Микросхемы
Микросхема по своей сути является микроэлектронным устройством, изготовленным на полупроводниковой пластине или плёнке. Для упрощения их установки и защиты от возможных повреждений они помещаются в особые корпусы. Микросхемы значительно облегчают жизнь практически каждого человека в современном мире, поскольку именно благодаря им гигантское количество транзисторов можно закрепить на одном кристалле площадью в несколько квадратных сантиметров.
Компания «Радио-Гуру» предлагает вам широкий выбор самых разнообразных микросхем. В нашем ассортименте представлены микросхемы памяти, питания, отечественные версии и т.д. Все наши товары сертифицированы заводами-производителями и являются высококачественными комплектующими для большого количества устройств. Мы также обеспечиваем доставку в кратчайшие сроки, а если вы проживаете в пределах Москвы, вы лично можете забрать необходимую вам микросхему в нашем магазине.
Чтобы корректно направить нам заявку на приобретение электронных компонентов и других товаров, необходимо:
1) Указать ТИП ИЗДЕЛИЯ, НАИМЕНОВАНИЕ, БРЕНД, ГОД ВЫПУСКА ИЗДЕЛИЯ, ПРИЕМКА, КОЛИЧЕСТВОИ направить нам заявку на электронный почтовый адрес — Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
Рассмотрение заявок занимает как правило, 1-3 рабочих дня.
Analog Devices Под заказ
Ширина: импульса - 1000 нс
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Время: задержки распространения - 45 нс
Тип: развязки - Magnetic Coupling (индуктивный)
Напряжение питания: 2,7…5,5; 5,5 (ном.) В
Диапазон рабочих температур: -40…+105 °С
Потребляемый ток: 600 мк А
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL7
Количество: каналов - 2
Скорость передачи данных: 1 Мбит/с
Напряжение изоляции: 2,5 кВ (rms)
420 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 244 УП. по 5 шт.;
Ширина: импульса - 1000 нс
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Время: задержки распространения - 45 нс
Тип: развязки - Magnetic Coupling (индуктивный)
Напряжение питания: 2,7…5,5; 5,5 (ном.) В
Диапазон рабочих температур: -40…+105 °С
Потребляемый ток: 600 мк А
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL7
Количество: каналов - 2
Скорость передачи данных: 1 Мбит/с
Напряжение изоляции: 2,5 кВ (rms)
TEXAS INSTRUMENTS Под заказ
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: MSOP8
Выходной ток: макс.: 350 мА
Ток: собственного потребления: 485 мк А
Примечание: Switching Regulator, Current-mode, 0.35A, 600kHz Switching Freq-Max, PDSO8
Входное напряжение: 9,5…95 В
Выходное напряжение: 2,5…75 В
Частота: преобразования: 50…600 Гц
Количество выходов: 1
417 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 112 УП. по 5 шт.;
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: MSOP8
Выходной ток: макс.: 350 мА
Ток: собственного потребления: 485 мк А
Примечание: Switching Regulator, Current-mode, 0.35A, 600kHz Switching Freq-Max, PDSO8
Входное напряжение: 9,5…95 В
Выходное напряжение: 2,5…75 В
Частота: преобразования: 50…600 Гц
Количество выходов: 1
Microchip Под заказ
Корпус: TQFP-44 (SMD)
Тип: Микроконтроллер 8 бит серии 89S
Напряжение питания: 4…5,5 (max) В
Частота: тактовая (max) - 33 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 8-bit Microcontroller with 8K Bytes In-System Programmable Flash
Разрешение: АЦП - No ADC
Интерфейс: UART
Упаковка: TRAY
Количество: входов/ выходов - 32 I/O; таймеров - 3
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: 8051, серия процессора - AT89x
Память: программная (Flash) - 8 кБ; ОЗУ - 256 кБ
416 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 158 УП. по 5 шт.;
Корпус: TQFP-44 (SMD)
Тип: Микроконтроллер 8 бит серии 89S
Напряжение питания: 4…5,5 (max) В
Частота: тактовая (max) - 33 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 8-bit Microcontroller with 8K Bytes In-System Programmable Flash
Разрешение: АЦП - No ADC
Интерфейс: UART
