КП303Б - это кремниевый эпитаксиально-планарный полевой транзистор с затвором на основе p-n перехода и n-каналом.

Этот транзистор предназначен для использования во входных каскадах усилителей высокой частоты, например, КП303Д, КП303Е, и низкой частоты, например, КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Ж, КП303И, с высоким входным сопротивлением. Транзисторы КП303Г в основном используются в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии.

Транзистор выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип корпуса КТ-1-12. Вес транзистора не превышает 0,5 г.

Основные технические характеристики КП303Б :

• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом.

• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт.

• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора: 0,5...3 В.

• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В.

• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В.

• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В.

• Iс - Ток стока (постоянный): 20 мА.

• Iс нач - Начальный ток стока: 0,5...2 мА.

• S - Крутизна характеристики: 1...4 мА/В.

• С11и - Входная емкость транзистора: не более 6 пФ.

• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 2 пФ.

Маркировка транзистора расшифровывается следующим образом :

• К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК».

• П - полевой транзистор.

• 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц.

• 03 - порядковый номер разработки полевого транзистора.

• Б - классификация транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

Гарантийный срок хранения транзисторов - не менее 10 лет с момента изготовления. Импортные аналоги: 2N5556, D110-1.