Операционные усилители
Чтобы корректно направить нам заявку на приобретение электронных компонентов и других товаров, необходимо:
1) Указать ТИП ИЗДЕЛИЯ, НАИМЕНОВАНИЕ, БРЕНД, ГОД ВЫПУСКА ИЗДЕЛИЯ, ПРИЕМКА, КОЛИЧЕСТВОИ направить нам заявку на электронный почтовый адрес — Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
Рассмотрение заявок занимает как правило, 1-3 рабочих дня.
TEXAS INSTRUMENTS Под заказ
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: SOIC8
Ток: собственного потребления: 700 мк А
Напряжение питания: 3…16 В
Частота: единичного усиления: 320 Гц
Скорость: нарастания выходного сигнала: 3,6 В/мкс
Количество: каналов: 2
108 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 101 УП. по 20 шт.;
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: SOIC8
Ток: собственного потребления: 700 мк А
Напряжение питания: 3…16 В
Частота: единичного усиления: 320 Гц
Скорость: нарастания выходного сигнала: 3,6 В/мкс
Количество: каналов: 2
TEXAS INSTRUMENTS Под заказ
Вес: 1 г
Рабочая температура: 0…+70 °С
Корпус: dip-8(0.300 inch)
Ток: собственного потребления: 1,4 мА
Тип: усилителя: с входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Напряжение: смещения на входе: 3000 мк В
Характеристика: Токовое смещение на входе: 0,065 н А
Напряжение питания: однополярное(+)/двуполярное (±): ±5…15 В
Частота: единичного усиления: 3 М Гц
Скорость: нарастания выходного сигнала: 13 В/мкс
Количество: каналов: 2
45 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 18 УП. по 50 шт.;
Вес: 1 г
Рабочая температура: 0…+70 °С
Корпус: dip-8(0.300 inch)
Ток: собственного потребления: 1,4 мА
Тип: усилителя: с входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Напряжение: смещения на входе: 3000 мк В
Характеристика: Токовое смещение на входе: 0,065 н А
Напряжение питания: однополярное(+)/двуполярное (±): ±5…15 В
Частота: единичного усиления: 3 М Гц
Скорость: нарастания выходного сигнала: 13 В/мкс
Количество: каналов: 2
TEXAS INSTRUMENTS Под заказ
Вес: 1 г
Рабочая температура: 0…+70 °С
Корпус: dip-8(0.300 inch)
Ток: собственного потребления: 1,4 мА
Тип: усилителя: с входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Напряжение: смещения на входе: 3000 мк В
Характеристика: Токовое смещение на входе: 0,03 н А
Напряжение питания: однополярное(+)/двуполярное (±): +7…36, ±3.5…18 В
Частота: единичного усиления: 3 М Гц
Скорость: нарастания выходного сигнала: 13 В/мкс
Количество: каналов: 2
43 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 26 УП. по 50 шт.;
Вес: 1 г
Рабочая температура: 0…+70 °С
Корпус: dip-8(0.300 inch)
Ток: собственного потребления: 1,4 мА
Тип: усилителя: с входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Напряжение: смещения на входе: 3000 мк В
Характеристика: Токовое смещение на входе: 0,03 н А
Напряжение питания: однополярное(+)/двуполярное (±): +7…36, ±3.5…18 В
Частота: единичного усиления: 3 М Гц
Скорость: нарастания выходного сигнала: 13 В/мкс
Количество: каналов: 2