Упаковка: TRAY
Количество: входов/ выходов - 32 I/O; таймеров - 3
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: 8051, серия процессора - AT89x
Память: программная (Flash) - 8 кБ; ОЗУ - 256 кБ
Analog Devices Под заказ
Вес: 0,15 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(0.154 inch)
Выходной ток: на канал: 15 мА
Ток: собственного потребления: 0,9 мА
Тип: с обратной связью по напряжению
Напряжение: смещения на входе: 1000 мк В
Характеристика: Токовое смещение на входе: 450 н А
Напряжение питания: однополярное(+)/двуполярное (±): +2.7…12, ±1.35…6 В
Скорость: нарастания выходного сигнала: 35 В/мкс
Тип выхода: Rail-to-Rail
Количество: каналов: 1
Полоса пропускания: 80 М Гц
416 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 35 УП. по 5 шт.;
Вес: 0,15 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(0.154 inch)
Выходной ток: на канал: 15 мА
Ток: собственного потребления: 0,9 мА
Тип: с обратной связью по напряжению
Напряжение: смещения на входе: 1000 мк В
Характеристика: Токовое смещение на входе: 450 н А
Напряжение питания: однополярное(+)/двуполярное (±): +2.7…12, ±1.35…6 В
Скорость: нарастания выходного сигнала: 35 В/мкс
Тип выхода: Rail-to-Rail
Количество: каналов: 1
Полоса пропускания: 80 М Гц
Microchip Под заказ
Корпус: TQFP-44 (SMD)
Тип: Микроконтроллер 8 бит серии ATmega16A
Напряжение питания: 2,7…5,5 (max) В
Частота: тактовая (max) - 16 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Интерфейс: 2-х проводный, SPI, USART
Упаковка: TRAY
Количество: входов/ выходов - 32 I/O; таймеров - 3
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: AVR, серия процессора - megaAVR
Память: ПЗУ (EEPROM) - 512 кБ; программная (Flash) - 16 кБ; ОЗУ (SRAM) - 1 кБ
414 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 617 УП. по 5 шт.; Поштучно 627 шт.
Корпус: TQFP-44 (SMD)
Тип: Микроконтроллер 8 бит серии ATmega16A
Напряжение питания: 2,7…5,5 (max) В
Частота: тактовая (max) - 16 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Интерфейс: 2-х проводный, SPI, USART
Упаковка: TRAY
Количество: входов/ выходов - 32 I/O; таймеров - 3
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: AVR, серия процессора - megaAVR
Память: ПЗУ (EEPROM) - 512 кБ; программная (Flash) - 16 кБ; ОЗУ (SRAM) - 1 кБ
Analog Devices Под заказ
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Выходной ток: на канал - 17 мА
Мощность: рассеиваемая - 0,9 Вт
Тип: Двухканальный прецизионный операционный усилитель серии AD823
Характеристика: (en) - интенсивность шума входного напряжения - 16 nV/ sqrt(H)
Напряжение питания: двуполюсное - ± 3; 5; 9; 12; 15 (min/ max - ± 1,5/ 18) В
Входное напряжение: смещения нуля (Vos) - 700 мк В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Коэффициент: подавления: - синфазного сигнала (CMRR)/ помех по питанию (PSRR) - 82/ 80 дБ %
Скорость: нарастания выходного напряжения (SR) - 25 В/ мкс
Потребляемый ток: 1,3 мА
Тип выхода: Rail-to-Rail
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL7
Входной ток: смещения (Ib) - 30 п А
413 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 208 УП. по 5 шт.;
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Выходной ток: на канал - 17 мА
Мощность: рассеиваемая - 0,9 Вт
Тип: Двухканальный прецизионный операционный усилитель серии AD823
Характеристика: (en) - интенсивность шума входного напряжения - 16 nV/ sqrt(H)
Напряжение питания: двуполюсное - ± 3; 5; 9; 12; 15 (min/ max - ± 1,5/ 18) В
Входное напряжение: смещения нуля (Vos) - 700 мк В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Коэффициент: подавления: - синфазного сигнала (CMRR)/ помех по питанию (PSRR) - 82/ 80 дБ %
Скорость: нарастания выходного напряжения (SR) - 25 В/ мкс
Потребляемый ток: 1,3 мА
Тип выхода: Rail-to-Rail
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL7
Входной ток: смещения (Ib) - 30 п А
Под заказ
412 руб
В наличии: 900 шт.
