Микросхемы памяти
Чтобы корректно направить нам заявку на приобретение электронных компонентов и других товаров, необходимо:
1) Указать ТИП ИЗДЕЛИЯ, НАИМЕНОВАНИЕ, БРЕНД, ГОД ВЫПУСКА ИЗДЕЛИЯ, ПРИЕМКА, КОЛИЧЕСТВОИ направить нам заявку на электронный почтовый адрес — Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
Рассмотрение заявок занимает как правило, 1-3 рабочих дня.
Cypress Semiconductor Под заказ
Вес: 0,15 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(3.9мм)
Тип: памяти: FRAM
Напряжение питания: 2.7…3.65 В
Частота: тактовая макс.: 1 М Гц
Интерфейс: i2c, 2-wire serial
Объем: памяти: 64 kбит(8k x 8)
255 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 18 УП. по 10 шт.; Поштучно 351 шт.
Вес: 0,15 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(3.9мм)
Тип: памяти: FRAM
Напряжение питания: 2.7…3.65 В
Частота: тактовая макс.: 1 М Гц
Интерфейс: i2c, 2-wire serial
Объем: памяти: 64 kбит(8k x 8)
Cypress Semiconductor Под заказ
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/c энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память серии FM24CL16B
Напряжение питания: 2,7…3,65 (max); Uраб.=3 В
Частота: до 1 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 16-Kbit (2K × 8) Serial (I2C) F-RAM
Потребляемый ток: 100 мкА (в режиме ожидания - 3 мкА)
Интерфейс: 2-Wire I2C (двухпроводный)
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: F-RAM 16 кbit (2 к х 8)
122 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 18 УП. по 10 шт.;
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/c энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память серии FM24CL16B
Напряжение питания: 2,7…3,65 (max); Uраб.=3 В
Частота: до 1 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 16-Kbit (2K × 8) Serial (I2C) F-RAM
Потребляемый ток: 100 мкА (в режиме ожидания - 3 мкА)
Интерфейс: 2-Wire I2C (двухпроводный)
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: F-RAM 16 кbit (2 к х 8)
Cypress Semiconductor Под заказ
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(0.154, 3.90мм)
Тип: памяти: FRAM
Напряжение питания: 4.5…5.5 В
Частота: тактовая макс.: 1 М Гц
Интерфейс: i2c, 2-wire serial
Объем: памяти: 4 kбит(512x8)
208 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 490 УП. по 10 шт.;
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(0.154, 3.90мм)
Тип: памяти: FRAM
Напряжение питания: 4.5…5.5 В
Частота: тактовая макс.: 1 М Гц
Интерфейс: i2c, 2-wire serial
Объем: памяти: 4 kбит(512x8)
Cypress Semiconductor Под заказ
Корпус: TSOP-44 (SMD)
Время: доступа - 55 нс
Тип: М/с памяти серии FM22L16-55-TG
Напряжение питания: 2,7…3,6; Uраб. - 3,3 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 4-Mbit (256K × 16) F-RAM Memory
Интерфейс: Parallel
Упаковка: TRAY
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FRAM 4 Мбит (256 Кбит х 16)
3507 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: Поштучно 130 шт.
Корпус: TSOP-44 (SMD)
Время: доступа - 55 нс
Тип: М/с памяти серии FM22L16-55-TG
Напряжение питания: 2,7…3,6; Uраб. - 3,3 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 4-Mbit (256K × 16) F-RAM Memory
Интерфейс: Parallel
Упаковка: TRAY
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FRAM 4 Мбит (256 Кбит х 16)
ALTERA Под заказ
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: ППВМ - Конфигурационная память серии EPCS4 (Enpirion)
Напряжение питания: 2,7…3,6 (max); Uраб.=3,3 В
Частота: (max) - 40 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: FPGA - Configuration Memory
Потребляемый ток: 50 мк А
Упаковка: TUBE
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: Flash - 4 Mbit
353 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 207 УП. по 5 шт.; Поштучно 31 шт.
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: ППВМ - Конфигурационная память серии EPCS4 (Enpirion)
Напряжение питания: 2,7…3,6 (max); Uраб.=3,3 В
Частота: (max) - 40 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: FPGA - Configuration Memory
Потребляемый ток: 50 мк А
Упаковка: TUBE
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: Flash - 4 Mbit
ALTERA Под заказ
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: ППВМ - Конфигурационная память серии EPCS16 (Enpirion)
Напряжение питания: 2,7…3,6 (max); Uраб.=3,3 В
Частота: (max) - 40 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: FPGA - Configuration Memory
Потребляемый ток: 50 мк А
Упаковка: TUBE
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: Flash - 16 Mbit
889 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 168 УП. по 2 шт.;
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: ППВМ - Конфигурационная память серии EPCS16 (Enpirion)
Напряжение питания: 2,7…3,6 (max); Uраб.=3,3 В
Частота: (max) - 40 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: FPGA - Configuration Memory
Потребляемый ток: 50 мк А
Упаковка: TUBE
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: Flash - 16 Mbit
ALTERA Под заказ
Корпус: SOIC-16 (SMD)
Тип: М/c ППВМ - конфигурационная память серии EPCQ
Напряжение питания: 2,7…3,6 (max); Uраб.=3,3 В
Частота: 100 (max) М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Потребляемый ток: 100 (max) мк А
Упаковка: TUBE
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: Flash 64 Mbit
1851 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: Поштучно 81 шт.
