении 28 нс; при выключении 32 нс
Мощность: потребляемая: 13 м Вт
Напряжение питания: 5 В ± 5%
Выходное напряжение: низкого уровня: не более 0,5 В
Вес: не более 1 г
Корпус: 201.14-1
Ток: потребления: < 4,4 мА
Мощность: потребляемая: 3,937 м Вт
Напряжение питания: 5 В± 5%
Вес: не более 1 г
Корпус: 201.14-1
Ток: потребления: ≤ 12 мА
Мощность: потребляемая: 36,5 м Вт
Напряжение питания: 5 В± 5%
Вес: не более 1 г
Корпус: 201.14-1
Ток: потребления: ≤ 2,8 мА
Мощность: потребляемая: 11,55 м Вт
Напряжение питания: 5 В± 5%
Недавно просмотренные товары:
Мой аккаунт
ИНФОРМАЦИЯ
Интернет-магазин. Купить электронные компоненты и радиодетали
- Почта: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
- Более 1 000 000 товаров в наличии и под заказ!
