Микросхемы памяти
Чтобы корректно направить нам заявку на приобретение электронных компонентов и других товаров, необходимо:
1) Указать ТИП ИЗДЕЛИЯ, НАИМЕНОВАНИЕ, БРЕНД, ГОД ВЫПУСКА ИЗДЕЛИЯ, ПРИЕМКА, КОЛИЧЕСТВОИ направить нам заявку на электронный почтовый адрес — Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
Рассмотрение заявок занимает как правило, 1-3 рабочих дня.
Cypress Semiconductor Под заказ
Вес: 0,15 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(3.9мм)
Тип: памяти: FRAM
Напряжение питания: 2.7…3.65 В
Частота: тактовая макс.: 1 М Гц
Интерфейс: i2c, 2-wire serial
Объем: памяти: 64 kбит(8k x 8)
255 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 18 УП. по 10 шт.; Поштучно 351 шт.
Вес: 0,15 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(3.9мм)
Тип: памяти: FRAM
Напряжение питания: 2.7…3.65 В
Частота: тактовая макс.: 1 М Гц
Интерфейс: i2c, 2-wire serial
Объем: памяти: 64 kбит(8k x 8)
Cypress Semiconductor Под заказ
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(0.154, 3.90мм)
Тип: памяти: FRAM
Напряжение питания: 4.5…5.5 В
Частота: тактовая макс.: 1 М Гц
Интерфейс: i2c, 2-wire serial
Объем: памяти: 4 kбит(512x8)
208 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 490 УП. по 10 шт.;
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(0.154, 3.90мм)
Тип: памяти: FRAM
Напряжение питания: 4.5…5.5 В
Частота: тактовая макс.: 1 М Гц
Интерфейс: i2c, 2-wire serial
Объем: памяти: 4 kбит(512x8)
Cypress Semiconductor Под заказ
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/c энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память серии FM24CL16B
Напряжение питания: 2,7…3,65 (max); Uраб.=3 В
Частота: до 1 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 16-Kbit (2K × 8) Serial (I2C) F-RAM
Потребляемый ток: 100 мкА (в режиме ожидания - 3 мкА)
Интерфейс: 2-Wire I2C (двухпроводный)
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: F-RAM 16 кbit (2 к х 8)
122 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 18 УП. по 10 шт.;
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/c энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память серии FM24CL16B
Напряжение питания: 2,7…3,65 (max); Uраб.=3 В
Частота: до 1 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 16-Kbit (2K × 8) Serial (I2C) F-RAM
Потребляемый ток: 100 мкА (в режиме ожидания - 3 мкА)
Интерфейс: 2-Wire I2C (двухпроводный)
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: F-RAM 16 кbit (2 к х 8)
Cypress Semiconductor Под заказ
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/с памяти ферроэлектрическая серии FM24V02
Напряжение питания: 2…3,6 (max); Uраб.=3,3 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: F-RAM NVRAM FRAM Memory Serial
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: 256-Kbit (32K × 8) F-RAM
489 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 253 УП. по 5 шт.;
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/с памяти ферроэлектрическая серии FM24V02
Напряжение питания: 2…3,6 (max); Uраб.=3,3 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: F-RAM NVRAM FRAM Memory Serial
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: 256-Kbit (32K × 8) F-RAM
Cypress Semiconductor Под заказ
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/с памяти ферроэлектрическая серии FM25L16B-G
Напряжение питания: 2,7…3,6 (max); Uраб.=3,3 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: F-RAM 16Kb Serial SPI 3V
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: 16-Kbit (2K × 8) F-RAM
247 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 171 УП. по 10 шт.; 1 УП. по 2 шт.;
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/с памяти ферроэлектрическая серии FM25L16B-G
Напряжение питания: 2,7…3,6 (max); Uраб.=3,3 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: F-RAM 16Kb Serial SPI 3V
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: 16-Kbit (2K × 8) F-RAM
Cypress Semiconductor Под заказ
Ширина: шины данных - 8 бит
Корпус: TSOP-48 (SMD)
Тип: синхронизации - asynchronous
Характеристика: быстродействие - 25 нс
Напряжение питания: 2,7…3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Потребляемый ток: 30 (max) мА
Интерфейс: Parallel
Упаковка: TRAY
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FLASH-NAND 2 Гбит (256 Мбит х 8)
Архитектура: Multiplane
411 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: Поштучно 192 шт.
Ширина: шины данных - 8 бит
Корпус: TSOP-48 (SMD)
Тип: синхронизации - asynchronous
Характеристика: быстродействие - 25 нс
Напряжение питания: 2,7…3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Потребляемый ток: 30 (max) мА
Интерфейс: Parallel
Упаковка: TRAY
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FLASH-NAND 2 Гбит (256 Мбит х 8)
Архитектура: Multiplane
Cypress Semiconductor Под заказ
Корпус: SOIC-28 (SMD)
Время: доступа - 70 нс
Тип: М/с памяти серии FM25V20A-G
Напряжение питания: 2…3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 256-Kbit (32K × 8) F-RAM Memory
Потребляемый ток: 5 мА
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FRAM 2 Мбит (256 Кбит х 8)
489 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: Поштучно 132 шт.