Корпус: SOIC-16 (SMD)
Тип: М/c ППВМ - конфигурационная память серии EPCQ
Напряжение питания: 2,7…3,6 (max); Uраб.=3,3 В
Частота: 100 (max) М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Потребляемый ток: 100 (max) мк А
Упаковка: TUBE
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: Flash 64 Mbit
ALTERA Под заказ
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/c ППВМ - конфигурационная память серии EPCQ
Напряжение питания: 2,7…3,6 (max); Uраб.=3,3 В
Частота: 100 (max) М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Потребляемый ток: 100 мк А
Упаковка: TUBE
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: Flash 4 Mbit
395 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 114 УП. по 5 шт.;
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/c ППВМ - конфигурационная память серии EPCQ
Напряжение питания: 2,7…3,6 (max); Uраб.=3,3 В
Частота: 100 (max) М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Потребляемый ток: 100 мк А
Упаковка: TUBE
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: Flash 4 Mbit
Cypress Semiconductor Под заказ
Ширина: 256-Kbit (32 K × 8) Static RAM
Корпус: SOIC-28 (SMD)
Время: доступа - 55 нс
Тип: М/с памяти серии CY62256NLL
Напряжение питания: 4,5…5,5 В
Частота: тактовая (max) - 75 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Потребляемый ток: 50 (max) мА
Интерфейс: Parallel - 1 порт
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: SRAM 256 Кбит (32 Кбит х 8)
349 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 298 УП. по 2 шт.;
Ширина: 256-Kbit (32 K × 8) Static RAM
Корпус: SOIC-28 (SMD)
Время: доступа - 55 нс
Тип: М/с памяти серии CY62256NLL
Напряжение питания: 4,5…5,5 В
Частота: тактовая (max) - 75 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Потребляемый ток: 50 (max) мА
Интерфейс: Parallel - 1 порт
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: SRAM 256 Кбит (32 Кбит х 8)
Microchip Под заказ
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: SOIC
Количество выводов: 8
Тип: 4Kbit Serial Microwire EEPROMs
Размер: памяти: 4 Кбит
Напряжение питания: 1,7…5,5 В
Частота: тактовая (max): 2 М Гц
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
29 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 33 УП. по 50 шт.;
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: SOIC
Количество выводов: 8
Тип: 4Kbit Serial Microwire EEPROMs
Размер: памяти: 4 Кбит
Напряжение питания: 1,7…5,5 В
Частота: тактовая (max): 2 М Гц
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Adesto Technologies Под заказ
Корпус: SOIC-8 Wide (SMD)
Тип: Флеш-память NOR
Напряжение питания: 1,7 … 3,6 В
Частота: 85 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: FLASH Memory IC 64Mb (264 Bytes x 32K pages) SPI 85 MHz SOIC-8 (Wide)
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL, 2000 шт.
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: Flash 64Mb (264 Bytes x 32K pages)
628 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 97 УП. по 2 шт.;
Корпус: SOIC-8 Wide (SMD)
Тип: Флеш-память NOR
Напряжение питания: 1,7 … 3,6 В
Частота: 85 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: FLASH Memory IC 64Mb (264 Bytes x 32K pages) SPI 85 MHz SOIC-8 (Wide)
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL, 2000 шт.
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: Flash 64Mb (264 Bytes x 32K pages)
Dialog Semiconductor Под заказ
Корпус: SOIC-8 Wide (SMD)
Тип: Флеш-память NOR
Напряжение питания: 2,5…3,6 В
Частота: 70 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: FLASH Memory IC 16Mb (528 Bytes x 4096 pages) SPI 85 MHz SOIC-8(Wide)
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL, 2000 шт.
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: Flash 16Mb (528 Bytes x 4096 pages)
240 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 132 УП. по 5 шт.;
Корпус: SOIC-8 Wide (SMD)
Тип: Флеш-память NOR
Напряжение питания: 2,5…3,6 В
Частота: 70 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: FLASH Memory IC 16Mb (528 Bytes x 4096 pages) SPI 85 MHz SOIC-8(Wide)
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL, 2000 шт.
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: Flash 16Mb (528 Bytes x 4096 pages)
Adesto Technologies Под заказ
Корпус: SOIC-8 Narrow (SMD)
Тип: Флеш-память NOR
Напряжение питания: 1,65 … 3,6 В
Частота: 70 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: FLASH Memory 4Mb (264 Bytes x 2048 pages) SPI 85 MHz SOIC-8(Narrow)
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL, 4000 шт.
