Микросхемы
Микросхема по своей сути является микроэлектронным устройством, изготовленным на полупроводниковой пластине или плёнке. Для упрощения их установки и защиты от возможных повреждений они помещаются в особые корпусы. Микросхемы значительно облегчают жизнь практически каждого человека в современном мире, поскольку именно благодаря им гигантское количество транзисторов можно закрепить на одном кристалле площадью в несколько квадратных сантиметров.
Компания «Радио-Гуру» предлагает вам широкий выбор самых разнообразных микросхем. В нашем ассортименте представлены микросхемы памяти, питания, отечественные версии и т.д. Все наши товары сертифицированы заводами-производителями и являются высококачественными комплектующими для большого количества устройств. Мы также обеспечиваем доставку в кратчайшие сроки, а если вы проживаете в пределах Москвы, вы лично можете забрать необходимую вам микросхему в нашем магазине.
Чтобы корректно направить нам заявку на приобретение электронных компонентов и других товаров, необходимо:
1) Указать ТИП ИЗДЕЛИЯ, НАИМЕНОВАНИЕ, БРЕНД, ГОД ВЫПУСКА ИЗДЕЛИЯ, ПРИЕМКА, КОЛИЧЕСТВОИ направить нам заявку на электронный почтовый адрес — Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
Рассмотрение заявок занимает как правило, 1-3 рабочих дня.
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/с последовательной памяти ферроэлектрическая серии FM25V
Напряжение питания: 2…3,6 В
Частота: 40 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 512Kит (64KX8) 2.0-3.6V F-RAM Serial (SPI) F-RAM
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: SPI
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: 512Kит (64KX8) 2.0-3.6V F-RAM
Вес: не более 1,1 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 402.16-32
Ток: потребления: не более 50 мА
Напряжение питания: 5 ±10% В
Вес: не более 1,5 г
Рабочая температура: -60-+125 °С
Корпус: 402.16-33
Ток: потребления: не более 0,6 мА
Напряжение питания: 4,2-15 В
Вес: 3 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 4116.4-3
Выходной ток: 1,5 А
Входное напряжение: 40 В
Выходное напряжение: 24 ±0,48 В
Нестабильность: по напряжению: 0,05 %/ В
Вес: 3 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 4116.4-3
Выходной ток: 2 А
Входное напряжение: 15 В
Выходное напряжение: 5 ±0,1 В
Нестабильность: по напряжению: 0,05 %/ В
Рабочая температура: -60 +125 °С
Корпус: 405.24-2
Напряжение питания: 5±10% В
Вес: 1,7 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-28(0.295 inch)
Тип: памяти: flash
Напряжение питания: 4…5,5 В
Частота: тактовая: 20 М Гц
Интерфейс: i2c, spi, uart
Объем: RAM: 192x8
Количество: входов/выходов: 22
Ядро: pic
Шаг/дискретность: шины данных: 8-бит
Вес: 0,2 г
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Выходной ток: на канал - 15 (min) мА
Мощность: рассеиваемая (Pd) - 200 м Вт
Тип: Прецизионный операционный усилитель серии AD822 В
Характеристика: (en) - интенсивность шума входного напряжения - 25 nV/ sqrt Hz
Напряжение питания: однополярное +5…30; двуполярное ± 2,5…15 В
Входное напряжение: смещения нуля (Vos) - 100 мк В
Диапазон рабочих температур: -40 …+85 °С
Коэффициент: подавления: - синфазного сигнала (CMRR)/ помех по питанию (PSRR) - 80 дБ
Усиление: по напряжению - 120 дБ
Скорость: нарастания выходного напряжения (SR) - 2 В/ мкс
Потребляемый ток: 1,8 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL7
Количество: каналов - 2; тип выхода - Rail-to-Rail
Входной ток: смещения (Ib) - 12 пА (max)
Корпус: TQFP-44 (SMD)
Тип: Микроконтроллер 8 бит серии ATmega32U4
Напряжение питания: 2,7…5,5 (max) В
Частота: тактовая (max) - 16 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Разрешение: АЦП - 10 бит
Интерфейс: JTAG, SPI, TWI, USART, USB
Упаковка: TRAY
Количество: вх./ вых. - 26 I/O; каналов АЦП - 12; таймеров - 5
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: AVR, серия процессора - megaAVR
Память: программная (Flash) - 32 кБ; ПЗУ (EEPROM) - 1 кБ; ОЗУ (SRAM) - 2,5 кБ
Вес: 0,15 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(0.154 inch)
Выходной ток: на канал: 50 мА
Ток: собственного потребления: 12,5 мА
Тип: с переменным коэффициентом усиления
Характеристика: Токовое смещение на входе: 200 н А
Напряжение питания: однополярное(+)/двуполярное (±): +9.5…12.6, ±4.75…6.3 В
Скорость: нарастания выходного сигнала: 275 В/мкс
Количество: каналов: 1
Полоса пропускания: 90 М Гц
Рабочая температура: -60°C… +125 °С
Корпус: 402.16-32
Ток: потребления, не более: 19 мА
Напряжение питания: 5±10% В
Вес: не более 0,45 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 401.14-5
Ток: потребления: не более 31 мА
Напряжение питания: 5 ±10% В
Вес: 1,5 г
Рабочая температура: -60°C…+125 °С
Корпус: 3101.8-8.01
Ток: потребления, не более: 2,8 мА
Напряжение питания: 15 ±10% В
Срок службы: 25 ет
Корпус: LQFP-100
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F107 ARM® Cortex®-M3
Характеристика: MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 256 кБ; ОЗУ (SRAM) - 96 кБ
Вес: 0,15 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(0.154 inch)
Выходной ток: на канал: 10 мА
Ток: собственного потребления: 2,25 мА
Тип: усилителя: общего применения
Напряжение: смещения на входе: 100 мк В
Характеристика: Токовое смещение на входе: 80 н А
Напряжение питания: однополярное(+)/двуполярное (±): +3…36, ±1.5…18 В
Частота: единичного усиления: 4,25 М Гц
Скорость: нарастания выходного сигнала: 4 В/мкс
Тип выхода: Rail-to-Rail
Количество: каналов: 2
Недавно просмотренные товары:
Мой аккаунт
ИНФОРМАЦИЯ
Интернет-магазин. Купить электронные компоненты и радиодетали
- Почта: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
- Более 1 000 000 товаров в наличии и под заказ!
