Микросхемы
Микросхема по своей сути является микроэлектронным устройством, изготовленным на полупроводниковой пластине или плёнке. Для упрощения их установки и защиты от возможных повреждений они помещаются в особые корпусы. Микросхемы значительно облегчают жизнь практически каждого человека в современном мире, поскольку именно благодаря им гигантское количество транзисторов можно закрепить на одном кристалле площадью в несколько квадратных сантиметров.
Компания «Радио-Гуру» предлагает вам широкий выбор самых разнообразных микросхем. В нашем ассортименте представлены микросхемы памяти, питания, отечественные версии и т.д. Все наши товары сертифицированы заводами-производителями и являются высококачественными комплектующими для большого количества устройств. Мы также обеспечиваем доставку в кратчайшие сроки, а если вы проживаете в пределах Москвы, вы лично можете забрать необходимую вам микросхему в нашем магазине.
Чтобы корректно направить нам заявку на приобретение электронных компонентов и других товаров, необходимо:
1) Указать ТИП ИЗДЕЛИЯ, НАИМЕНОВАНИЕ, БРЕНД, ГОД ВЫПУСКА ИЗДЕЛИЯ, ПРИЕМКА, КОЛИЧЕСТВОИ направить нам заявку на электронный почтовый адрес — Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
Рассмотрение заявок занимает как правило, 1-3 рабочих дня.
Вес: 0,15 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(0.154 inch)
Выходной ток: на канал: 50 мА
Ток: собственного потребления: 5,8 мА
Тип: с обратной связью по напряжению
Напряжение: смещения на входе: 2000 мк В
Характеристика: Токовое смещение на входе: 1200 н А
Напряжение питания: однополярное(+)/двуполярное (±): +3…12, ±1.5…6 В
Скорость: нарастания выходного сигнала: 170 В/мкс
Тип выхода: Rail-to-Rail
Количество: каналов: 1
Полоса пропускания: 170 М Гц
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Выходной ток: 100 (max) мА
Конфигурация: вход/ выход - 1
Тип: Регулируемый преобразователь напряжения инвентируемый серии ADM660
Входное напряжение: 1,5…7 В
Выходное напряжение: регулируемое: - 1,5…-7; 5…14 В
Частота: переключений - 25…120 Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Потребляемый ток: 4,5 мА
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL7
Ток покоя, не более: 600 мк А
Вес: не более 1,5 г
Рабочая температура: -60-+125 °С
Корпус: 402.16-32
Ток: потребления: не более 0,12 мА
Напряжение питания: 4,2-13,5 В
Рабочая температура: -60°C …+125 °С
Корпус: 402.16-33
Ток: потребления, не более: 0,16 мА
Напряжение питания: 2… 6 В
Рабочая температура: -60°C …+125 °С
Корпус: 401.14-5
Ток: потребления, не более: 0,04 мА
Напряжение питания: 2… 6 В
Вес: не более 1,5 г
Рабочая температура: -60-+125 °С
Корпус: 402.16-32
Ток: потребления: не более 0,4 мА
Напряжение питания: 4,2-13,5 В
Корпус: TQFP-44 (SMD)
Тип: Микроконтроллер 8 бит серии PIC18F4xK22
Напряжение питания: 2,3…5,5 (max) В
Частота: тактовая (max) - 64 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 44-Pin, Low-Power, High-Performance Microcontrollers with XLP Technology
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: CCP, ECCP, I2C, MSSP, SPI, USART
Упаковка: TRAY, 160 шт.