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: Flash 4Mb (264 Bytes x 2048 pages)
124 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 115 УП. по 10 шт.;
Корпус: SOIC-8 Narrow (SMD)
Тип: Флеш-память NOR
Напряжение питания: 1,65 … 3,6 В
Частота: 70 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: FLASH Memory 4Mb (264 Bytes x 2048 pages) SPI 85 MHz SOIC-8(Narrow)
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL, 4000 шт.
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: Flash 4Mb (264 Bytes x 2048 pages)
Adesto Technologies Под заказ
Корпус: SOIC-8 Wide (SMD)
Тип: Флеш-память NOR
Напряжение питания: 1,65 … 3,6 В
Частота: 70 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: FLASH Memory 4Mb (264 Bytes x 2048 pages) SPI 85 MHz SOIC-8(Wide)
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL, 2000 шт.
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: Flash 4Mb (264 Bytes x 2048 pages)
151 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 138 УП. по 10 шт.;
Корпус: SOIC-8 Wide (SMD)
Тип: Флеш-память NOR
Напряжение питания: 1,65 … 3,6 В
Частота: 70 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: FLASH Memory 4Mb (264 Bytes x 2048 pages) SPI 85 MHz SOIC-8(Wide)
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL, 2000 шт.
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: Flash 4Mb (264 Bytes x 2048 pages)
Microchip Под заказ
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(3.9мм)
Тип: памяти: eeprom
Напряжение питания: 1,7…5,6 В
Частота: тактовая (max): 1 М Гц
Интерфейс: i2c, 2-wire serial
Объем: памяти: 64 kбит(8k x 8)
43 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 99 УП. по 25 шт.;
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(3.9мм)
Тип: памяти: eeprom
Напряжение питания: 1,7…5,6 В
Частота: тактовая (max): 1 М Гц
Интерфейс: i2c, 2-wire serial
Объем: памяти: 64 kбит(8k x 8)
Microchip Под заказ
Корпус: SOIC-8 Narrow (SMD)
Время: доступа - 550 нс; сохранения данных - не менее 40 ет
Тип: М/ с памяти серии AT24C512C
Напряжение питания: 2,5…5,5 (max) В
Частота: 1 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: I²C-Compatible (Two-Wire) Serial EEPROM 512‑Kbit (65,536 x 8)
Потребляемый ток: 3 мА (max); ток ожидания - 6 мкА (max)
Интерфейс: последовательный I2C-совместимый (двухпроводный)
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: EEPROM 512 кбит (64к x 8)
212 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 39 УП. по 10 шт.; 1 УП. по 5 шт.;
Корпус: SOIC-8 Narrow (SMD)
Время: доступа - 550 нс; сохранения данных - не менее 40 ет
Тип: М/ с памяти серии AT24C512C
Напряжение питания: 2,5…5,5 (max) В
Частота: 1 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: I²C-Compatible (Two-Wire) Serial EEPROM 512‑Kbit (65,536 x 8)
Потребляемый ток: 3 мА (max); ток ожидания - 6 мкА (max)
Интерфейс: последовательный I2C-совместимый (двухпроводный)
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: EEPROM 512 кбит (64к x 8)
Microchip Под заказ
Вес: 0,6 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(3.9мм)
Тип: памяти: eeprom
Напряжение питания: 1,7…5,5 В
Частота: тактовая (max): 1 М Гц
Интерфейс: i2c, 2-wire serial
Объем: памяти: 256 kбит(32k x 8)
107 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: Поштучно 315 шт.
Вес: 0,6 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(3.9мм)
Тип: памяти: eeprom
Напряжение питания: 1,7…5,5 В
Частота: тактовая (max): 1 М Гц
Интерфейс: i2c, 2-wire serial
Объем: памяти: 256 kбит(32k x 8)
Microchip Под заказ
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: SO8150
Напряжение питания: 1,7…5,5 В
Интерфейс: I2C
Объем: памяти: 4 кбит
22 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 67 УП. по 50 шт.;
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: SO8150
Напряжение питания: 1,7…5,5 В
Интерфейс: I2C
Объем: памяти: 4 кбит
Microchip 
Microchip Под заказ
Корпус: PDIP-8
Время: доступа - 900 нс
Тип: М/с памяти серии 24AA256
Напряжение питания: 2,5…5,5 В
Частота: 400 (max) Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 256K I2 CMOS Serial EEPROM
Потребляемый ток: 3 мА
Интерфейс: 2-Wire, I2C
Тип монтажа: Through Hole
Память: 256 kбит(32k x 8) EEPROM
247 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 30 УП. по 10 шт.;
Корпус: PDIP-8
Время: доступа - 900 нс
Тип: М/с памяти серии 24AA256
Напряжение питания: 2,5…5,5 В
Частота: 400 (max) Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 256K I2 CMOS Serial EEPROM
Потребляемый ток: 3 мА
Интерфейс: 2-Wire, I2C
Тип монтажа: Through Hole
Память: 256 kбит(32k x 8) EEPROM