Cypress Semiconductor Под заказ
Ширина: шины данных - 8 бит
Корпус: TSOP-48 (SMD)
Тип: синхронизации - asynchronous
Характеристика: быстродействие - 25 нс
Напряжение питания: 2,7…3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Потребляемый ток: 30 (max) мА
Интерфейс: Parallel
Упаковка: TRAY
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FLASH-NAND 2 Гбит (256 Мбит х 8)
Архитектура: Multiplane
411 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: Поштучно 192 шт.
Ширина: шины данных - 8 бит
Корпус: TSOP-48 (SMD)
Тип: синхронизации - asynchronous
Характеристика: быстродействие - 25 нс
Напряжение питания: 2,7…3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Потребляемый ток: 30 (max) мА
Интерфейс: Parallel
Упаковка: TRAY
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FLASH-NAND 2 Гбит (256 Мбит х 8)
Архитектура: Multiplane
GigaDevice Под заказ
Корпус: LQFP-64
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F105 ARM® Cortex®-M3
Характеристика: MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 128 кБ; ОЗУ (SRAM) - 64 кБ
410 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 205 УП. по 5 шт.; 1 УП. по 3 шт.; Поштучно 79 шт.
Корпус: LQFP-64
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F105 ARM® Cortex®-M3
Характеристика: MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN, I2S
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 128 кБ; ОЗУ (SRAM) - 64 кБ
AD Под заказ
409 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 200 УП. по 10 шт.;
Infineon Technologies Под заказ
Корпус: SOIC-20 (SMD)
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Упаковка: REEL, 1000 шт.
405 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 995 УП. по 2 шт.;
Корпус: SOIC-20 (SMD)
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Упаковка: REEL, 1000 шт.
Analog Devices Под заказ
Корпус: SOIC-14 (SMD)
Выходной ток: на канал - 30 мА
Тип: Прецизионный операционный усилитель серии AD8551
Характеристика: (en) - интенсивность шума входного напряжения: 33 nV/sqrt Hz
Напряжение питания: 2,7…6 (max) В
Входное напряжение: смещения нуля (Vos) - 80 мк В
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
Коэффициент: подавления: - синфазного сигнала (CMRR)/ помех по питанию (PSRR) - 83/ 72 дБ
Усиление: по напряжению - 98,06 дБ
Скорость: SR - скорость нарастания выходного напряжения: 6 В/ мкс
Потребляемый ток: 750 мк А
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL7
Количество: каналов - 4; тип выхода - Rail-to-Rail
Входной ток: смещения (Ib) - 0,2 пА (max)
405 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 180 УП. по 5 шт.;
Корпус: SOIC-14 (SMD)
Выходной ток: на канал - 30 мА
Тип: Прецизионный операционный усилитель серии AD8551
Характеристика: (en) - интенсивность шума входного напряжения: 33 nV/sqrt Hz
Напряжение питания: 2,7…6 (max) В
Входное напряжение: смещения нуля (Vos) - 80 мк В
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
Коэффициент: подавления: - синфазного сигнала (CMRR)/ помех по питанию (PSRR) - 83/ 72 дБ
Усиление: по напряжению - 98,06 дБ
Скорость: SR - скорость нарастания выходного напряжения: 6 В/ мкс
Потребляемый ток: 750 мк А
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL7
Количество: каналов - 4; тип выхода - Rail-to-Rail
Входной ток: смещения (Ib) - 0,2 пА (max)
Analog Devices Под заказ
Корпус: MSOP-10
Время: отключения (max) - 6 нс
Мощность: рассеиваемая (Pd) - 5 мк Вт
Конфигурация: 1 x 4:1
Тип: Мультиплексор аналоговый серии ADG704
Напряжение питания: 5 В
Сопротивление: во включенном состоянии (max) - 4 Ом
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL7
Количество: каналов - 4
Полоса пропускания: 200 М Гц
405 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 106 УП. по 5 шт.;
Корпус: MSOP-10
Время: отключения (max) - 6 нс
Мощность: рассеиваемая (Pd) - 5 мк Вт
Конфигурация: 1 x 4:1
Тип: Мультиплексор аналоговый серии ADG704
Напряжение питания: 5 В
Сопротивление: во включенном состоянии (max) - 4 Ом
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL7
Количество: каналов - 4
Полоса пропускания: 200 М Гц
Под заказ
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 402.16-32
Напряжение питания: 5 ±10% В
403 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: Поштучно 4 шт.
