Микросхемы
Микросхема по своей сути является микроэлектронным устройством, изготовленным на полупроводниковой пластине или плёнке. Для упрощения их установки и защиты от возможных повреждений они помещаются в особые корпусы. Микросхемы значительно облегчают жизнь практически каждого человека в современном мире, поскольку именно благодаря им гигантское количество транзисторов можно закрепить на одном кристалле площадью в несколько квадратных сантиметров.
Компания «Радио-Гуру» предлагает вам широкий выбор самых разнообразных микросхем. В нашем ассортименте представлены микросхемы памяти, питания, отечественные версии и т.д. Все наши товары сертифицированы заводами-производителями и являются высококачественными комплектующими для большого количества устройств. Мы также обеспечиваем доставку в кратчайшие сроки, а если вы проживаете в пределах Москвы, вы лично можете забрать необходимую вам микросхему в нашем магазине.
Чтобы корректно направить нам заявку на приобретение электронных компонентов и других товаров, необходимо:
1) Указать ТИП ИЗДЕЛИЯ, НАИМЕНОВАНИЕ, БРЕНД, ГОД ВЫПУСКА ИЗДЕЛИЯ, ПРИЕМКА, КОЛИЧЕСТВОИ направить нам заявку на электронный почтовый адрес — Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
Рассмотрение заявок занимает как правило, 1-3 рабочих дня.
TEXAS INSTRUMENTS 
TEXAS INSTRUMENTS 
TEXAS INSTRUMENTS 
NXP 
TEXAS INSTRUMENTS Под заказ
Вес: 1 г
Рабочая температура: 0…+70 °С
Корпус: dip-8(0.300 inch)
Ток: собственного потребления: 1,4 мА
Тип: усилителя: с входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Напряжение: смещения на входе: 3000 мк В
Характеристика: Токовое смещение на входе: 0,065 н А
Напряжение питания: однополярное(+)/двуполярное (±): ±5…15 В
Частота: единичного усиления: 3 М Гц
Скорость: нарастания выходного сигнала: 13 В/мкс
Количество: каналов: 2
45 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 18 УП. по 50 шт.;
Вес: 1 г
Рабочая температура: 0…+70 °С
Корпус: dip-8(0.300 inch)
Ток: собственного потребления: 1,4 мА
Тип: усилителя: с входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Напряжение: смещения на входе: 3000 мк В
Характеристика: Токовое смещение на входе: 0,065 н А
Напряжение питания: однополярное(+)/двуполярное (±): ±5…15 В
Частота: единичного усиления: 3 М Гц
Скорость: нарастания выходного сигнала: 13 В/мкс
Количество: каналов: 2
TEXAS INSTRUMENTS Под заказ
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: SC-70-5
Выходной ток: на канал: 160 мА
Ток: входного смещения: 15 н А
Напряжение: входного смещения: 1700 мк В
Выходное напряжение: Single/Dual (±): 2.7 V ~ 5.5 V, ±1.35 V ~ 2.75 V
Скорость: нарастания выходного напряжения: 1 В/мкс
Тип выхода: Rail-to-Rail
Количество: каналов: 1
Тип монтажа: Поверхностный
Полоса пропускания: 1 М Гц
45 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 120 УП. по 25 шт.;
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: SC-70-5
Выходной ток: на канал: 160 мА
Ток: входного смещения: 15 н А
Напряжение: входного смещения: 1700 мк В
Выходное напряжение: Single/Dual (±): 2.7 V ~ 5.5 V, ±1.35 V ~ 2.75 V
Скорость: нарастания выходного напряжения: 1 В/мкс
Тип выхода: Rail-to-Rail
Количество: каналов: 1
Тип монтажа: Поверхностный
Полоса пропускания: 1 М Гц
RUICHI Под заказ
Высота: 7,4 (корпус - 4,5) мм
Ширина: 10,16 мм
Глубина: 35,56 мм
Сопротивление изоляции, не менее: 1000 М Ом
Количество контактов: 28 (2 x 14) с шагом 2,54 мм
Диапазон рабочих температур: 0…+85 °С
Материал корпуса: PBT (UL 94 V-0)
Контактное сопротивление, не более: 20 mΩ
Диэлектрическая прочность: 500 (50 Гц, 1 мин.) В
45 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 1 УП. по 5015 шт.; 150 УП. по 17 шт.;
Высота: 7,4 (корпус - 4,5) мм
Ширина: 10,16 мм
Глубина: 35,56 мм
Сопротивление изоляции, не менее: 1000 М Ом
Количество контактов: 28 (2 x 14) с шагом 2,54 мм
Диапазон рабочих температур: 0…+85 °С
Материал корпуса: PBT (UL 94 V-0)
Контактное сопротивление, не более: 20 mΩ
Диэлектрическая прочность: 500 (50 Гц, 1 мин.) В
TEXAS INSTRUMENTS Под заказ
Максимальный ток: 800 мА
Корпус: SOT-223-4
Тип: Стабилизатор напряжения серии LM1117
Отклонение: нестабильность выходного напряжения ± 1 м В
Характеристика: падение напряжения при Iнаг.: 100 мА - 1,2 В; 500 мА - 1.25 В; 800 мА - 1,3 В
Входное напряжение: 15 (max) В
Выходное напряжение: 3,3; полярность - положительная В
Диапазон рабочих температур: -40 …+125 °С
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Точность: регулирования напряжения - 1 %
Упаковка: REEL
Входной ток: смещения (Ib) - 5 мА
Ток покоя, не более: 10 мА
44 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 76 УП. по 50 шт.;
