IRF4905 - это мощный P-канальный MOSFET-транзистор, разработанный компанией International Rectifier (IRF). В нём применена технология HEXFET пятого поколения, позволившая уменьшить площадь кремниевой пластины и добиться низкого сопротивления во включенном состоянии. Это обеспечивает высокую скорость переключений и прочность конструкции.

Характеристики IRF4905 :

• Тип транзистора: MOSFET

• Полярность: P

• Максимальное напряжение сток-исток: -55 В

• Предельное напряжение затвор-исток: ± 20 В

• Пороговое напряжение включения: 4 В

• Максимальный постоянный ток стока: -74 A (при T C= +25 oС)

• Импульсный ток стока: -260 А

• Максимальная рассеиваемая мощность: 200 Вт (при T C= +25 oС)

• Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ом

• Общий заряд затвора: 180 nC (максимум)

• Время нарастания: 99 нс

• Выходная ёмкость: 1400 пФ

• Диапазон рабочих температур: от -55 до +175°C

Цоколевка :
IRF4905 производится в корпусе TO-220AB. Выводы транзистора (слева направо): затвор (G), сток (D), исток (S).

Применение :
IRF4905 позиционируется компанией IRF как высокоэффективное и надежное устройство для использования в различных приложениях.

Важно :
При работе с IRF4905 необходимо учитывать, что превышение предельно допустимых параметров может привести к выходу транзистора из строя. Для стабильной работы рекомендуется поддерживать температуру кристалла на уровне +25 oC, так как её повышение негативно сказывается на эксплуатационных свойствах. Также, при выборе транзистора, стоит обращать внимание на знак "минус" у максимальных значений параметров, что указывает на дырочную проводимость канала P-типа.