2Т827Б – это кремниевый эпитаксиальный мезапланарный составной n-p-n переключательный транзистор. Его делают в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.

2Т827Б предназначен для использования в усилителях низкой частоты, стабилизаторах тока и напряжения, импульсных усилителях мощности, повторителях, переключающих устройствах, электронных системах управления защиты и автоматики. Его применяют в узлах и блоках радиоэлектронной аппаратуры специального назначения.

Основные параметры транзистора 2Т827Б:

• Максимальное напряжение коллектор-база: 80 В

• Максимальный постоянный ток коллектора: 20 А

• Максимальная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 125 Вт

• Граничная частота коэффициента передачи тока для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц

• Статический коэффициент передачи тока для схем с общим эмиттером: 750...18000

• Емкость коллекторного перехода: не более 400 пФ

• Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,2 Ом

• Обратный ток: 2 мА, 3 мА

Транзистор 2Т827А-5 выпускается в виде кристаллов неразделенных с контактными площадками на пластине для гибридных интегральных микросхем. Масса транзистора в металлическом корпусе не более 20 г, кристалла – не более 0,01 г. Гарантийный срок хранения транзисторов – 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия – с даты перепроверки. Гарантийная наработка: 25000 часов во всех режимах, допускаемых ТУ, и 40000 часов в облегченном режиме.

Расшифровка условного обозначения:

• 2 – кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»

• Т – биполярный транзистор

• 8 – транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц

• 27 – порядковый номер разработки транзистора

• Б – буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу

Зарубежный аналог 2Т827Б – MJ3521.