Микросхемы
Микросхема по своей сути является микроэлектронным устройством, изготовленным на полупроводниковой пластине или плёнке. Для упрощения их установки и защиты от возможных повреждений они помещаются в особые корпусы. Микросхемы значительно облегчают жизнь практически каждого человека в современном мире, поскольку именно благодаря им гигантское количество транзисторов можно закрепить на одном кристалле площадью в несколько квадратных сантиметров.
Компания «Радио-Гуру» предлагает вам широкий выбор самых разнообразных микросхем. В нашем ассортименте представлены микросхемы памяти, питания, отечественные версии и т.д. Все наши товары сертифицированы заводами-производителями и являются высококачественными комплектующими для большого количества устройств. Мы также обеспечиваем доставку в кратчайшие сроки, а если вы проживаете в пределах Москвы, вы лично можете забрать необходимую вам микросхему в нашем магазине.
Чтобы корректно направить нам заявку на приобретение электронных компонентов и других товаров, необходимо:
1) Указать ТИП ИЗДЕЛИЯ, НАИМЕНОВАНИЕ, БРЕНД, ГОД ВЫПУСКА ИЗДЕЛИЯ, ПРИЕМКА, КОЛИЧЕСТВОИ направить нам заявку на электронный почтовый адрес — Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
Рассмотрение заявок занимает как правило, 1-3 рабочих дня.
Корпус: SOT-23-Thin-6 (SMD)
Выходной ток: термоусадка
Конфигурация: STEP-DOWN
Тип: Стабилизатор повышающий импульсный DC-DC серии LM2734
Входное напряжение: 3…20 (max) В
Выходное напряжение: регулируемое - 0,8…18 В
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL, 3000 шт.
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/с памяти серии FM25W256-G
Напряжение питания: 2,7…5,5 (max); Uраб. - 3…5 В
Частота: 20 (max) М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 256-Kbit (32K × 8) Serial (SPI) F-RAM
Потребляемый ток: 250 (при 1 МГц) мк А
Интерфейс: SPI
Упаковка: REEL
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: FRAM 256 Кбит
Вес: не более 1,2 г
Рабочая температура: -60-+125 °С
Корпус: 402.16-32
Ток: потребления: не более 10 мА
Напряжение питания: 5 ±10% В
Вес: 2,5 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: dip-20(0.300 inch)
Тип: памяти: flash
Напряжение питания: 1,8…5,5 В
Частота: тактовая: 20 М Гц
Интерфейс: i2c, spi, uart
Объем: RAM: 128x8
Количество: входов/выходов: 18
Ядро: avr
Шаг/дискретность: шины данных: 8-бит
Вес: 0,15 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(0.154 inch)
Выходной ток: на канал: 25 мА
Ток: собственного потребления: 0,175 мА
Тип: усилителя: общего применения
Напряжение: смещения на входе: 300 мк В
Характеристика: Токовое смещение на входе: 7 н А
Напряжение питания: однополярное(+)/двуполярное (±): +3…36, ±1.5…18 В
Частота: единичного усиления: 0,085 М Гц
Скорость: нарастания выходного сигнала: 0,03 В/мкс
Тип выхода: Rail-to-Rail
Количество: каналов: 2
Недавно просмотренные товары:
Мой аккаунт
ИНФОРМАЦИЯ
Интернет-магазин. Купить электронные компоненты и радиодетали
- Почта: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
- Более 1 000 000 товаров в наличии и под заказ!