Корпус: SOIC-28 (SMD)
Время: доступа - 70 нс
Тип: М/с памяти серии FM25V20A-G
Напряжение питания: 2…3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 256-Kbit (32K × 8) F-RAM Memory
Потребляемый ток: 5 мА
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FRAM 2 Мбит (256 Кбит х 8)
Cypress Semiconductor Под заказ
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/с памяти серии FM25V20A-G
Напряжение питания: 2…3,6 В
Частота: 40 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 2-Mbit (256 K × 8) Serial (SPI) F-RAM
Потребляемый ток: 300 (при F - 1 МГц) мк А
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FRAM 2 Мбит (256 Кбит х 8)
3469 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: Поштучно 23 шт.
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/с памяти серии FM25V20A-G
Напряжение питания: 2…3,6 В
Частота: 40 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 2-Mbit (256 K × 8) Serial (SPI) F-RAM
Потребляемый ток: 300 (при F - 1 МГц) мк А
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FRAM 2 Мбит (256 Кбит х 8)
Cypress Semiconductor Под заказ
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/с памяти серии FM24W256-G
Напряжение питания: 2,7…5,5 В
Частота: 1 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 256-Kbit (32 K × 8) Serial (I2C) F-RAM
Потребляемый ток: 100 (при F - 100 кГц) мк А
Интерфейс: I2C
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FRAM 256 Кбит
286 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 200 УП. по 5 шт.;
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/с памяти серии FM24W256-G
Напряжение питания: 2,7…5,5 В
Частота: 1 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 256-Kbit (32 K × 8) Serial (I2C) F-RAM
Потребляемый ток: 100 (при F - 100 кГц) мк А
Интерфейс: I2C
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FRAM 256 Кбит
Cypress Semiconductor Под заказ
Тип: М/с памяти серии FM24V10-G
Напряжение питания: 2…3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 1-Mbit (128 K × 8) Serial (I2C) F-RAM
Интерфейс: I2C
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FRAM 1Mбит (128Kбит x 8)
667 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 100 УП. по 5 шт.;
Тип: М/с памяти серии FM24V10-G
Напряжение питания: 2…3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 1-Mbit (128 K × 8) Serial (I2C) F-RAM
Интерфейс: I2C
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FRAM 1Mбит (128Kбит x 8)
Cypress Semiconductor Под заказ
Корпус: TSOP-44 (SMD)
Время: доступа - 55 нс
Тип: М/с памяти серии FM22L16-55-TG
Напряжение питания: 2,7…3,6; Uраб. - 3,3 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 4-Mbit (256K × 16) F-RAM Memory
Интерфейс: Parallel
Упаковка: TRAY
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FRAM 4 Мбит (256 Кбит х 16)
3507 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: Поштучно 130 шт.
Корпус: TSOP-44 (SMD)
Время: доступа - 55 нс
Тип: М/с памяти серии FM22L16-55-TG
Напряжение питания: 2,7…3,6; Uраб. - 3,3 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 4-Mbit (256K × 16) F-RAM Memory
Интерфейс: Parallel
Упаковка: TRAY
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FRAM 4 Мбит (256 Кбит х 16)
Cypress Semiconductor Под заказ
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/с памяти серии FM25W256-G
Напряжение питания: 2,7…5,5 (max); Uраб. - 3…5 В
Частота: 20 (max) М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 256-Kbit (32K × 8) Serial (SPI) F-RAM
Потребляемый ток: 250 (при 1 МГц) мк А
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FRAM 256 Кбит
323 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 464 УП. по 5 шт.;
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/с памяти серии FM25W256-G
Напряжение питания: 2,7…5,5 (max); Uраб. - 3…5 В
Частота: 20 (max) М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 256-Kbit (32K × 8) Serial (SPI) F-RAM
Потребляемый ток: 250 (при 1 МГц) мк А
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FRAM 256 Кбит
Cypress Semiconductor Под заказ
Ширина: 256-Kbit (32 K × 8) Static RAM
Корпус: SOIC-28 (SMD)
Время: доступа - 55 нс
Тип: М/с памяти серии CY62256NLL
Напряжение питания: 4,5…5,5 В
Частота: тактовая (max) - 75 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Потребляемый ток: 50 (max) мА
Интерфейс: Parallel - 1 порт
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: SRAM 256 Кбит (32 Кбит х 8)
349 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 298 УП. по 2 шт.;
Ширина: 256-Kbit (32 K × 8) Static RAM
Корпус: SOIC-28 (SMD)
Время: доступа - 55 нс
Тип: М/с памяти серии CY62256NLL
Напряжение питания: 4,5…5,5 В
Частота: тактовая (max) - 75 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Потребляемый ток: 50 (max) мА
Интерфейс: Parallel - 1 порт
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: SRAM 256 Кбит (32 Кбит х 8)
ALTERA Под заказ
Корпус: SOIC-16 (SMD)
Тип: М/c ППВМ - конфигурационная память серии EPCQ
Напряжение питания: 2,7…3,6 (max); Uраб.=3,3 В
Частота: 100 (max) М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Потребляемый ток: 100 (max) мк А
Упаковка: TUBE
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: Flash 64 Mbit
1851 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: Поштучно 81 шт.