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 402.16-32
Напряжение питания: 5 ±10% В
Texas Instruments*** Под заказ
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Время: задержки распространения - 200; 2000 нс
Мощность: рассеиваемая (Pd) - 905 м Вт
Тип: Приемопередатчик полудуплекс с защитой от сбоев серии SN65HVD1780
Напряжение: вход/выход - 7…12/ 2,75 В
Напряжение питания: 3,15…5,5 В
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Потребляемый ток: 6 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Интерфейс: RS-485
Упаковка: REEL, 2500 шт.
Количество: каналов - 1 (1 драйвер/ 1 приемник)
Скорость передачи данных: 0,115 Мбит/ c
397 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: Поштучно 482 шт.
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Время: задержки распространения - 200; 2000 нс
Мощность: рассеиваемая (Pd) - 905 м Вт
Тип: Приемопередатчик полудуплекс с защитой от сбоев серии SN65HVD1780
Напряжение: вход/выход - 7…12/ 2,75 В
Напряжение питания: 3,15…5,5 В
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Потребляемый ток: 6 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Интерфейс: RS-485
Упаковка: REEL, 2500 шт.
Количество: каналов - 1 (1 драйвер/ 1 приемник)
Скорость передачи данных: 0,115 Мбит/ c
Под заказ
Вес: 0,35 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 401.14-3
Выходной ток: вытекающий < 15 мА
Температура: кристалла предельная 150 °С
Мощность: рассеяния без теплоотвода < 100 м В
Емкость: нагрузки макс. < 200 пФ
Напряжение: на входе относительно «земли»
Напряжение питания: 6 В
Сопротивление: тепловое кристалл-среда 0,25°С/м Вт
396 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: Поштучно 1 шт.
Вес: 0,35 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 401.14-3
Выходной ток: вытекающий < 15 мА
Температура: кристалла предельная 150 °С
Мощность: рассеяния без теплоотвода < 100 м В
Емкость: нагрузки макс. < 200 пФ
Напряжение: на входе относительно «земли»
Напряжение питания: 6 В
Сопротивление: тепловое кристалл-среда 0,25°С/м Вт
Под заказ
Вес: 0,35 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 401.14-3
Выходной ток: вытекающий < 15 мА
Температура: кристалла предельная 150 °С
Мощность: рассеяния без теплоотвода < 100 м В
Емкость: нагрузки макс. < 200 пФ
Напряжение: на входе относительно «земли»
Напряжение питания: 6 В
Сопротивление: тепловое кристалл-среда 0,25°С/м Вт
396 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: Поштучно 34 шт.
Вес: 0,35 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 401.14-3
Выходной ток: вытекающий < 15 мА
Температура: кристалла предельная 150 °С
Мощность: рассеяния без теплоотвода < 100 м В
Емкость: нагрузки макс. < 200 пФ
Напряжение: на входе относительно «земли»
Напряжение питания: 6 В
Сопротивление: тепловое кристалл-среда 0,25°С/м Вт
Под заказ
Вес: 0,35 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 401.14-5
Выходной ток: вытекающий < 15 мА
Температура: кристалла предельная 150 °С
Мощность: рассеяния без теплоотвода < 100 м В
Емкость: нагрузки макс. < 200 пФ
Напряжение: на входе относительно «земли»
Напряжение питания: 6 В
Сопротивление: тепловое кристалл-среда 0,25°С/м Вт
396 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: Поштучно 84 шт.
Вес: 0,35 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 401.14-5
Выходной ток: вытекающий < 15 мА
Температура: кристалла предельная 150 °С
Мощность: рассеяния без теплоотвода < 100 м В
Емкость: нагрузки макс. < 200 пФ
Напряжение: на входе относительно «земли»
Напряжение питания: 6 В
Сопротивление: тепловое кристалл-среда 0,25°С/м Вт
Под заказ
Вес: 0,35 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 401.14-5
Выходной ток: вытекающий < 15 мА
Температура: кристалла предельная 150 °С
Мощность: рассеяния без теплоотвода < 100 м В
Емкость: нагрузки макс. < 200 пФ
Напряжение: на входе относительно «земли»
Напряжение питания: 6 В
Сопротивление: тепловое кристалл-среда 0,25°С/м Вт
396 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: Поштучно 36 шт.
