Микросхемы
Микросхема по своей сути является микроэлектронным устройством, изготовленным на полупроводниковой пластине или плёнке. Для упрощения их установки и защиты от возможных повреждений они помещаются в особые корпусы. Микросхемы значительно облегчают жизнь практически каждого человека в современном мире, поскольку именно благодаря им гигантское количество транзисторов можно закрепить на одном кристалле площадью в несколько квадратных сантиметров.
Компания «Радио-Гуру» предлагает вам широкий выбор самых разнообразных микросхем. В нашем ассортименте представлены микросхемы памяти, питания, отечественные версии и т.д. Все наши товары сертифицированы заводами-производителями и являются высококачественными комплектующими для большого количества устройств. Мы также обеспечиваем доставку в кратчайшие сроки, а если вы проживаете в пределах Москвы, вы лично можете забрать необходимую вам микросхему в нашем магазине.
Чтобы корректно направить нам заявку на приобретение электронных компонентов и других товаров, необходимо:
1) Указать ТИП ИЗДЕЛИЯ, НАИМЕНОВАНИЕ, БРЕНД, ГОД ВЫПУСКА ИЗДЕЛИЯ, ПРИЕМКА, КОЛИЧЕСТВОИ направить нам заявку на электронный почтовый адрес — Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
Рассмотрение заявок занимает как правило, 1-3 рабочих дня.
TEXAS INSTRUMENTS Рабочая температура: 0…+70 °С
Корпус: SOT235
ST Microelectronics Корпус: LQFP-48 (SMD)
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии ARM® Cortex®-M0
Характеристика: MSL(Уровень чувствительности к влажности) - 3
Напряжение питания: 2.4…3,6 (max) В
Частота: тактовая (max) - 48 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Интерфейс: I2C, SPI, UART/USART
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M0
Память: программная (Flash) - 32 кБ; ОЗУ (RAM) - 4 кБ
Adesto Technologies Корпус: SOIC-8 Narrow (SMD)
Тип: Флеш-память NOR
Напряжение питания: 1,65 … 3,6 В
Частота: 70 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: FLASH Memory 4Mb (264 Bytes x 2048 pages) SPI 85 MHz SOIC-8(Narrow)
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL, 4000 шт.
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: Flash 4Mb (264 Bytes x 2048 pages)
Вес: не более 1 г
Корпус: 201.14-1
Вес: не более 1 г
Корпус: 201.14-1
Вес: не более 1 г
Корпус: 201.14-1
Вес: не более 1 г
Корпус: 201.14-1
Время: задержки распространения при выключении: 15 нс
Напряжение питания: 5 В
Выходное напряжение: высокого уровня: не менее 2,5 В
Вес: не более 3 г
Корпус: 1203.15-1
Мощность: потребляемая: не более 70 м Вт
Напряжение: питания: 6,3В+-10%
Входное сопротивление: >200 Ом
Вес: не более 3,5 г
Корпус: 1203.15-1
Вес: не более 2,2 г
Корпус: 201.14-8
Ток: потребления:
Мощность: потребляемая:
Напряжение питания: 15+-10% В
Вес: не более 2,2 г
Корпус: 201.14-8
Ток: потребления:
Мощность: потребляемая:
Напряжение питания: 15+-10% В
Вес: не более 2,2 г
Корпус: 201.14-9
Ток: потребления:
Мощность: потребляемая:
Напряжение питания: 15+-10% В
Вес: не более 1 г
Корпус: 201.14-1
Ток: потребления: не более 3,6 мА
Напряжение питания: ±15 В
Вес: не более 1 г
Корпус: 201.14-1
Ток: потребления: не более 9 мА
Напряжение питания: не более 14 В
Вес: не более 1,2 г
Корпус: 238.16-2
Ток: потребления: ≤ 32 мА
Мощность: потребляемая: 160 м Вт
Напряжение питания: 5 ± 5% В
Вес: не более 1,2 г
Корпус: 238.16-2
Ток: потребления: ≤ 30 мА
Мощность: потребляемая: 157,5 м Вт
Напряжение питания: 5 ± 5% В
Вес: 0,9 г
Корпус: DIP14
Мощность: потребляемая: 2 м Вт
Вес: не более 3,6 г
Корпус: 2140.20-1
Ток: потребления: ≤ 40 мА
Мощность: потребляемая: 210 м Вт
Напряжение питания: 5 ± 5% В
Вес: не более 1,2 г
Корпус: 238.16-2
Ток: потребления: ≤ 15 мА
Мощность: потребляемая: 66,1 м Вт
Напряжение питания: 5 ± 5% В
Недавно просмотренные товары:
Мой аккаунт
ИНФОРМАЦИЯ
Интернет-магазин. Купить электронные компоненты и радиодетали
- Почта: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
- Более 1 000 000 товаров в наличии и под заказ!