Корпус: SOIC-16 (SMD)
Тип: М/c ППВМ - конфигурационная память серии EPCQ
Напряжение питания: 2,7…3,6 (max); Uраб.=3,3 В
Частота: 100 (max) М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Потребляемый ток: 100 (max) мк А
Упаковка: TUBE
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: Flash 64 Mbit
ALTERA Под заказ
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: ППВМ - Конфигурационная память серии EPCS16 (Enpirion)
Напряжение питания: 2,7…3,6 (max); Uраб.=3,3 В
Частота: (max) - 40 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: FPGA - Configuration Memory
Потребляемый ток: 50 мк А
Упаковка: TUBE
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: Flash - 16 Mbit
889 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 168 УП. по 2 шт.;
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: ППВМ - Конфигурационная память серии EPCS16 (Enpirion)
Напряжение питания: 2,7…3,6 (max); Uраб.=3,3 В
Частота: (max) - 40 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: FPGA - Configuration Memory
Потребляемый ток: 50 мк А
Упаковка: TUBE
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: Flash - 16 Mbit
ALTERA Под заказ
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/c ППВМ - конфигурационная память серии EPCQ
Напряжение питания: 2,7…3,6 (max); Uраб.=3,3 В
Частота: 100 (max) М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Потребляемый ток: 100 мк А
Упаковка: TUBE
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: Flash 4 Mbit
395 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 114 УП. по 5 шт.;
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/c ППВМ - конфигурационная память серии EPCQ
Напряжение питания: 2,7…3,6 (max); Uраб.=3,3 В
Частота: 100 (max) М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Потребляемый ток: 100 мк А
Упаковка: TUBE
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: Flash 4 Mbit
ALTERA Под заказ
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: ППВМ - Конфигурационная память серии EPCS4 (Enpirion)
Напряжение питания: 2,7…3,6 (max); Uраб.=3,3 В
Частота: (max) - 40 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: FPGA - Configuration Memory
Потребляемый ток: 50 мк А
Упаковка: TUBE
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: Flash - 4 Mbit
353 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 207 УП. по 5 шт.; Поштучно 31 шт.
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: ППВМ - Конфигурационная память серии EPCS4 (Enpirion)
Напряжение питания: 2,7…3,6 (max); Uраб.=3,3 В
Частота: (max) - 40 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: FPGA - Configuration Memory
Потребляемый ток: 50 мк А
Упаковка: TUBE
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: Flash - 4 Mbit
Adesto Technologies Под заказ
Корпус: SOIC-8 Wide (SMD)
Тип: Флеш-память NOR
Напряжение питания: 1,7 … 3,6 В
Частота: 85 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: FLASH Memory IC 64Mb (264 Bytes x 32K pages) SPI 85 MHz SOIC-8 (Wide)
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL, 2000 шт.
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: Flash 64Mb (264 Bytes x 32K pages)
628 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 97 УП. по 2 шт.;
Корпус: SOIC-8 Wide (SMD)
Тип: Флеш-память NOR
Напряжение питания: 1,7 … 3,6 В
Частота: 85 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: FLASH Memory IC 64Mb (264 Bytes x 32K pages) SPI 85 MHz SOIC-8 (Wide)
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL, 2000 шт.
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: Flash 64Mb (264 Bytes x 32K pages)
Adesto Technologies Под заказ
Корпус: SOIC-8 Narrow (SMD)
Тип: Флеш-память NOR
Напряжение питания: 1,65 … 3,6 В
Частота: 70 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: FLASH Memory 4Mb (264 Bytes x 2048 pages) SPI 85 MHz SOIC-8(Narrow)
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL, 4000 шт.
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: Flash 4Mb (264 Bytes x 2048 pages)
124 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 115 УП. по 10 шт.;
Корпус: SOIC-8 Narrow (SMD)
Тип: Флеш-память NOR
Напряжение питания: 1,65 … 3,6 В
Частота: 70 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: FLASH Memory 4Mb (264 Bytes x 2048 pages) SPI 85 MHz SOIC-8(Narrow)
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL, 4000 шт.
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: Flash 4Mb (264 Bytes x 2048 pages)
Adesto Technologies Под заказ
Корпус: SOIC-8 Wide (SMD)
Тип: Флеш-память NOR
Напряжение питания: 1,65 … 3,6 В
Частота: 70 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: FLASH Memory 4Mb (264 Bytes x 2048 pages) SPI 85 MHz SOIC-8(Wide)
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL, 2000 шт.
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: Flash 4Mb (264 Bytes x 2048 pages)
151 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 138 УП. по 10 шт.;
Корпус: SOIC-8 Wide (SMD)
Тип: Флеш-память NOR
Напряжение питания: 1,65 … 3,6 В
Частота: 70 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: FLASH Memory 4Mb (264 Bytes x 2048 pages) SPI 85 MHz SOIC-8(Wide)
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL, 2000 шт.
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: Flash 4Mb (264 Bytes x 2048 pages)