Количество: входов/ выходов - 36 I/O; каналов АЦП - 28; таймеров - 7
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: PIC18, процессор PIC18
Корпус: LQFP-64
Тип: Микроконтроллер 32 бит серии GD32F103 ARM® Cortex®-M3
Напряжение питания: 2,6…3,6 (max) В
Частота: 108 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: USART, I2C, SPI, CAN
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Ядро: RISK ARM® Cortex®-M3
Память: программная (Flash) - 128 кБ; ОЗУ (SRAM) - 20 кБ
Вес: не более 2 г
Корпус: 238.16-2
Емкость: нагрузки: < 15 пФ
Напряжение питания: 4,75 - 5,25 В
Выходное напряжение: высокого уровня: > 2,4 В
Входной ток: высокого уровня: < -0,8 мА
Корпус: 402.16-32
Корпус: 402.16-32
Рабочая температура: -60°C…+125 °С
Корпус: 3107.12-2
Ток: потребления, не более: 6,1 мА
Напряжение питания: 6±10 % В
Рабочая температура: -60°C …+125 °С
Корпус: 401.14-5
Ток: потребления, не более: 0,04 мА
Напряжение питания: 2… 6 В
Рабочая температура: -60°C …+125 °С
Корпус: 402.16-23
Ток: потребления, не более: 0,08 мА
Напряжение питания: 2… 6 В
Вес: не более 1,5 г
Рабочая температура: -60-+125 °С
Корпус: 402.16-33
Ток: потребления: не более 0.3 мА
Напряжение питания: 4,2-13,5 В
Рабочая температура: -60°C …+125 °С
Корпус: 401.14-5
Ток: потребления, не более: 0,04 мА
Напряжение питания: 2… 6 В
Рабочая температура: -60…+85 °С
Корпус: 4118.24-2.01
Напряжение питания: 4,5…11 В
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: Прецизионный операционный усилитель серии AD8607
Характеристика: (en) - интенсивность шума входного напряжения - 25 nV/sqrt Hz дБ
Напряжение питания: однополярное - 1,8…5; двуполярное - ±0,9…2,5 В
Входное напряжение: смещения нуля (Vos)
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
Коэффициент: подавления: - синфазного сигнала (CMRR)/ помех по питанию (PSRR) - 100 дБ
Усиление: по напряжению - 113,06
Скорость: SR - скорость нарастания выходного напряжения - 0,1 В/ мкс
Потребляемый ток: 100 мк А
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL7
Количество: каналов - 2; тип выхода - Rail-to-Rail
Входной ток: смещения (Ib) - 1 пА (max)
Корпус: WSON-12 (SMD)
Выходной ток: 800 мА
Конфигурация: полярность - положительная; кол-во выходов - 2
Тип: Стабилизатор напряжения линейный серии LP38798
Характеристика: падение напряжения при max нагрузке - 200 м В
Входное напряжение: 3…20 (max) В
Выходное напряжение: регулируемое - 1,2…19,8 В
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL
Корпус: TSOP-48 (SMD)
Тип: М/с памяти серии MT29F
Напряжение питания: 1,7…3,6 (1,7…1,95) В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 2Gb: x8 NAND Flash Memory Features
Интерфейс: IC
Упаковка: TRAY
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: NAND Flash 2 Гбит (256 Мбит х 8)
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: SOIC8
Ток: собственного потребления: 20 мк А
Напряжение питания: 3…15,5 В
Частота: единичного усиления: 50 Гц
Скорость: нарастания выходного сигнала: 0,015 В/мкс
Количество: каналов: 2
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: SOIC8
Примечание: Interface Circuit, CMOS, PDSO8
Напряжение питания: 3,3…5 В
Количество: приёмников: 1
Скорость передачи данных: 5 Mbps
Напряжение изоляции: 2500 В
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: SOIC8
Примечание: Interface Circuit, CMOS, PDSO8
Напряжение питания: 3,3…5 В
Количество: приёмников: 0
Скорость передачи данных: 1 Mbps
Напряжение изоляции: 2500 В
Недавно просмотренные товары:
Мой аккаунт
ИНФОРМАЦИЯ
Интернет-магазин. Купить электронные компоненты и радиодетали
- Почта: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
- Более 1 000 000 товаров в наличии и под заказ!
