Микросхемы памяти
Чтобы корректно направить нам заявку на приобретение электронных компонентов и других товаров, необходимо:
1) Указать ТИП ИЗДЕЛИЯ, НАИМЕНОВАНИЕ, БРЕНД, ГОД ВЫПУСКА ИЗДЕЛИЯ, ПРИЕМКА, КОЛИЧЕСТВОИ направить нам заявку на электронный почтовый адрес — Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
Рассмотрение заявок занимает как правило, 1-3 рабочих дня.
ST Microelectronics 
ST Microelectronics 
ST Microelectronics 
ST Microelectronics 
ST Microelectronics 
Micron Technology Под заказ
Ширина: шины данных: 16 bit
Вес: 0,726 г
Рабочая температура: -40…+95 °С
Тип: DRAM
Размер: памяти: 2 Gbit
Напряжение питания: 1,7…1,9 В
Частота: тактовая (max): 400 М Гц
Тип монтажа: SMD/SMT
Категория: DRAM
1423 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: Поштучно 300 шт.
Ширина: шины данных: 16 bit
Вес: 0,726 г
Рабочая температура: -40…+95 °С
Тип: DRAM
Размер: памяти: 2 Gbit
Напряжение питания: 1,7…1,9 В
Частота: тактовая (max): 400 М Гц
Тип монтажа: SMD/SMT
Категория: DRAM
Micron Technology Под заказ
Ширина: шины данных: 16 bit
Рабочая температура: 0…+85 °С
Тип: DRAM
Размер: памяти: 2 Gbit
Напряжение питания: 1,7…1,9 В
Частота: тактовая (max): 800 М Гц
Тип монтажа: SMD/SMT
Категория: DRAM
1195 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 127 УП. по 2 шт.;
Ширина: шины данных: 16 bit
Рабочая температура: 0…+85 °С
Тип: DRAM
Размер: памяти: 2 Gbit
Напряжение питания: 1,7…1,9 В
Частота: тактовая (max): 800 М Гц
Тип монтажа: SMD/SMT
Категория: DRAM
Micron Technology Под заказ
Рабочая температура: -40…+85 °С
Время: доступа: 5,4 нс
Размер: памяти: 256 Mbit
Напряжение питания: 3…3,6 В
Частота: тактовая (max): 167 М Гц
Тип монтажа: SMD/SMT
Категория: DRAM
494 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 187 УП. по 5 шт.;
Рабочая температура: -40…+85 °С
Время: доступа: 5,4 нс
Размер: памяти: 256 Mbit
Напряжение питания: 3…3,6 В
Частота: тактовая (max): 167 М Гц
Тип монтажа: SMD/SMT
Категория: DRAM
Micron Technology Под заказ
Корпус: TSOP-48 (SMD)
Тип: М/с памяти серии MT29F
Напряжение питания: 1,7…3,6 (1,7…1,95) В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 2Gb: x8 NAND Flash Memory Features
Интерфейс: IC
Упаковка: TRAY
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: NAND Flash 2 Гбит (256 Мбит х 8)
356 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 36 УП. по 5 шт.;
Корпус: TSOP-48 (SMD)
Тип: М/с памяти серии MT29F
Напряжение питания: 1,7…3,6 (1,7…1,95) В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 2Gb: x8 NAND Flash Memory Features
Интерфейс: IC
Упаковка: TRAY
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: NAND Flash 2 Гбит (256 Мбит х 8)
Micron Technology Под заказ
Ширина: шины данных - 8 бит
Корпус: SO-8 (SMD)
Ток: считывания активный - 8 мА
Тип: синхронизации - synchronous
Характеристика: быстродействие - 75 нс
Напряжение питания: 2,7…3,6 В
Частота: тактовая (max) - 75 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: Micron M25P16 Serial Flash Embedded Memory
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: NOR 16 Мбит (2 Мбит х 8)
209 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 499 УП. по 5 шт.;
Ширина: шины данных - 8 бит
Корпус: SO-8 (SMD)
Ток: считывания активный - 8 мА
Тип: синхронизации - synchronous
Характеристика: быстродействие - 75 нс
Напряжение питания: 2,7…3,6 В
Частота: тактовая (max) - 75 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: Micron M25P16 Serial Flash Embedded Memory
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: NOR 16 Мбит (2 Мбит х 8)
Microchip 
Microchip Под заказ
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(3.9мм)
Тип: памяти: eeprom
Напряжение питания: 1,7…5,6 В
Частота: тактовая (max): 1 М Гц
Интерфейс: i2c, 2-wire serial
Объем: памяти: 64 kбит(8k x 8)
43 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 99 УП. по 25 шт.;
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(3.9мм)
Тип: памяти: eeprom
Напряжение питания: 1,7…5,6 В
Частота: тактовая (max): 1 М Гц
Интерфейс: i2c, 2-wire serial
Объем: памяти: 64 kбит(8k x 8)
Microchip Под заказ
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: SOIC
Количество выводов: 8
Тип: 4Kbit Serial Microwire EEPROMs
Размер: памяти: 4 Кбит
Напряжение питания: 1,7…5,5 В
Частота: тактовая (max): 2 М Гц
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
29 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 33 УП. по 50 шт.;
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: SOIC
Количество выводов: 8
Тип: 4Kbit Serial Microwire EEPROMs
Размер: памяти: 4 Кбит
Напряжение питания: 1,7…5,5 В
Частота: тактовая (max): 2 М Гц
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Microchip Под заказ
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: SO8150
Напряжение питания: 1,7…5,5 В
Интерфейс: I2C
Объем: памяти: 4 кбит
22 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 67 УП. по 50 шт.;
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: SO8150
Напряжение питания: 1,7…5,5 В
Интерфейс: I2C
Объем: памяти: 4 кбит
Microchip Под заказ
Вес: 0,6 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(3.9мм)
Тип: памяти: eeprom
Напряжение питания: 1,7…5,5 В
Частота: тактовая (max): 1 М Гц
Интерфейс: i2c, 2-wire serial
Объем: памяти: 256 kбит(32k x 8)
107 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: Поштучно 315 шт.