Максимальный ток: 800 мА
Корпус: SOT-223-4
Тип: Стабилизатор напряжения серии LM1117
Отклонение: нестабильность выходного напряжения ± 1 м В
Характеристика: падение напряжения при Iнаг.: 100 мА - 1,2 В; 500 мА - 1.25 В; 800 мА - 1,3 В
Входное напряжение: 15 (max) В
Выходное напряжение: 3,3; полярность - положительная В
Диапазон рабочих температур: -40 …+125 °С
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Точность: регулирования напряжения - 1 %
Упаковка: REEL
Входной ток: смещения (Ib) - 5 мА
Ток покоя, не более: 10 мА
TEXAS INSTRUMENTS Под заказ
Вес: 0,39 г
Максимальный ток: нагрузки: 0,8 А
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: SOT-223
Входное напряжение: макс.: 15 В
Выходное напряжение: 3,3 В
Тип выхода: фиксированный
Полярность: положительная
Падение напряжения: 1,3 В
Количество выходов: 1
44 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 42 УП. по 50 шт.;
Вес: 0,39 г
Максимальный ток: нагрузки: 0,8 А
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: SOT-223
Входное напряжение: макс.: 15 В
Выходное напряжение: 3,3 В
Тип выхода: фиксированный
Полярность: положительная
Падение напряжения: 1,3 В
Количество выходов: 1
TEXAS INSTRUMENTS Под заказ
Вес: 1 г
Рабочая температура: 0…+70 °С
Корпус: dip-8(0.300 inch)
Ток: собственного потребления: 1,4 мА
Тип: усилителя: с входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Напряжение: смещения на входе: 3000 мк В
Характеристика: Токовое смещение на входе: 0,03 н А
Напряжение питания: однополярное(+)/двуполярное (±): +7…36, ±3.5…18 В
Частота: единичного усиления: 3 М Гц
Скорость: нарастания выходного сигнала: 13 В/мкс
Количество: каналов: 2
43 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 26 УП. по 50 шт.;
Вес: 1 г
Рабочая температура: 0…+70 °С
Корпус: dip-8(0.300 inch)
Ток: собственного потребления: 1,4 мА
Тип: усилителя: с входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Напряжение: смещения на входе: 3000 мк В
Характеристика: Токовое смещение на входе: 0,03 н А
Напряжение питания: однополярное(+)/двуполярное (±): +7…36, ±3.5…18 В
Частота: единичного усиления: 3 М Гц
Скорость: нарастания выходного сигнала: 13 В/мкс
Количество: каналов: 2
TEXAS INSTRUMENTS Под заказ
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: VSSOP-8
Скорость: передачи данных: 2 кбит/с
Интерфейс: выходной: двунаправленный, открытый сток
43 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 58 УП. по 50 шт.;
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: VSSOP-8
Скорость: передачи данных: 2 кбит/с
Интерфейс: выходной: двунаправленный, открытый сток
TEXAS INSTRUMENTS Под заказ
Корпус: SOT-23-5 (SMD)
Выходной ток: 250 мА
Тип: Малошумящий LDO стабилизатор напряжения серии LM5907
Характеристика: подавление пульсаций - 82 dB (typ)
Входное напряжение: 2,2…5,5 (max) В
Выходное напряжение: 3,3 В; допускаемое отклонение - 2 % (полярность - положительная)
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
Потребляемый ток: 12 мк А
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL
Падение напряжения: при максимальной нагрузке - 250 м В
Нестабильность: выходного напряжения или тока - 0,02; выходной нагрузки - 0,001 %
43 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: Поштучно 1630 шт.
Корпус: SOT-23-5 (SMD)
Выходной ток: 250 мА
Тип: Малошумящий LDO стабилизатор напряжения серии LM5907
Характеристика: подавление пульсаций - 82 dB (typ)
Входное напряжение: 2,2…5,5 (max) В
Выходное напряжение: 3,3 В; допускаемое отклонение - 2 % (полярность - положительная)
Диапазон рабочих температур: -40…+125 °С
Потребляемый ток: 12 мк А
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Упаковка: REEL
Падение напряжения: при максимальной нагрузке - 250 м В
Нестабильность: выходного напряжения или тока - 0,02; выходной нагрузки - 0,001 %
Под заказ
43 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 1 УП. по 50 шт.; 22 УП. по 10 шт.;
ST Microelectronics 
Microchip Под заказ
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(3.9мм)
Тип: памяти: eeprom
Напряжение питания: 1,7…5,6 В
Частота: тактовая (max): 1 М Гц
Интерфейс: i2c, 2-wire serial
Объем: памяти: 64 kбит(8k x 8)
43 руб
В наличии: 900 шт. Продажа: 99 УП. по 25 шт.;
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(3.9мм)
Тип: памяти: eeprom
Напряжение питания: 1,7…5,6 В
Частота: тактовая (max): 1 М Гц
Интерфейс: i2c, 2-wire serial
Объем: памяти: 64 kбит(8k x 8)
Недавно просмотренные товары:
Мой аккаунт
ИНФОРМАЦИЯ
Интернет-магазин. Купить электронные компоненты и радиодетали
- Почта: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
- Более 1 000 000 товаров в наличии и под заказ!