Вес: 0,35 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 401.14-5
Выходной ток: вытекающий < 15 мА
Температура: кристалла предельная 150 °С
Мощность: рассеяния без теплоотвода < 100 м В
Емкость: нагрузки макс. < 200 пФ
Напряжение: на входе относительно «земли»
Напряжение питания: 6 В
Сопротивление: тепловое кристалл-среда 0,25°С/м Вт
Под заказ
Вес: 0,35 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 401.14-5
Выходной ток: вытекающий < 15 мА
Температура: кристалла предельная 150 °С
Мощность: рассеяния без теплоотвода < 100 м В
Емкость: нагрузки макс. < 200 пФ
Напряжение: на входе относительно «земли»
Напряжение питания: 6 В
Сопротивление: тепловое кристалл-среда 0,25°С/м Вт
396 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: Поштучно 38 шт.
Вес: 0,35 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 401.14-5
Выходной ток: вытекающий < 15 мА
Температура: кристалла предельная 150 °С
Мощность: рассеяния без теплоотвода < 100 м В
Емкость: нагрузки макс. < 200 пФ
Напряжение: на входе относительно «земли»
Напряжение питания: 6 В
Сопротивление: тепловое кристалл-среда 0,25°С/м Вт
ALTERA Под заказ
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/c ППВМ - конфигурационная память серии EPCQ
Напряжение питания: 2,7…3,6 (max); Uраб.=3,3 В
Частота: 100 (max) М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Потребляемый ток: 100 мк А
Упаковка: TUBE
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: Flash 4 Mbit
395 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 114 УП. по 5 шт.;
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/c ППВМ - конфигурационная память серии EPCQ
Напряжение питания: 2,7…3,6 (max); Uраб.=3,3 В
Частота: 100 (max) М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Потребляемый ток: 100 мк А
Упаковка: TUBE
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: Flash 4 Mbit
Analog Devices Под заказ
394 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 84 УП. по 5 шт.;
TEXAS INSTRUMENTS Под заказ
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: SOIC8
Ток: собственного потребления: 17 мк А
Напряжение питания: 1,8…5,5 В
Частота: единичного усиления: 350 Гц
Скорость: нарастания выходного сигнала: 0,16 В/мкс
Количество: каналов: 2
Выводы: Rail-to-Rail
394 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 39 УП. по 5 шт.;
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: SOIC8
Ток: собственного потребления: 17 мк А
Напряжение питания: 1,8…5,5 В
Частота: единичного усиления: 350 Гц
Скорость: нарастания выходного сигнала: 0,16 В/мкс
Количество: каналов: 2
Выводы: Rail-to-Rail
GigaDevice Под заказ
Корпус: QFN-36
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F103 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 128 кБ; ОЗУ (SRAM) - 20 кБ
394 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 524 УП. по 5 шт.; 1 УП. по 3 шт.;
Корпус: QFN-36
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F103 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 128 кБ; ОЗУ (SRAM) - 20 кБ
Geehy Semiconductor 
TEXAS INSTRUMENTS Под заказ
Корпус: SOT-23-Thin-6 (SMD)
Выходной ток: термоусадка
Конфигурация: STEP-DOWN
Тип: Стабилизатор повышающий импульсный DC-DC серии LM2734
Входное напряжение: 3…20 (max) В
Выходное напряжение: регулируемое - 0,8…18 В
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL, 3000 шт.
391 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 538 УП. по 5 шт.;
Корпус: SOT-23-Thin-6 (SMD)
Выходной ток: термоусадка
Конфигурация: STEP-DOWN
Тип: Стабилизатор повышающий импульсный DC-DC серии LM2734
Входное напряжение: 3…20 (max) В
Выходное напряжение: регулируемое - 0,8…18 В
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL, 3000 шт.
Недавно просмотренные товары:
Мой аккаунт
ИНФОРМАЦИЯ
Интернет-магазин. Купить электронные компоненты и радиодетали
- Почта: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
- Более 1 000 000 товаров в наличии и под заказ!