Вес: 0,6 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(3.9мм)
Тип: памяти: eeprom
Напряжение питания: 1,7…5,5 В
Частота: тактовая (max): 1 М Гц
Интерфейс: i2c, 2-wire serial
Объем: памяти: 256 kбит(32k x 8)
Microchip Под заказ
Корпус: SOIC-8 Narrow (SMD)
Время: доступа - 550 нс; сохранения данных - не менее 40 ет
Тип: М/ с памяти серии AT24C512C
Напряжение питания: 2,5…5,5 (max) В
Частота: 1 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: I²C-Compatible (Two-Wire) Serial EEPROM 512‑Kbit (65,536 x 8)
Потребляемый ток: 3 мА (max); ток ожидания - 6 мкА (max)
Интерфейс: последовательный I2C-совместимый (двухпроводный)
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: EEPROM 512 кбит (64к x 8)
212 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 39 УП. по 10 шт.; 1 УП. по 5 шт.;
Корпус: SOIC-8 Narrow (SMD)
Время: доступа - 550 нс; сохранения данных - не менее 40 ет
Тип: М/ с памяти серии AT24C512C
Напряжение питания: 2,5…5,5 (max) В
Частота: 1 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: I²C-Compatible (Two-Wire) Serial EEPROM 512‑Kbit (65,536 x 8)
Потребляемый ток: 3 мА (max); ток ожидания - 6 мкА (max)
Интерфейс: последовательный I2C-совместимый (двухпроводный)
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: EEPROM 512 кбит (64к x 8)
Microchip Под заказ
Корпус: PDIP-8
Время: доступа - 900 нс
Тип: М/с памяти серии 24AA256
Напряжение питания: 2,5…5,5 В
Частота: 400 (max) Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 256K I2 CMOS Serial EEPROM
Потребляемый ток: 3 мА
Интерфейс: 2-Wire, I2C
Тип монтажа: Through Hole
Память: 256 kбит(32k x 8) EEPROM
247 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 30 УП. по 10 шт.;
Корпус: PDIP-8
Время: доступа - 900 нс
Тип: М/с памяти серии 24AA256
Напряжение питания: 2,5…5,5 В
Частота: 400 (max) Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 256K I2 CMOS Serial EEPROM
Потребляемый ток: 3 мА
Интерфейс: 2-Wire, I2C
Тип монтажа: Through Hole
Память: 256 kбит(32k x 8) EEPROM
Microchip 
Microchip Под заказ
Ширина: шины данных - 8 бит
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: Флеш-память NOR
Напряжение питания: 2,7…3,6 В
Частота: 50 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 16Mb (2M x 8) Flash Memory NOR Serial (SPI) 50 MHz
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: SPI
Упаковка: TUBE, 90 шт.
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: NOR 16 Мбит (2 Мбит х 8)
257 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 162 УП. по 5 шт.;
Ширина: шины данных - 8 бит
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: Флеш-память NOR
Напряжение питания: 2,7…3,6 В
Частота: 50 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 16Mb (2M x 8) Flash Memory NOR Serial (SPI) 50 MHz
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: SPI
Упаковка: TUBE, 90 шт.
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: NOR 16 Мбит (2 Мбит х 8)
Dialog Semiconductor Под заказ
Корпус: SOIC-8 Wide (SMD)
Тип: Флеш-память NOR
Напряжение питания: 2,5…3,6 В
Частота: 70 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: FLASH Memory IC 16Mb (528 Bytes x 4096 pages) SPI 85 MHz SOIC-8(Wide)
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL, 2000 шт.
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: Flash 16Mb (528 Bytes x 4096 pages)
240 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 132 УП. по 5 шт.;
Корпус: SOIC-8 Wide (SMD)
Тип: Флеш-память NOR
Напряжение питания: 2,5…3,6 В
Частота: 70 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: FLASH Memory IC 16Mb (528 Bytes x 4096 pages) SPI 85 MHz SOIC-8(Wide)
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL, 2000 шт.
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: Flash 16Mb (528 Bytes x 4096 pages)
Cypress Semiconductor Под заказ
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/с последовательной памяти ферроэлектрическая серии FM25V
Напряжение питания: 2…3,6 В
Частота: 40 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 512Kит (64KX8) 2.0-3.6V F-RAM Serial (SPI) F-RAM
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: SPI
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: 512Kит (64KX8) 2.0-3.6V F-RAM
1007 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 80 УП. по 2 шт.;
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/с последовательной памяти ферроэлектрическая серии FM25V
Напряжение питания: 2…3,6 В
Частота: 40 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 512Kит (64KX8) 2.0-3.6V F-RAM Serial (SPI) F-RAM
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: SPI
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: 512Kит (64KX8) 2.0-3.6V F-RAM