Микросхемы
Микросхема по своей сути является микроэлектронным устройством, изготовленным на полупроводниковой пластине или плёнке. Для упрощения их установки и защиты от возможных повреждений они помещаются в особые корпусы. Микросхемы значительно облегчают жизнь практически каждого человека в современном мире, поскольку именно благодаря им гигантское количество транзисторов можно закрепить на одном кристалле площадью в несколько квадратных сантиметров.
Компания «Радио-Гуру» предлагает вам широкий выбор самых разнообразных микросхем. В нашем ассортименте представлены микросхемы памяти, питания, отечественные версии и т.д. Все наши товары сертифицированы заводами-производителями и являются высококачественными комплектующими для большого количества устройств. Мы также обеспечиваем доставку в кратчайшие сроки, а если вы проживаете в пределах Москвы, вы лично можете забрать необходимую вам микросхему в нашем магазине.
Чтобы корректно направить нам заявку на приобретение электронных компонентов и других товаров, необходимо:
1) Указать ТИП ИЗДЕЛИЯ, НАИМЕНОВАНИЕ, БРЕНД, ГОД ВЫПУСКА ИЗДЕЛИЯ, ПРИЕМКА, КОЛИЧЕСТВОИ направить нам заявку на электронный почтовый адрес — Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
Рассмотрение заявок занимает как правило, 1-3 рабочих дня.
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Время: задержки распространения - 200; 2000 нс
Мощность: рассеиваемая (Pd) - 905 м Вт
Тип: Приемопередатчик полудуплекс с защитой от сбоев серии SN65HVD1780
Напряжение: вход/выход - 7…12/ 2,75 В
Напряжение питания: 3,15…5,5 В
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Потребляемый ток: 6 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Интерфейс: RS-485
Упаковка: REEL, 2500 шт.
Количество: каналов - 1 (1 драйвер/ 1 приемник)
Скорость передачи данных: 0,115 Мбит/ c
Вес: 0,35 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 401.14-3
Выходной ток: вытекающий < 15 мА
Температура: кристалла предельная 150 °С
Мощность: рассеяния без теплоотвода < 100 м В
Емкость: нагрузки макс. < 200 пФ
Напряжение: на входе относительно «земли»
Напряжение питания: 6 В
Сопротивление: тепловое кристалл-среда 0,25°С/м Вт
Вес: 0,35 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 401.14-3
Выходной ток: вытекающий < 15 мА
Температура: кристалла предельная 150 °С
Мощность: рассеяния без теплоотвода < 100 м В
Емкость: нагрузки макс. < 200 пФ
Напряжение: на входе относительно «земли»
Напряжение питания: 6 В
Сопротивление: тепловое кристалл-среда 0,25°С/м Вт
Вес: 0,35 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 401.14-5
Выходной ток: вытекающий < 15 мА
Температура: кристалла предельная 150 °С
Мощность: рассеяния без теплоотвода < 100 м В
Емкость: нагрузки макс. < 200 пФ
Напряжение: на входе относительно «земли»
Напряжение питания: 6 В
Сопротивление: тепловое кристалл-среда 0,25°С/м Вт
Вес: 0,35 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 401.14-5
Выходной ток: вытекающий < 15 мА
Температура: кристалла предельная 150 °С
Мощность: рассеяния без теплоотвода < 100 м В
Емкость: нагрузки макс. < 200 пФ
Напряжение: на входе относительно «земли»
Напряжение питания: 6 В
Сопротивление: тепловое кристалл-среда 0,25°С/м Вт
Вес: 0,35 г
Рабочая температура: -60…+125 °С
Корпус: 401.14-5
Выходной ток: вытекающий < 15 мА
Температура: кристалла предельная 150 °С
Мощность: рассеяния без теплоотвода < 100 м В
Емкость: нагрузки макс. < 200 пФ
Напряжение: на входе относительно «земли»
Напряжение питания: 6 В
Сопротивление: тепловое кристалл-среда 0,25°С/м Вт
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/c ППВМ - конфигурационная память серии EPCQ
Напряжение питания: 2,7…3,6 (max); Uраб.=3,3 В
Частота: 100 (max) М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Потребляемый ток: 100 мк А
Упаковка: TUBE
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: Flash 4 Mbit
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: SOIC8
Ток: собственного потребления: 17 мк А
Напряжение питания: 1,8…5,5 В
Частота: единичного усиления: 350 Гц
Скорость: нарастания выходного сигнала: 0,16 В/мкс
Количество: каналов: 2
Выводы: Rail-to-Rail
Корпус: QFN-36
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F103 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 128 кБ; ОЗУ (SRAM) - 20 кБ
Недавно просмотренные товары:
Микросхемы 564лн2в (2014г.) Цена: 411 Руб.
Микросхемы RAM-8 (Mini-Circuits®) Цена: 398 Руб.
Микросхемы PAT-4+ (Mini-Circuits®) Цена: 398 Руб.
Микросхемы PAT-2+ (Mini-Circuits®) Цена: 398 Руб.
Контроллеры ATTINY13A-SSU Цена: 121 Руб.
Микросхемы 588ва3 (90г.) Цена: 117 Руб.
Мой аккаунт
ИНФОРМАЦИЯ
Интернет-магазин. Купить электронные компоненты и радиодетали
- Почта: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
- Более 1 000 000 товаров в наличии и под заказ!
